一种n型有机半导体晶体材料及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN105862133A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201510035770.4

    申请日:2015-01-23

    发明人: 王伟 江鹏

    摘要: 本发明涉及一种分子自组装的n型有机半导体晶体材料,所述用于自组装的分子结构式选自结构式I,其中,R1为取代的烷基,取代基为烷基,取代位置是与氮原子相邻的前三个碳原子之一;或者R1为末端被二烷胺基取代的直链烷基;所述n型有机半导体晶体材料为二维有序的单层膜结构。本申请创造性地提出了苝酰亚胺衍生物自组装制备n型半导体晶体材料的方法,所述方法简单易操作;本发明提供的n型半导体晶体材料具有高的电子迁移率,制备得到的光电子器件和太阳能电池具有更高的效率。

    一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法

    公开(公告)号:CN103046110B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201110310282.1

    申请日:2011-10-13

    摘要: 本发明提供了一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法,所述Bi2Se3纳米结构包括纳米带和纳米片,Bi2Se3纳米带的宽度为50nm~4μm,长度为1~200μm,Bi2Se3纳米片的直径为50nm~20μm。本发明采用高温热蒸发和气相传输的方法,以Bi粉和Se粉或Bi2Se3粉末为原料,在高温扩散炉中进行热蒸发,在衬底上获得Bi2Se3纳米结构。本发明的获得Bi2Se3纳米结构为高质量的单晶材料,合成过程不使用催化剂,避免了引入外来杂质对材料性质的影响,简单易行,重复性好,原料和衬底易得,制备成本低廉。

    一种锥形氧化锌亚微米棒及其阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN102912436B

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201110224413.4

    申请日:2011-08-05

    发明人: 王兵 江鹏 王中林

    摘要: 本发明涉及一种以普通硅片为基底通过气相蒸镀法生成的亚微米级的具有六方柱锥形的氧化锌棒的制备方法。首先,将ZnO粉末与C粉按照一定的质量比均匀混合,混合均匀后放入石英舟内,在石英舟上放置一片普通硅片,然后一起放入水平管式气相反应炉内,加热至一定温度,加热过程通入氮气,加热到一定温度后,保温一段时间,并且通入氧气,最后将炉子自然冷却到室温。利用本方法制备锥形氧化锌亚微米结构成本较低,工艺、设备简单,安全可靠,通用性、可操作性强。该锥形氧化锌亚微米结构可用于高灵敏度气体传感器、压力传感器以及氧化锌压电发电机方面的应用。

    五重孪晶金银合金颗粒及其制备方法以及五重孪晶金颗粒及其制备方法

    公开(公告)号:CN103537707A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201210242219.3

    申请日:2012-07-12

    发明人: 江鹏 刘腾蛟 酉琪

    IPC分类号: B22F9/24 B22F1/00

    摘要: 本发明公开了由氯金酸、硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮、水和N,N-二甲基甲酰胺制备五重孪晶的十面体金银合金颗粒的方法并公开了由该方法制得的五重孪晶的十面体金银合金颗粒。公开了由氯金酸、上述五重孪晶的十面体金银合金颗粒、聚乙烯吡咯烷酮、水和N,N-二甲基甲酰胺制备五重孪晶金颗粒的方法并公开了由该方法制备的类椭球体的五重孪晶金颗粒、全部晶面均为{110}晶面的五边形十二面体的五重孪晶金颗粒、部分晶面为{110}晶面的五边形星的五重孪晶金颗粒和部分晶面为{110}晶面的截角十面体的五重孪晶金颗粒。本发明首次使得五重孪晶结构和较高能的{110}面相结合,从而使得五重孪晶金颗粒具有更多的形貌决定的物理化学性质。

    一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法

    公开(公告)号:CN102339756B

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201010238835.2

    申请日:2010-07-26

    IPC分类号: H01L21/34 H01L29/786

    摘要: 本发明提供一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法。该修饰方法,包括以下步骤:1)配制ZnO前驱体溶液;2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中,再放入烘箱中反应,以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层,其中所述烘箱中的反应温度为75℃~90℃。该修饰方法不仅增加了ZnO薄膜晶体管输出电流和迁移率,而且制备过程简单、无需高温、可控性好,适合于基于柔性衬底的器件制备,为开发大面积柔性平板显示提供了一种新的途径。

    一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法

    公开(公告)号:CN103046110A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201110310282.1

    申请日:2011-10-13

    摘要: 本发明提供了一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法,所述Bi2Se3纳米结构包括纳米带和纳米片,Bi2Se3纳米带的宽度为50nm~4μm,长度为1~200μm,Bi2Se3纳米片的直径为50nm~20μm。本发明采用高温热蒸发和气相传输的方法,以Bi粉和Se粉或Bi2Se3粉末为原料,在高温扩散炉中进行热蒸发,在衬底上获得Bi2Se3纳米结构。本发明的获得Bi2Se3纳米结构为高质量的单晶材料,合成过程不使用催化剂,避免了引入外来杂质对材料性质的影响,简单易行,重复性好,原料和衬底易得,制备成本低廉。

    一种氧化锌纳米发电机及其制造方法

    公开(公告)号:CN102709464A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210162652.6

    申请日:2012-05-23

    摘要: 本发明提供一种氧化锌纳米发电机的制造方法,包括:1)在衬底上镀一层钛层;2)再镀一层金层;3)将衬底漂浮在六水合硝酸锌和六次甲基四胺的水溶液的面,并使镀金的一面向下,在加热的条件下生长,得到氧化锌纳米线层;4)在氧化锌纳米线层上旋涂PMMA层,其中PMMA将氧化锌纳米线包裹在其中,并露出氧化锌纳米线的端部,然后固化PMMA;5)镀一层金层;6)再镀一层钛层。

    氧化锌和硫化锌纳米带复合异质结材料和制备方法

    公开(公告)号:CN101607689B

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200810115129.1

    申请日:2008-06-17

    摘要: 本发明涉及氧化锌和硫化锌纳米带复合异质结材料,该材料包括氧化锌纳米带底层和生长在氧化锌纳米带底层上的硫化锌纳米带层,一梳齿状氧化锌纳米带的梳齿形成在氧化锌纳米带底层的(0001)-Zn面上,并且露出所述的硫化锌纳米带层。该制备方法为:将装有等质量的硫化锌与石墨粉混合物的瓷舟放入石英管式炉中,将装载硅衬底的开口小石英管放置在下气流的位置;将整个体系密闭抽真空,并升高到预定温度,再通入惰性气体,反应完毕待整个体系冷却后,在衬底表面将沉积一层氧化锌纳米带/硫化锌纳米带/氧化锌纳米齿复合异质结材料。该材料具有氧化锌和硫化锌两种材料的物理特性,可用于催化剂、高灵敏性传感器及异质结发光器件材料。

    一种锌二次电池用电解液及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN112467234B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202011551170.0

    申请日:2020-12-24

    IPC分类号: H01M10/36

    摘要: 本发明提供了一种锌二次电池用电解液及其制备方法和用途。所述电解液包括溶剂、锌盐和添加剂;所述添加剂中包括至少一个氨基酸结构。所述制备方法包括:将锌盐溶于溶剂中,随后加入添加剂,混合,得到所述锌二次电池用电解液;其中,所述添加剂中包括至少一个氨基酸结构。本发明提供一种含有一个或多个氨基酸结构的分子作为添加剂的锌二次电池用电解液,从根本上出发解决了锌的沉积不均匀导致的锌枝晶的出现和电解液对锌片腐蚀导致的胀气问题,从而提高了锌二次电池的安全性。同时成本低,制备方法简单,易于生产。