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公开(公告)号：CN113296952B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110607304.4
申请日：2021-06-01
Applicant: 南京大学
IPC: G06F9/50
Abstract: 本发明公开一种采用模拟传感器高阶微分进行边缘计算的系统，包括传感器模块、微分模块、模拟加权求和模块和后级系统模块；四个模块依次连接；传感器模块采集输入信号并产生电学模拟信号；微分模块获得电学模拟信号的微分信号；模拟加权求和模块加权求和各阶微分信号；后级系统模块根据模拟加权求和模块的输出控制后级系统。本发明还公开一种采用模拟传感器高阶微分进行边缘计算的方法。本发明在硬件电路实现对连续输入信号的泰勒展开，对传感器收集的运动信号进行预处理，进而对物体的运动做出预测；本发明降低系统的功耗，减少计算所需的时间，提高系统的续航时间，减少了系统延迟，提高了系统准确性和性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109755307B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910003119.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管及测量装置，晶体管包括绝缘层、金属电极层、二维材料薄膜层、二维材料薄膜层和二维材料薄膜层；金属电极层包括漏电极层，源电极层和栅电极层；二维材料薄膜层和二维材料薄膜层铺设在绝缘层上，二维材料薄膜层位于两者堆叠部位之间，源电极层覆盖在二维材料薄膜层的非堆叠部位，漏电极层覆盖在堆叠部位上方或者二维材料薄膜层的非堆叠部位，栅电极层与绝缘层连接。本发明测量装置，包括前述基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管、电压源及电流表。本发明的晶体管降低了场效应晶体管的亚阈值摆幅＜1mV/dec，实现低功耗，此外，减小器件尺寸，提高器件稳定性。
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公开(公告)号：CN111709521A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010596185.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及该电路功能的实现方法，所述电路包括第一可调同质结场效应器件M1、第二可调同质结场效应器件M2、第三可调同质结场效应器件M3以及电容元件C，其中，可调同质结场效应器件在栅极电压的调控下可以表现出NN结，PP结，PN结和NP结所具有的电学特性，电路中器件M2和器件M3的导通状态由仿突触前脉冲和仿突触后脉冲的共同作用决定；相比于传统MOS电路方案展示脉冲时间依赖可塑性和脉冲对突触权重连续调节的神经突触功能的电路结构，本方案中的电路所需的器件数目得到极大地减少，并且表现出了可重构功能的特点，在构建面向未来神经形态应用的低功耗高密度集成仿生芯片方面展现出很大的优势。
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公开(公告)号：CN109755307A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910003119.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管及测量装置，晶体管包括绝缘层、金属电极层、二维材料薄膜层、二维材料薄膜层和二维材料薄膜层；金属电极层包括漏电极层，源电极层和栅电极层；二维材料薄膜层和二维材料薄膜层铺设在绝缘层上，二维材料薄膜层位于两者堆叠部位之间，源电极层覆盖在二维材料薄膜层的非堆叠部位，漏电极层覆盖在堆叠部位上方或者二维材料薄膜层的非堆叠部位，栅电极层与绝缘层连接。本发明测量装置，包括前述基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管、电压源及电流表。本发明的晶体管降低了场效应晶体管的亚阈值摆幅＜1mV/dec，实现低功耗，此外，减小器件尺寸，提高器件稳定性。
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公开(公告)号：CN107021524B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710350595.7
申请日：2017-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长，利用水溶性盐的加热挥发，在生长衬底上生长一层水溶性盐层，再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上，最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后，放入水中溶解掉水溶性盐层，再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上，之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。
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公开(公告)号：CN105590985A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201511029416.7
申请日：2015-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105
Abstract: 一种基于层状材料p-i-n异质结的雪崩探测器，所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p-i-n异质结，所述p-i-n异质结包括p-型半导体二维薄膜材料，所述p-型半导体二维薄膜材料即薄膜层5叠放在一个包括确定层数的氮化硼带隙较大本征半导体或绝缘层下，n-型半导体二维薄膜材料薄膜4叠放在上述氮化硼上，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，氮化硼将两半导体二维薄膜材料层分开；顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪、ITO等；顶栅金属电极层7在所述顶栅绝缘层上。
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