毫米波信号的光子学产生方法及装置

    公开(公告)号:CN104618022A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510047254.3

    申请日:2015-01-29

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种基于高非线性光纤受激布里渊散射效应的毫米波信号的光子学产生方法及装置,属于微波光子学技术领域。由可调谐激光器、第一耦合器、双平行马赫-曾德尔调制器、第一直流稳压电源、第二直流稳压电源、第三直流稳压电源、隔离器、第二耦合器、第一光电探测器、频谱分析仪、高非线性光纤、环行器、第二光电探测器、微波放大器、强度调制器、第四直流稳压电源和微波信号源组成。本发明的毫米波信号产生装置的输出频率根据所选用的高非线性光纤不同可在54GHz~66GHz。由于受激布里渊频移量的数值与泵浦光的波长有关,还可以通过调节可调谐激光器的波长,实现毫米波信号产生装置的输出频率在一定范围内可调。

    一种超宽频率范围的多频微波信号的光子瞬时频率测量装置

    公开(公告)号:CN103439011A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310375386.X

    申请日:2013-08-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种超宽频率范围的多频微波信号的光子瞬时频率测量装置,属于微波光子学技术领域,由激光器、耦合器、相位调制器、偏振控制器、高非线性光纤、环行器、第一双平行MZ调制器、第二双平行MZ调制器、强度调制器、微波耦合器、光电探测器和网络分析仪组成;利用高非线性光纤的受激布里渊散射效应对相位调制器输出的一阶上边带信号进行增强或减弱,打破相位调制器输出信号一阶上下边带的强度平衡,从而实现待测多频微波信号的瞬时频率测量。

    一种超宽调谐范围的单带通微波光子滤波器

    公开(公告)号:CN103091932A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201310016000.6

    申请日:2013-01-16

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于微波光子学技术领域,具体涉及一种基于高非线性光纤受激布里渊散射效应和多泵浦信号的超宽调谐范围的单带通可调谐微波光子滤波器。由激光器、相位调制器、隔离器、N个泵浦源、耦合器、高非线性光纤、环行器、探测器和网络分析仪组成;利用高非线性光纤的受激布里渊散射效应和相位调制器输出信号的相位相反强度相等的特点,通过高非线性光纤的受激布里渊散射效应对相位调制器输出的一阶上边带进行增强或减弱,打破相位调制器输出信号一阶上下边带的强度平衡,从而实现需要频率的信号被滤波输出。通过合理增加泵浦信号的数量,利用高频泵浦信号引起的受激布里渊增益抵消低频泵浦信号引起的受激布里渊损耗,增加滤波器的调谐范围。

    基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及制备方法

    公开(公告)号:CN101915998B

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201010234943.2

    申请日:2010-07-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于光电子器件领域,具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作,为一体脊型结构,沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5;在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204,在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0~30dB范围内,实现对光信号的连续可变衰减。

    四折叠梁变面积差分电容结构微加速度传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN101881785B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201010205116.0

    申请日:2010-06-22

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于微机电系统领域,涉及一种四折叠梁变面积差分电容结构微加速度传感器及其制备方法。由可动质量块、成对的弹簧折叠梁、插指状下电极和微加速度传感器外框组成;在外部载荷的作用方向上,可动质量块的前端和后端通过弹簧折叠梁连接在加速度传感器外框上,可动质量块、弹簧折叠梁、加速度传感器外框为一体结构;在可动质量块的下表面制作有上电极,上电极与插指状下电极间具有一定的空隙,从而组成平板差分电容,上电极通过加速度传感器外框与插指状下电极键合在一起。本发明所述的传感器结构,明显地解决了变间隙结构存在的非线性问题,利于后续检测电路的制作,同时使振动模态更好的分离,提高了器件的抗干扰能力并增加传感器的灵敏度。

    TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜紫外光探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102163639A

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201110070874.0

    申请日:2011-03-23

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄石英为衬底,以纳米TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜为基体,以Au、Pt或Ni为金属插指电极,以Al或Ag为光反射层的低表面态密度的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备不同配比的TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜,并在超薄石英衬底上生长成致密的纳米薄膜;再经过高强度紫外清洗机对薄膜进行处理;然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的叉指电极;最后在超薄石英片背面蒸镀一层反射层用以提高光的吸收效率。通过调整TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜的不同配比,可以使本发明探测器的响应峰值在200nm到350nm紫外波段范围内可调。

    背入射式TiO2紫外光探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN101562208A

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN200910067032.2

    申请日:2009-06-02

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明属于半导体光电探测器件领域,具体涉及一种以石英为衬底,以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料,以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底,采用M-S-M(金属-半导体-金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是:采用溶胶-凝胶技术,在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜,然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触,采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器,采用背入射方式工作,可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm~350nm的紫外线具有良好的检测性能。

    一种厘米波/毫米波超宽带信号产生装置

    公开(公告)号:CN113489551B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202110756005.7

    申请日:2021-07-05

    Applicant: 吉林大学

    Inventor: 董玮 都聪 张歆东

    Abstract: 一种基于微波光子外部调制技术结合上变频技术的厘米波/毫米波超宽带信号产生装置,属于微波光子学技术领域。由激光源、耦合器1、耦合器2、偏振控制器1、偏振控制器2、双平行马赫曾德尔调制器、马赫曾德尔调制器、任意波形发生器、微波信号源、直流稳压源1、直流稳压源2、直流稳压源3、直流稳压源4、掺铒光纤放大器、可调光滤波器、可调光延迟线、平衡光电探测器、频谱分析仪和示波器构成。该装置能生成厘米波超宽带信号和毫米波超宽带信号,适用于室内超宽带通信系统也适用于室外超宽带雷达系统。本发明基于单边带调制实现上变频技术的方法相较于其他方法具有更好的灵活性、稳定性,且更适用于超宽带信号在长距离光纤中传输。

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