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公开(公告)号：CN111117611A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010067205.7
申请日：2020-01-20
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种浓度依赖荧光可调固态红光碳量子点及其制备方法，是以间苯三酚为碳源，乙二胺为氮源，硼酸为硼源，在水与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶液中常压加热反应制备得到的碳量子点。本发明制备得到了一种在固态下具有明亮红色荧光的、在不同浓度溶液中具有不同发光颜色的碳量子点，其独特的浓度依赖荧光可调特性，使其适合于作为荧光发光材料用于制备多色发光二极管。
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公开(公告)号：CN111054408A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911259671.9
申请日：2019-12-10
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种多孔镍钼基纳米片双功能电催化剂的制备方法，属于电化学电极材料技术领域，具体为以泡沫镍为基体，利用水热法及随后的热处理、掺杂磷，制备多孔镍钼基纳米片双功能电催化剂材料的方法，反应温度为300-360℃，反应时间1.5-2.5 h，升温速率为1.5-2.5℃/min；得到磷掺杂多孔NiMoO4纳米片；并且直接作为工作电极，该工作电极具有优异的双功能电催化性能；OER催化活性提高可归因于多孔结构的形成，HER催化活性提高可归因于P掺杂引起的电子结构的优化及多孔结构。
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公开(公告)号：CN108336195B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810024739.4
申请日：2018-01-11
申请人： 太原理工大学
摘要： 一种InGaN薄膜的制备方法，属于光电子材料与器件技术领域，可解决现有外延生长高质量的InGaN薄膜中In偏析带来的表面粗糙，相分离和缺陷的问题，包括先在衬底上依次生长GaN成核层、GaN非故意掺杂缓冲层，中高温GaN层，然后生长InGaN薄膜。本发明采用数字合金生长技术外延InGaN薄膜，通过形成多个In(Ga)N/Ga(In)N异质界面以及在生长及中断过程中引入小流量氢气减小薄膜应力以及缺陷密度。生长结束后对薄膜进行退火处理，则有利于表面原子重构以及释放应力，进一步提高了InGaN外延薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN110723722A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911044372.3
申请日：2019-10-30
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明公开了一种基于多发射峰的固态黄光碳量子点复合物及其制备方法，是以邻苯二甲酸为碳源，甲酰胺为氮源，加入或不加溶剂丙三醇，采用溶剂热法直接制备得到固态黄光碳量子点复合物荧光产物。本发明制备的固态黄光碳量子点复合物能够在固态下发射明亮的多峰宽光谱黄色荧光，并有效避免固态下的聚集诱导荧光猝灭效应，可以作为荧光粉应用于白光发光二极管的制备。
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公开(公告)号：CN110517950A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910686402.4
申请日：2019-07-29
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/56
摘要： 本发明属于GaN薄膜制备技术领域，提供了一种在金刚石衬底上制备闪锌矿GaN薄膜的方法。先对金刚石衬底用XeF2等离子体进行氟化处理，处理后的金刚石表面形成C-F键，C-F键作为形核位点；然后将金刚石衬底置于MOCVD反应室内生长GaN形核层，再对形核层退火处理，最后合并生长形成闪锌矿GaN薄膜。以金刚石作为热沉衬底生长闪锌矿GaN薄膜的方法，对实现GaN基高效绿光LED器件及其散热具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110368944A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910502471.5
申请日：2019-06-11
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： B01J23/755 , B01J35/10 , B01J35/02 , C25B1/04 , C25B11/06
摘要： 本发明涉及新型二维材料制备领域，具体为一种α-NixFey(OH)2电催化剂的制备方法及其在工作电极中的应用。本发明利用硼氢化钠作为“发泡剂”和共沉淀剂快速制备铁掺杂α相氢氧化镍多孔纳米片（α-NixFey(OH)2）材料的方法，并且利用铁掺杂α相氢氧化镍多孔纳米片制备获得工作电极，该工作电极具有优异的析氧性能。在此，通过使用NaBH4作为“发泡剂”和共沉淀剂，快速制备了铁掺杂α相氢氧化镍多孔纳米片材料（α-NixFey(OH)2）,并具有优异OER性能。催化活性提高可归因于Ni和Fe之间强烈的电子相互作用以及多孔结构。
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公开(公告)号：CN107425137B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710333608.X
申请日：2017-05-12
申请人： 太原理工大学
摘要： 一种结构简单的高CRI白光OLED器件，所述器件的功能层由空穴传输层、第一电子传输层、电子阻挡层、第二电子传输层和电子注入层构成，空穴传输层与第一电子传输层的界面形成黄色荧光发射的激基复合物，第二电子传输层材料实现蓝光发射，电子阻挡层使器件实现激基复合物黄光及第二电子传输层蓝光的同时发射。本发明的白光OLED器件结构极其简单，通过4个非掺杂的有机材料功能层就实现了发光光谱宽、CRI高的蓝‑黄双色全荧光白光发射。
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公开(公告)号：CN109935702A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910188675.6
申请日：2019-03-13
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及一种太阳能电池板的制备方法，是针对太阳能电池光转换效率低、稳定性差的情况，采用导电玻璃ITO做阳极层，有色金属铝做阳极层，增设了阴极缓冲层，先配制碳点、氧化锌前驱体溶液，通过旋涂、蒸镀阴极缓冲层、有机活性层、阳极缓冲层、金属阳极层，制得太阳能电池板，提高了太阳能电池板对电子的提取和传输能力，降低了器件的阻抗，能量转换效率高，稳定性好，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，是先进的用碳点、氧化锌做阴极缓冲层的太阳能电池板的制备方法。
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公开(公告)号：CN109702028A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811587031.6
申请日：2018-12-25
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： B21C23/00 , B21C23/21 , B21C23/32 , B21C25/02 , B21C29/00 , B21C31/00 , B21C43/00 , B08B3/12 , C22F1/06 , B24B1/00
摘要： 本发明属于有色金属塑性加工技术领域，具体是一种高性能镁合金管材的挤压加工方法。解决了现有镁合金加工方法存在单次挤压变形量较小以及样品尺寸小且组织不均匀的技术问题。本发明在筒形挤压模具内、在加热状态下，对镁合金坯料进行挤压加工，使镁合金坯料由棒状变为管状，然后镁合金管材通过波纹状剪切挤压通道，且管材通过波纹状剪切挤压通道前后的直径不变，在此过程中产生多次剪切变形，既可细化晶粒组织，又可弱化基面织构，提高综合力学性能，应用范围较广。最终可制备出晶粒尺寸为500nm左右的高性能镁合金管材。
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公开(公告)号：CN109702027A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811586732.8
申请日：2018-12-25
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： B21C23/00 , B21C23/21 , B21C23/32 , B21C25/02 , B21C29/00 , B21C31/00 , B21C43/00 , B08B3/12 , C22F1/06 , B24B1/00
摘要： 本发明属于有色金属塑性加工技术领域，具体是一种高性能镁合金管材的挤压装置及加工方法。解决了目前镁合金加工方法存在需往复循环以及产品组织不均匀的技术问题。本发明通过在筒形挤压模具内、在加热状态下，对镁合金坯料进行挤压加工，使镁合金坯料由棒状变为管状，然后镁合金管材通过波纹状剪切挤压通道且管材直径逐渐变小、壁厚不断变化，在此过程中产生多次剪切变形，既可细化晶粒组织，又可弱化基面织构，提高镁合金的综合力学性能，应用范围较广。最终可制备出晶粒尺寸为500nm左右的高性能镁合金管材。
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