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公开(公告)号：CN116902986A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310893070.3
申请日：2023-07-19
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： C01B33/037 , B03C1/02 , C30B28/06 , C30B29/06
摘要： 本发明提供了一种利用磁致分离及旋式定向凝固双重作用提纯硅料的方法，通过将硅料熔融并利用炉体旋转电机有效提高熔融物料的流动性，之后利用带电荷的金属杂质在高强度外加纵向定向磁场下的磁致定向分离作用及精确热平衡控制的定向凝固作用，使金属杂质在旋转流动的液体硅料中定向迁移并富集于上下表面；再经热平衡管理系统的精确降温梯度控制、定向凝固、去除硅锭头尾完成提纯得到太阳能级高纯度的晶硅。本发明不仅可以有效分离分凝系数小的杂质，还可以分离分凝系数较大的杂质；并且本发明施加的磁场较之电场不受导电性能限制，穿透性好，分离效果更好，效率更高，且安全性好。本发明提纯获得的晶硅纯度可达6N级，显著优于传统提纯效果。
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公开(公告)号：CN116564879A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310529748.X
申请日：2023-05-11
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/68
摘要： 本发明公开了一种半导体硅片表面液体清理设备，涉及半导体硅片清理技术领域；而本发明包括安装架，安装架的的内侧上端设有转动机构，且转动机构的内侧设有夹持机构；通过夹持机构的设置使用，为待清理半导体硅片的夹持固定提供了便利，且便于后期进行拆除，从而为使用者的操作提供了便利，通过转动机构、转换机构与清理机构的配合使用，为待清理半导体硅片的倾斜状态调节提供了便利，且能够通过安装板与弧形橡胶板带动待清理的半导体硅片做九十度的间歇性转动，从而能够使待清理的半导体硅片依次从四个角度进行间歇性倾斜，进而能够从四个角度依次通过负压吸嘴对待清理的半导体硅片进行吸液清理，进一步有效提高了清洁效果。
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公开(公告)号：CN116277554A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310398712.2
申请日：2023-04-14
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶硅锭切割设备，包括单晶硅锭切割设备主体、齿条、第三伺服电机和抽风机，所述单晶硅锭切割设备主体的表面装设有固定底座，所述单晶硅锭切割设备主体的表面开设有限位槽，所述限位槽的顶端装设有连接底座，所述连接底座的顶端固定连接有移动块，所述移动块的侧面固定连接有出气块。该单晶硅锭切割设备，抽风机通过分隔板和透气网格将灰尘吸附净抽风机内，灰尘会被过滤板内部的过滤棉和透气板过滤掉，第二伺服电机带动第一齿轮进行转动，第一齿轮通过齿条带动连接底座在单晶硅锭切割设备主体的表面滑动，增加动时的稳定性，滑动块带动夹持块向内侧移动夹持住单晶硅锭，使单晶硅锭切割时更加稳定。
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公开(公告)号：CN114574963B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210310364.4
申请日：2022-03-28
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
摘要： 本发明属于多晶硅铸锭设备技术领域，具体为一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统及控制方法，一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统，包括温度测量模块、高度统计模块、加热模块、功率调节模块、数据统计模块、温度对比模块和时间记录模块；所述温度测量模块包括炉内温度测量模块和炉表温度测量模块，所述炉内温度测量模块用于测量所述加热模块的温度，所述炉表温度测量模块用于测量多晶铸锭炉外表的温度；所述高度统计模块，用于带动所述炉表温度测量模块进行上下移动，本发明利用固液界面的增长速度来对加热模块需求的输出功率进行控制，进而避免对硅液的温度进行采集，从而提高温度输出功率的精准性。
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公开(公告)号：CN114808121A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210510136.1
申请日：2022-05-11
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
摘要： 本发明属于多晶铸锭炉技术领域，具体为一种用于多晶铸锭炉的导流装置及其使用方法，所述空心承重杆的外端下侧活动套设有空腔转盘，所述空心承重杆的外端下侧套设有恒星齿轮，所述空腔转盘的内腔中活动安装有行星齿轮，所述行星齿轮与恒星齿轮啮合，所述空腔转盘的外侧连接有分气板，所述分气板的本体上活动安装有转向轮，所述转向轮与行星齿轮之间铰接有传动杆，所述转向轮伸出分气板的一侧安装有活动喷头，所述转向轮的本体上开设有导气孔，本装置通过导入的惰性气体带动分气板及空腔转盘旋转，分气板会带动固定喷头和活动喷头旋转，固定喷头和活动喷头在转动中进行吹风，可以避免单一点的液态硅的温度过低。
