公开(公告)号：CN107978688B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201711324202.1

申请日：2017-12-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张宇 ,  陈真 ,  张晓宇 ,  陆敏 ,  于伟泳 ,  张铁强

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法。所述的电致发光LED包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层(ETL)和空穴阻挡层(HBL)；PbS包覆钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”‑三(咔唑‑9‑基)苯胺薄膜作为空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)；MoO3/Au作为顶部电极。其制备方法包括：首先制备铯油酸溶液，之后经制备PbS包覆的CsPbI3量子点、电子传输层和空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和电子阻挡层等步骤，获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。本发明通过采用PbS包覆钙钛矿量子点，提高钙钛矿量子点光电性能，同时保证其稳定性和保持其良好的半导体性能，并以此作为发光层制备高效稳定的电致发光LED。