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公开(公告)号：CN119020031A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411121857.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿蓝光纳米片的制备方法，该方法中，通过反胶束法引入高键能的多效小分子作为辅助配体，协同PEI在CsPbBr3纳米片表面共筑非自发脱附配体层。该配体层有助于抑制配体的脱附，限制表面缺陷产生，同时提高CsPbBr3晶体结构的完整性和晶格的刚性，进而获得兼具高荧光量子效率、稳定纯蓝光发射的钙钛矿蓝光纳米片。基于该纳米片发光二极管的电致光谱稳定，且完全满足REC.2020标准对超高清纯蓝光显示的要求。
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公开(公告)号：CN116676082B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310614668.4
申请日：2023-05-29
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明提供了一种极性配体重构量子点表面并实现高性能蓝光LEDs的方法，其特征是：它包括如下步骤：S1：合成制备量子点所需要的油酸铯前驱体溶液；S2：量子点的合成；S3：量子点的提纯；S4：LED器件的制备。该方法在不添加额外步骤的前提下，在提纯清洗过程中采用溴化铵盐对PeLED中的发光活性物质进行了原位的表面重构，通过修复纯化后受损的量子点表面降低了量子点表面的缺陷密度，实现了钙钛矿量子点光致发光产率的提升，也实现了蓝光钙钛矿量子点LEDs效率的改善。
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公开(公告)号：CN117586764A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311534331.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种热稳定、疏水的表面富氟型蓝光钙钛矿量子点及其制备方法，属于发光显示技术领域。本发明通过在钙钛矿量子点中引入一种疏水性的富氟配体辅助其他结合力较强的配体进行协同修饰，对量子点进行包覆。第一种富氟配体可以构建量子点表面改善疏水特性，第二种配体可以提供稳定的表面，从而使得量子点具有较好的热稳定性。当两者同时包覆在钙钛矿量子点表面时，可以协同作用使得钙钛矿兼具两种配体带来的疏水性和稳定性优势，该量子点有70％以上的蓝光光致发光量子产率以及优良的稳定性。本发明旨在解决蓝光钙钛矿量子点水热稳定性差的问题，得到的蓝光钙钛矿量子点在蓝光电致发光LED器件和钙钛矿量子点太阳能电池中的应用。
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公开(公告)号：CN115498123A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211184239.X
申请日：2022-09-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法，采用ITO为阴极，PEDOT:PSS为空穴注入层，其厚度为40nm；Poly‑TPD为空穴传输层，其厚度为20nm；PMMA为界面修饰层，其厚度为5nm；原始与ODADBr原位钝化的CsPbBr3量子点为发光层，其厚度为15nm；TPBi为电子传输层，其厚度为50nm；LiF为电子注入层，其厚度为1nm；Al为阳极，其厚度为100nm，采用ODADBr钝化高温热注入合成的CsPbBr3量子点表面陷阱，减少量子点表面多余的Pb2+与VBr，从而提高材料的荧光寿命、发光强度以及荧光量子产率(PLQY)，进而提高材料的稳定性，将其应用于LED中，可以实现高亮度、高纯度、高外量子效率和提高器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN115224227A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210873666.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于准二维钙钛矿薄膜制备技术领域，提供了一种准二维钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：将原料分散在极性溶剂中作为制备准二维钙钛矿薄膜的前驱体；将前驱体加热搅拌充分溶解后，移至充满氮气的手套箱中待用；将清洗干净的基底上通过匀胶机分散一层空穴传输材料，随后将基底移至充满氮气的手套箱中待用；将前驱体涂敷于基底上，旋转基底，使前驱体在离心力和重力以及磁力的作下均匀的分布在基底上形成前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行退火处理，使准二维钙钛矿薄膜在基底上生长。本发明还提供了一种根据上述制备方法制备得到的准二维钙钛矿薄膜，晶体沿同一垂直方向排列，有更高的电荷注入效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115025944A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210901807.7
申请日：2022-07-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种带磁场的匀胶机，属于匀胶机技术领域，包括匀胶机本体，所述匀胶机本体包括机座，机座一侧安装控制面板，机座顶部固定有防溅射侧挡板，所述防溅挡板内侧固定有磁感线圈，所述磁感线圈两端分别接出用于分别与电源的正负极相接的导线，所述防溅挡板中间安装有用于承载基片的基片台，本发明可在旋涂过程中增加磁场，在准二维钙钛矿前体溶剂挥发过程中通过磁场的诱导使准二维钙钛矿薄膜的晶体沿垂直方向生长。本发明在基片的涂膜操作过程中，能够通过调节磁感线圈的电流大小以及电流方向来控制基片表面磁场的强度和方向，能够保证本发明在不同旋涂条件下的普适性。
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公开(公告)号：CN114316971A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111534941.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种无氟MXene量子点的制备方法。该方法基于三元过渡金属化合物Mn+1AlXn中Al原子体积小，正电荷数高，可极化性较低等优势，采用含有硬碱离子的HCl作为反应溶剂，在室温下和Al原子层一步反应，即可得到MXene量子点，大大简化了反应步骤、反应条件温和，反应收率高。
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公开(公告)号：CN110190286A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910437181.7
申请日：2019-05-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于原位生长的垂直石墨烯-铜箔复合集流体的制备方法，属于锂离子电池技术领域，本发明通过等离子体增强化学气相沉积法原位制备垂直石墨烯-铜箔复合集流体，制备出的石墨烯-铜箔复合集流体表面具有微米级花瓣状结构，其接触角范围为125-143.5°，具有超疏水亲油特性，能够有效的改善集流体与活性物质界面的浸润性，增加接触面，提高结合强度，使活性物质不易脱落，从而降低界面阻抗；并且促进由此集流体制得负极与电解液的浸润，使电解液与负极活性物质充分接触，增加接触面积，减少电池极化。本发明的方法操作简单，成本较低，适于大规模生产。
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公开(公告)号：CN118895129A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410933001.5
申请日：2024-07-12
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , H10K50/115 , H10K50/84
Abstract: 本发明公开了一种聚合物杂化的高导钙钛矿量子点的制备方法，选用具有周期性官能团的导电聚合物作为配体参与反应，与钙钛矿表面以多位点的方式结合，提高配体的解离能，抑制表面缺陷位点的形成，同时构建从聚合物到钙钛矿量子点的能量转移通道，提高钙钛矿量子点的荧光效率和光物理性质。具有疏水特性的导电聚合物在量子点表面形成了具有自愈能力的表面配体层(或者叫做可逆解吸的配体层)，提高钙钛矿量子点环境抗性的同时优化了晶体结构的稳定性和电化学稳定性。基于本发明的聚合物杂化，有助于载流子在量子点间传输，实现量子点具有高稳定性、高荧光量子效率的同时，还具备高导电性，可实现高效光电器件的制备。
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公开(公告)号：CN118978907A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411067611.8
申请日：2024-08-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种硫族化合物/钙钛矿异质结构的制备方法，其特征在于，该方法至少包括：将活化的钙钛矿纳米晶CsPbX3先与硫族化合物阳离子前驱体混合均匀，然后加入硫族化合物阴离子前驱体，使得硫族化合物在钙钛矿表面外延生长，得到多维硫族化合物/钙钛矿异质结构。其中活化的钙钛矿表面的硫族原子显著降低硫族化合物在钙钛矿表面外延生长动力学势垒，有助于硫族化合物在钙钛矿表面的外延生长。配体工程调控硫族化合物前驱体的活性，有利于阳离子附着在钙钛矿表面和取向生长。本发明是定向合成多维硫族化合物/钙钛矿异质结方法的重大突破。
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