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公开(公告)号:CN109643739A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201780051332.4
申请日:2017-06-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池(100)在具有第一主面以及第二主面的矩形的半导体基板的第二主面具有第一导电型区域以及第二导电型区域。在半导体基板的第一方向中央区域(YC)中,沿着第二方向交替地配置有沿第一方向延伸的带状的第一导电型区域(111)和沿第一方向延伸的带状的第二导电型区域(112)。在第一方向端部区域(YE1、YE2)中,沿着第一方向交替地配置有沿第二方向延伸的带状的第一导电型区域(116a、118a)和沿第二方向延伸的带状的第二导电型区域(117a),沿着第一方向配置有至少2个第一导电型区域。
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公开(公告)号:CN107771360A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201680028660.8
申请日:2016-06-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池模块具有晶体硅太阳能电池(4)和与晶体硅太阳能电池电连接的互连器(3)。互连器的宽度为50μm以上且低于400μm,按照将多个指状电极横断而电连接的方式配置。晶体硅太阳能电池具有平行地排列而设置在光电转换部(50)上的多个指状电极(9),按照覆盖光电转换部的主表面及指状电极的方式设置有绝缘层(8)。在指状电极与互连器交叉的部分中,介由设置于指状电极与互连器之间的绝缘层中的开口部将指状电极与互连器电连接。
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公开(公告)号:CN107112375A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201680004555.0
申请日:2016-03-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池(100)具备设于半导体基板(10)的背面的第一导电型层(21)以及第二导电型层(22)、设于第一导电型层上的第一电极(41)和设于第二导电型层上的第二电极(42)。第一电极和第二电极分离,第一电极具有被配置在第一电极之间的第二电极隔开的多个区域。第一电极的多个区域各自具有非连接电极部(410)和电极高度比非连接电极部的电极高度大的配线连接用电极部(411)。在第一电极的邻接的两个区域中,将一个区域的配线连接用电极部的顶点和另一个区域的配线连接用电极部的顶点连结的虚拟线与配置在两个区域之间的第二电极不相交。
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公开(公告)号:CN102187471B
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN200980140938.0
申请日:2009-10-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法,该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1~12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明,在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场,因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下,也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此,晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能,能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号:CN102187471A
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN200980140938.0
申请日:2009-10-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法,该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1~12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明,在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场,因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下,也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此,晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能,能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。
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公开(公告)号:CN110313074B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN201880013431.8
申请日:2018-01-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及太阳能电池模块。太阳能电池模块(200)具备经由布线材料(83、84)连接多个太阳能电池(101、102、103)而得的太阳能电池串。太阳能电池(101)具有:光电转换部(50);设置于光电转换部的受光面的受光面电极(70);以及配置于光电转换部的背面的金属膜(5)。金属膜在其与布线材料的连接区域中,沿着布线材料的延伸方向具有多个开口。布线材料经由粘合层(89)而与金属膜、以及从金属膜的开口露出了的光电转换部或者固定于光电转换部上的电极连接。在金属膜与光电转换部之间存在非接合部(59)。
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公开(公告)号:CN114651336A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202080077495.1
申请日:2020-10-16
Applicant: 株式会社钟化
Inventor: 吉河训太
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明的太阳能电池(1)具备:半导体基板,其具有多个基底区域,该多个基底区域在第二主表面上在其整个长度上以沿着第一方向的方式相互隔开间隔而平行地配置;多个第一收集电极,其配置于半导体基板的第一主表面,并沿第一方向延伸;第一连接电极,其配置于半导体基板的第一主表面的在第一方向上的一个端部区域,并以将多个第一收集电极连接的方式沿与第一方向交叉的第二方向延伸;钝化层(50),其被层叠于半导体基板的第二主表面,并形成有使基底区域暴露的多个连接开口(51);多个第二连接电极(60),其以与连接开口(51)不重叠的方式沿第二方向排列地配置于在钝化层(50)的第一方向上靠与第一连接电极相反一侧的端部区域;以及第二收集电极(70),其跨在连接开口(51)内暴露的基底区域、钝化层(50)以及第二连接电极(60)配置,并使第二连接电极(60)的中央部暴露。
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公开(公告)号:CN111095573A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201880059014.7
申请日:2018-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种抑制由碱成分所引起的性能降低的太阳能电池。太阳能电池(1)为背面电极型的太阳能电池,其具备:半导体基板(11);依次层叠于半导体基板(11)的背面侧的一部分的p型半导体层(25)和与其对应的第一电极层(27);以及依次层叠于半导体基板(11)的背面侧的另一部分的n型半导体层(35)和与其对应的第二电极层(37),n型半导体层(35)的一部分直接重叠于邻接的p型半导体层(25)的一部分之上,第一电极层(27)与n型半导体层(35)偏离,包覆p型半导体层(25),第二电极层(37)包覆与p型半导体层(25)重叠的n型半导体层(35)的重叠部分(R1)的整体。
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公开(公告)号:CN111095571A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201880058091.0
申请日:2018-09-11
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 提供抑制电极层间的漏电流的增加、抑制填充因子的下降的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法,太阳能电池(1)具备:半导体基板(11),其在背面侧具有凹凸结构;第1导电型半导体层(25)和第1电极层(27),其层叠在半导体基板(11)的背面侧;以及第2导电型半导体层(35)和第2电极层(37),太阳能电池(1)的制造方法包含:电极材料膜形成工序,在第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)上,使用物理气相生长法形成电极材料膜;以及图案化工序,进行将电极材料膜的一部分除去的图案化,以在Y方向上延伸并且在与Y方向交叉的X方向上排列的方式形成带状的第1电极层(27)和第2电极层(37),在电极材料膜形成工序中,一边在X方向上搬运半导体基板(11),一边形成电极材料膜。
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公开(公告)号:CN107771360B
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201680028660.8
申请日:2016-06-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/05 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池模块具有晶体硅太阳能电池(4)和与晶体硅太阳能电池电连接的互连器(3)。互连器的宽度为50μm以上且低于400μm,按照将多个指状电极横断而电连接的方式配置。晶体硅太阳能电池具有平行地排列而设置在光电转换部(50)上的多个指状电极(9),按照覆盖光电转换部的主表面及指状电极的方式设置有绝缘层(8)。在指状电极与互连器交叉的部分中,介由设置于指状电极与互连器之间的绝缘层中的开口部将指状电极与互连器电连接。
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