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公开(公告)号:CN114531857A
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN202080065237.1
申请日:2020-09-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/402 , B23K26/53 , H01L21/322
Abstract: 本发明的激光加工装置具备:平台,支撑具有半导体基板与功能元件层的晶圆;激光照射单元,从半导体基板的背面侧对晶圆照射激光;摄像单元,输出相对于半导体基板具有透射性的光,并检测在半导体基板中传播的光;和控制部,构成为实行:以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式,来控制激光照射单元;基于从摄像单元输出的信号,来判定是否为从改性区域延伸的龟裂到达半导体基板的表面侧的龟裂到达状态;以及基于判定结果,来导出与激光照射单元的照射条件的调整相关的信息。
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公开(公告)号:CN112789707A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201980065075.9
申请日:2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的检查装置包括:支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台;输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源;使在半导体衬底中传播的光透射的物镜;检测从物镜透射的光的光检测部;和检查部,其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之间的检查区域中,检查从最靠近背面的改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端位置,物镜从背面侧对焦到检查区域内。光检测部是检测在半导体衬底中从半导体衬底的正面侧传播到背面侧的光。
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