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公开(公告)号：CN106201912B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201510232662.6
申请日：2015-05-08
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种内存访问方法，用于降低计算机系统的功耗。本发明实施例方法包括：在SCM处于关闭状态且DRAM处于开启状态时，确定计算机系统的负载状态；若计算机系统处于低负载状态，则开启SCM，并将DRAM中的数据写入SCM；当将DRAM中的数据写入SCM后，关闭DRAM。本发明实施例提供的方法在计算机系统处于高负载状态时，使用DRAM作为内存，能够满足高负载计算机系统对容量和速度的需求；在计算机系统处于低负载状态时，使用SCM作为内存，能够减少内存刷新造成的功耗。本发明实施例还提供了相关的计算机系统。
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公开(公告)号：CN105225676B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201410314629.3
申请日：2014-07-03
Abstract: 本发明的实施例提供一种数据读写方法及装置，涉及通信领域，解决了现有技术中进行读操作后新型存储介质中的数据遭到破坏导致丢失的问题，进而保证了新型存储介质中数据的完整性。该方案包括：接收驱动电流，所述驱动电流用于驱动所述新型存储介质处于可读写状态；从所述新型存储介质中读出第一数据；将所述驱动电流的方向置反；将所述第一数据写回至所述新型存储介质。
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公开(公告)号：CN105096963B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410173016.2
申请日：2014-04-25
CPC classification number: G11C11/1675 , G11B5/012 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11C11/16 , G11C19/0841
Abstract: 本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器，写装置包括：第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，第一信息存储区与信息缓存区之间存在第一区域，第二信息存储区和信息缓存区之间存在第二区域，第一信息存储区、第二信息存储区和信息缓存区采用第一磁性材料构成，第一区域和第二区域采用第二磁性材料构成，第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能；第一信息存储区，用于向信息缓存区写入第一数据；第二信息存储区，用于向信息缓存区中写入第二数据；信息缓存区，用于缓存从第一信息存储区或第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入磁性存储器的一个磁畴中。能够保证磁性存储器的写入的稳定性。
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公开(公告)号：CN104575582B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201310496705.2
申请日：2013-10-21
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度、降低功耗和制造成本。其中，一种存储单元包括：梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域和梳柄，第一存储区域和第二存储区域包括两个以上存储条；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动。
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公开(公告)号：CN106406492A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510460606.8
申请日：2015-07-30
Abstract: 本发明实施例提供一种混合存储设备、计算机、控制设备、及降低功耗的方法。所述混合存储设备包括控制器、易失性存储单元及非易失性存储单元。所述混合存储设备在第一工作模式下时，所述易失性存储单元为开启态，所述非易失性存储单元为关闭态，在第二工作模式下，所述非易失性存储单元为开启态，所述易失性存储单元为关闭态；在所述混合存储设备运行在所述第一工作模式时，当所述控制器侦测到所述计算机的运行指标满足第一切换条件时，开启所述非易失性存储单元，拷贝所述易失性存储单元中的数据至所述非易失性存储单元中，并将所述混合存储设备切换到第二工作模式。使用本发明可以有效减少所述易失性存储单元产生的背景功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106201912A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510232662.6
申请日：2015-05-08
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明实施例公开了一种内存访问方法，用于降低计算机系统的功耗。本发明实施例方法包括：在SCM处于关闭状态且DRAM处于开启状态时，确定计算机系统的负载状态；若计算机系统处于低负载状态，则开启SCM，并将DRAM中的数据写入SCM；当将DRAM中的数据写入SCM后，关闭DRAM。本发明实施例提供的方法在计算机系统处于高负载状态时，使用DRAM作为内存，能够满足高负载计算机系统对容量和速度的需求；在计算机系统处于低负载状态时，使用SCM作为内存，能够减少内存刷新造成的功耗。本发明实施例还提供了相关的计算机系统。
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公开(公告)号：CN104795086A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410028573.5
申请日：2014-01-21
IPC: G11C5/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法，减少整个存储阵列的功耗，提升存储容量。存储阵列包括：存储单元，其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连，其读写装置包括第一端口和第二端口，其存储区域包括第三端口和第四端口，对于一个存储单元，第一端口与第二列选通管相连，第二端口通过第一开关管与行译码器相连，第三端口通过第二开关管连接至第一列选通管和行译码器，第四端口通过第三开关管连接至第一列选通管和行译码器；通过对阴极总线、阳极总线、行译码器与第一列选通管的控制，选通存储单元和输入进行移位操作的信号；通过对行译码器与第二列选通管的控制，选通读写装置和输入进行读写操作的信号。
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公开(公告)号：CN104425707A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310382143.9
申请日：2013-08-28
Abstract: 本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法，包括：通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。相应地，本发明实施例还提供磁性存储轨道的制备设备和磁性存储轨道。本发明实施例可以提高制造磁性存储轨道的效率。
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公开(公告)号：CN119558479A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411733892.6
申请日：2024-11-29
Inventor： 许唐云 , 钱徐喆 , 奚增辉 , 姚嘉敏 , 游本垚 , 万励 , 纪宇诚 , 黄兴德 , 林伟 , 张梦翰 , 杨伟 , 孙毅 , 王天栋 , 秦伯韡 , 吴裔 , 张梦圆 , 郑成 , 刘子腾
Abstract: 本发明涉及一种电力电量积温效应时长预测方法、装置和介质，方法包括以下步骤：获取原始数据，将原始数据划分为多组数据，分别对各组内高温时间段温敏负荷数据与温度数据进行小波变换，得到时频分布数据；利用频域因果分析法，综合时频分布数据进行因果推断，得到温度对温敏电力电量数据的因果效应，确定显式因果关系出现的时间；采集连续多日的每日负荷数据、每日电量数据与每日温度数据，作为待分析数据；利用高阶格兰杰因果方法，根据待分析数据预测积温效应的持续时间。与现有技术相比，本发明具有准确度高、可解释性强等优点。
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