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公开(公告)号：CN116995169B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311244885.5
申请日：2023-09-26
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型GaN层、复合P型接触层；所述复合P型接触层包括依次层叠在所述P型GaN层上的AlGaN/AlN超晶格层、GaN层和异质结空穴诱导层，所述异质结空穴诱导层包括P型AlxGa1‑xN势垒层和P型InyGa1‑yN帽层，其中，x的取值范围为0.1~0.5，y的取值范围为0.01~0.1。本发明提供的发光二极管外延片能够改善电流聚集效应，提升发光区面积，提升光萃取效率，增强抗反向击穿电压能力。
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公开(公告)号：CN117637943A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311532003.5
申请日：2023-11-16
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过设置一成核层，该成核层包括依次层叠的第一成核层和第二成核层，第一成核层和第二成核层均为AlN层，其中，生长第一成核层的温度、速度低于生长第二成核层的温度、速度，生长第一成核层的压力、Gap高度高于生长第二成核层的压力、Gap高度，生长第一成核层时通入NH3的流量大于生长第二成核层时通入NH3的流量，当第一成核层和第二成核层生长完成后，进行热处理，以去除杂晶和多晶态的物质，得到表面形貌清晰的成核层，具体的，该成核层的设置，可以为后续的缓冲层的生长垫定基础，便于得到晶体质量更优的缓冲层，最终达到提高内量子效率的目的。
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公开(公告)号：CN116646248B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310745389.1
申请日：2023-06-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种外延片制备方法及其外延片、高电子迁移率晶体管，所述方法包括提供一硅衬底；以氮气为载气，同时通入GeCl4和TMAl对所述硅衬底进行预处理形成Ge‑Al预铺层；依次在所述Ge‑Al预铺层上生长第一缓冲层、第二缓冲层、高阻缓冲层、沟道层、插入层、势垒层以及盖帽层。本发明解决了现有技术中在提高外延片击穿电压的时容易存在后续缓冲层表面形貌恶化、翘曲以及开裂的问题。
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公开(公告)号：CN117080328B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311317237.8
申请日：2023-10-12
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过设置周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，其中，量子阱层和量子垒层均为AlGaN层，生长量子阱层的过程中，控制Al组分进行三个阶段的变化；第一阶段，控制Al组分由初始组分逐渐降低至第一组分；第二阶段，控制Al组分至少存在一个变化周期，其中，一个变化周期为由第一组分阶段性增长至第二组分，稳定预设时间后，逐渐降低至第一组分；第三阶段，控制Al组分由第一组分阶段性增长至初始组分，具体的，由于引入一个新型的量子阱结构，既可以提高限制电子溢流的作用，同时可以调控阱垒的极化场，在一定程度上补偿原有量子阱内部的反向极化电场，最终达到提高内量子效率的目的。
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公开(公告)号：CN116960173B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311204131.7
申请日：2023-09-19
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/318
摘要： 本发明提供高电子迁移率晶体管外延结构及制备方法、HEMT器件，该外延结构包括Si衬底以及依次层叠在Si衬底上的CN预铺层、AlN缓冲层、复合层，在生长CN预铺层的过程中，通入C3H8和NH3，具体的，通过在Si衬底上沉积AlN缓冲层之前，对Si衬底进行预处理，即同时通入C3H8和NH3，以在Si衬底上生长一层CN预铺层，降低界面的背景载流子浓度，提高AlN缓冲层表面平整度，从而提高外延层晶体质量。
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公开(公告)号：CN117080324A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311184848.X
申请日：2023-09-14
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种内量子效率高的LED外延片及其制备方法、LED芯片，该外延片包括衬底，依次层叠于衬底之上的N型半导体层、有源区发光层、电子阻挡层与P型半导体层；其中，在N型半导体层内部还设有N型插入层，或者在N型半导体层与有源区发光层之间还设有N型插入层，为周期性层叠的超晶格结构，每一个周期均包括层叠设置的第一插入子层、第二插入子层、第三插入子层与第四插入子层，第一插入子层为AlN层，第二插入子层与第四插入子层均为AlGaN层，第三插入子层为GaN层，本发明通过在N型半导体内部或之后设置N型插入层，能够起到湮灭位错延伸、降低缺陷的作用，从而提升外延片的内量子效率，最终提升发光效率。
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公开(公告)号：CN116995169A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311244885.5
申请日：2023-09-26
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型GaN层、复合P型接触层；所述复合P型接触层包括依次层叠在所述P型GaN层上的AlGaN/AlN超晶格层、GaN层和异质结空穴诱导层，所述异质结空穴诱导层包括P型AlxGa1‑xN势垒层和P型InyGa1‑yN帽层，其中，x的取值范围为0.1~0.5，y的取值范围为0.01~0.1。本发明提供的发光二极管外延片能够改善电流聚集效应，提升发光区面积，提升光萃取效率，增强抗反向击穿电压能力。
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公开(公告)号：CN116995165A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311236566.X
申请日：2023-09-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlN缓冲层及其制备方法、紫外LED外延片，涉及半导体器件技术领域，该AlN缓冲层层叠于衬底上，AlN缓冲层包括：成核层、设于成核层上的第一岛状生长层、第二岛状生长层与三维岛合并层；其中，第二岛状生长层与三维岛合并层按预设周期交替层叠以将第一岛状生长层填充。本发明采用上述AlN缓冲层进行外延片的制作，可以降低缺陷和位错的密度，可以得到更好的晶体质量，可以有效的控制底层的应力快速累积，有效解决紫外外延片表面裂纹的缺陷，通过降低底层的位错和缺陷，可以减少非辐射复合，提高有源区的发光效率。
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