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公开(公告)号：CN114754939A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210279434.4
申请日：2022-03-21
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
IPC分类号： G01M3/12
摘要： 本发明涉及多晶铸锭炉技术领域，公开了一种基于水封的检测多晶铸锭炉设备气密性的方法，S1：将多晶铸锭炉加热部件打开，将多晶铸锭炉内壁、外壁和水路中水分蒸发；S2：再将多晶铸锭炉内原料和杂质清空，并将多晶铸锭炉内阀门关闭，预留单一通管。本发明通过检测方法，通过对水路检测，多晶铸锭炉气密检查，可对多晶铸锭炉的裂缝进行初步位置判断，通过塑料套袋对应多晶铸锭炉嵌套，当氦气通过多晶铸锭炉的裂缝进入塑料套袋内时，吸附于多晶铸锭炉外壁的塑料套袋出现起伏状态，判断裂缝位置，有效地指明多晶铸锭炉的裂缝方位，大大提高了维修的效率，便于查出水路裂缝，避免水利漏检，避免工人反复寻找裂缝的时间。
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公开(公告)号：CN114574963A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210310364.4
申请日：2022-03-28
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
摘要： 本发明属于多晶硅铸锭设备技术领域，具体为一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统及控制方法，一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统，包括温度测量模块、高度统计模块、加热模块、功率调节模块、数据统计模块、温度对比模块和时间记录模块；所述温度测量模块包括炉内温度测量模块和炉表温度测量模块，所述炉内温度测量模块用于测量所述加热模块的温度，所述炉表温度测量模块用于测量多晶铸锭炉外表的温度；所述高度统计模块，用于带动所述炉表温度测量模块进行上下移动，本发明利用固液界面的增长速度来对加热模块需求的输出功率进行控制，进而避免对硅液的温度进行采集，从而提高温度输出功率的精准性。
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公开(公告)号：CN113774481A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111053457.5
申请日：2021-09-09
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
摘要： 本发明公开的属于多晶硅铸锭炉技术领域，具体为一种多晶铸锭炉溢流保护系统，包括炉体，所述炉体的上端横向设置有顶盖，所述顶盖的下端与所述炉体上端开设的炉口卡接，所述炉体的内部固定设置有保温筒，所述保温筒的内部固定设置有坩埚，所述坩埚的上端横向设置有密封盖，所述密封盖的下侧壁固定设置有环形板，所述环形板的内壁固定设置有溢流棉层，所述环形板与所述坩埚的侧壁卡接，便于有效防止坩埚内部的多晶硅在融化时，直接通过坩埚口溢出，从而造成意外的损伤，大大提高多晶硅加工的安全性。
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公开(公告)号：CN112092221A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910519035.9
申请日：2019-06-17
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
发明人： 杨定勇
IPC分类号： B28D5/00
摘要： 本发明涉及多晶硅生产技术领域，且公开了一种多晶硅切割用定位晶托的锁紧装置，包括底座、侧限位板和多晶硅锭，所述底座的顶部开设有第一滑槽，所述第一滑槽的内部且位于多晶硅锭的左侧和右侧均活动安装有侧限位板，所述第一滑槽的内壁左侧和内壁右侧均固定安装有延伸至侧限位板外壁并固定的复位弹簧。该多晶硅切割用定位晶托的锁紧装置，通过拧松固定螺母并向上滑动定位杆，定位杆通过限位块带动压紧弹簧向上移动，压紧弹簧通过滑板带动第二卡板脱离第一卡板，防止在拆卸多晶硅锭时第一卡板与第二卡板卡接造成拆卸不方便的情况发生，达到简单方便拆卸的效果，从而提高了该锁紧装置的实用性。
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公开(公告)号：CN112066671A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910499014.5
申请日：2019-06-11
申请人： 扬州晶樱光电科技有限公司
发明人： 杨定勇
摘要： 本发明涉及硅片生产技术领域，且公开了一种带有翻转装置的硅片烘干机，包括机体，所述机体内腔的左右侧壁均固定安装有固定架，两个所述固定架之间活动安装有转轴，所述转轴上固定安装有储物盒，所述储物盒的内部固定安装有储物板，所述储物板上开设有气孔，所述储物盒的外部开设有进气孔，所述机体内腔的顶壁固定安装有风罩，所述风罩的顶部连通有贯穿并延伸至机体顶部的加热筒。该带有翻转装置的硅片烘干机，通过进气孔进入储物盒内对储物板上的物件进行烘干，同时转动的过程中通过气孔使内部气流流通，从而达到更好的烘干效果，与此同时开关板翻转到下部打开，即可实现硅片从储物板上一次性倾倒到收集座内进行收集。
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