横向半导体器件及制造方法

    公开(公告)号:CN118248739A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410669075.2

    申请日:2024-05-28

    Abstract: 本发明涉及半导体领域,提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极,以及位于漂移区一侧的浮空场板结构;浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板,级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连,第一级多晶硅场板与栅极相连,最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构,通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来,从而调制漂移区表面及内部的电场,使漂移区的电场峰值得到有效降低,击穿电压得到提高,同时衬底辅助耗尽效应得以减弱,漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展,降低了横向半导体器件的制造难度。

    一种计量设备软件可靠性评估与分析的方法

    公开(公告)号:CN112749086A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202110036065.1

    申请日:2021-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种计量设备软件可靠性评估与分析的方法,步骤一:建立智能计量设备软件漏洞测试库,它的主要功能是存储已知针对智能计量设备软件收集和检测出来的具体漏洞信息,根据这些信息形成具体的软件设备故障模型,用于对该设备的后续漏洞分析以及故障行为分析;弥补传统计量软件可靠性评估与分析方法的不足,考虑了软件架构方面存在的问题,通过分析软件架构方面存在的问题更易发现软件漏洞存在的位置,针对后续设计软件可靠性与安全性测试体系模型更具有针对性和可行性;本发明对软件设备以及各个逻辑节点之间的关系进行了全面监控,对软件设备的漏洞以、缺陷以及警告信息进行了分析。

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