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公开(公告)号：CN108807663A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810379752.1
申请日：2018-04-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01F10/329 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01P1/218 , H03H2/00 , H03H11/04 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种作为高频滤波器等高频器件起作用的磁阻效应器件。该磁阻效应器件具备：第一端口；第二端口；磁阻效应元件；第一信号线路，其与上述第一端口连接，并对上述磁阻效应元件施加高频磁场；第二信号线路，其将上述第二端口和上述磁阻效应元件相连；以及直流施加端子，其能够连接在上述磁阻效应元件的层叠方向上施加直流电流或直流电压的电源，上述第一信号线路在上述磁阻效应元件的层叠方向或与层叠方向正交的面内方向的位置具有沿第一方向延伸的磁场发生部，在从配置有上述磁场发生部的上述层叠方向或上述面内方向观察时，上述磁场发生部和上述磁阻效应元件具有重叠的部分。
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公开(公告)号：CN108780779A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016326.5
申请日：2017-06-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/8239 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中，具备：反铁磁性驱动层(1)，其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成；磁耦合层(2)，其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(1)磁耦合；第一电极层(5)，其与第一区域(1a)接合；以及第二电极层(6)，其与第二区域(1b)接合。
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公开(公告)号：CN105917411B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201580004716.1
申请日：2015-01-19
Applicant: 高通股份有限公司
Inventor： 文清·吴 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/18 , G11C11/5607 , H01L43/14
Abstract: 本发明的系统和方法是针对多电平单元MLC，其包括：耦合到共同存取晶体管的两个或更多个可编程元件，其中所述两个或更多个可编程元件中的每一者具有一组对应的两个或更多个唯一切换电阻和两个或更多个切换电流特性，以使得在相应两个或更多个切换电阻中配置的所述两个或更多个可编程元件的组合对应于多位二进制状态，所述多位二进制状态可通过使切换电流通过所述共同存取晶体管来控制。所述两个或更多个可编程元件中的每一者包含一或多个混合巨自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM单元，其中两个或更多个混合GSHE‑STT MRAM单元并联耦合。
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公开(公告)号：CN105027085B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480013302.0
申请日：2014-02-27
Applicant: 美光科技公司
CPC classification number: G06F11/0751 , G06F11/0727 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1677 , G11C29/021 , G11C2029/0411
Abstract: 本发明涉及选择性地执行从存储器的具有增加的准确度的读取，例如自参考读取。在一个方面中，从存储器阵列的例如磁阻式随机存取存储器MRAM单元的存储器单元读取数据。响应于检测到与从所述存储器单元的读取相关联的条件，可执行从所述存储器单元中的至少一者的自参考读取。举例来说，所述条件可指示从所述存储器单元读取的数据不可经由错误校正码ECC的解码校正。与总是执行自参考读取相比，选择性地执行自参考读取可减少与从所述存储器的读取相关联的电力消耗及/或等待时间。
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公开(公告)号：CN104766622B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510172490.8
申请日：2015-04-13
Applicant: 深圳市飞马与星月科技研究有限公司
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种单电源的保留寄存器，该保留寄存器包括寄存器主级电路、寄存器从级电路和由STT‑MTJ构成数据存储单元的STT‑MTJ读写电路；寄存器主级电路的输入端为该保留寄存器的信号输入端，寄存器主级电路的输出端与寄存器从级电路的输入端连接；寄存器从级电路的输出端为该保留寄存器的信号输出端；STT‑MTJ读写电路与寄存器从级电路连接。本发明还公开了一种集成电路。本发明单电源的保留寄存器具有待机功耗小及布局布线简单的优点；并且，本发明还具有电路结构简单及易实现的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104871248B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201380066504.7
申请日：2013-12-20
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C2211/5643 , Y10T29/49117
Abstract: 用于集成式磁阻随机存取存储器(MRAM)模块的系统和方法。集成电路包括集成在第一芯片上的没有末级高速缓存的处理器、集成在第二芯片上的包括MRAM末级高速缓存和MRAM主存储器的MRAM模块，其中该MRAM模块是制造为单片封装或多个封装的统一结构。第二封装进一步包括存储器控制器逻辑。简化的接口结构配置成耦合第一和第二封装。该MRAM模块设计成实现高速度、高数据保持性、MRAM末级高速缓存与MRAM主存储器之间的进取式预取、改进的页处置、以及改进的可伸缩性。
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公开(公告)号：CN105950941B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201610308496.8
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国科学院物理研究所
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种磁性斯格明子材料，其化学通式为(Mn100‑δNiδ)αGaβ，其中，61.6≤α≤69，15≤δ≤50，31≤β≤38.4，α+β＝100，α、β、δ表示原子百分比含量。本发明的材料具有稳定的宽温域室温磁性斯格明子纳米磁筹结构，作为磁存储单元可在室温稳定工作，是理想的磁存储和信息转换等自旋电子学器件的候选材料。
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公开(公告)号：CN107195320A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710122445.0
申请日：2012-11-26
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/02
Abstract: 本发明公开一种存储设备，包括：具有磁化的存储元件，其中磁化方向配置为通过施加流过所述存储元件的电流而改变，所述存储元件包括Co‑Fe‑B磁性元件以及至少一个非磁性元件；磁化固定元件；非磁性材料，设置在所述存储元件和所述磁化固定元件之间；以及氧化物材料，作为非磁性材料设置在所述存储元件的相反侧上，其中所述氧化物材料包括Li。
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公开(公告)号：CN104781886B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201380059592.8
申请日：2013-06-26
Applicant: 英特尔公司
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/5607 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0054
Abstract: 在一些实施例中，检测电阻存储器单元中的电阻可以使用脉冲边沿来完成。例如，可以通过电阻存储器数据单元施加一个脉冲，通过参考延迟电路施加另一个脉冲，以便确定哪条路径具有较大延迟，以便确定考虑中的数据单元的电阻状态。
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公开(公告)号：CN104584250B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380043271.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L43/02
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/18 , H01F10/1933 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/325 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明描述了适用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的磁性隧道结(MTJ)，其包括垂直磁层、以及由结晶阻碍层而与自由磁层分开的一个或多个各向异性增强层。在实施例中，各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向，而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构与隧穿层的晶体织构的更好的对准来改善隧道磁致电阻(TMR)比。
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