水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法

    公开(公告)号:CN107021524A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710350595.7

    申请日:2017-05-18

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: C01G39/06 C01P2002/82 C01P2004/02 C01P2004/22

    Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长,利用水溶性盐的加热挥发,在生长衬底上生长一层水溶性盐层,再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上,最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后,放入水中溶解掉水溶性盐层,再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上,之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。

    水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法

    公开(公告)号:CN107021524B

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201710350595.7

    申请日:2017-05-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长,利用水溶性盐的加热挥发,在生长衬底上生长一层水溶性盐层,再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上,最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后,放入水中溶解掉水溶性盐层,再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上,之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。

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