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    像素单元和阵列基板
    42.
    发明公开
    像素单元和阵列基板 失效

    公开(公告)号：CN103278974A

    公开(公告)日：2013-09-04

    申请号：CN201310198557.6

    申请日：2013-05-24

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 姚晓慧 ,  薛景峰 ,  许哲豪

    IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

    CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/134336

    摘要： 本发明公开一种像素单元和阵列基板。像素单元包括扫描线、数据线、焊盘、绝缘层和若干条状电极。扫描线沿第一延伸方向延伸，数据线沿第二延伸方向延伸，第一延伸方向与第二延伸方向相交。焊盘形成于扫描线和数据线相交处，且与扫描线和数据线电性连接。绝缘层覆盖扫描线和数据线，绝缘层设有过孔。若干条状电极相互平行且间隔设置，条状电极配置于绝缘层上并沿第三延伸方向延伸，第三延伸方向与第一延伸方向形成预定角度，若干条状电极通过过孔与焊盘电性连接。焊盘和条状电极均由透明导电材质制成，焊盘的形状为多边形，且焊盘的至少一边与第三延伸方向平行。实施本发明能够降低条状电极的电场受到的影响，有效抑制焊盘周围的“暗纹”现象。

    薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
    44.
    发明公开
    薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103227209A

    公开(公告)日：2013-07-31

    申请号：CN201310176072.7

    申请日：2013-05-13

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 薛景峰

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/41733

    摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，第一漏极与第一源极定义一第一U形沟道，第一U形沟道的开口朝第一方向设置，第二漏极和第二源极定义一第二U形沟道，第二U形沟道的开口朝不同于第一方向的第二方向设置，第二U形沟道的底部宽度大于第一U形沟道的底部宽度。本发明还公开了一种具有该薄膜晶体管的阵列基板和该阵列基板的制造方法。通过上述方式，本发明能够避免因薄膜晶体管U形沟道底部残留清洗液所导致的源极与漏极短路。

    液晶显示面板密封方法
    45.
    发明公开
    液晶显示面板密封方法 失效

    公开(公告)号：CN102707506A

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：CN201210176524.7

    申请日：2012-05-31

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 陈世烽 ,  许哲豪 ,  薛景峰

    IPC分类号： G02F1/1339

    CPC分类号： G02F1/1339

    摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板的密封方法，其包括在所述液晶显示面板中的第一基板上涂布密封框胶，其中，在涂布过程中，靠近涂布终点时偏向所述第一基板的内侧涂布所述密封框胶，以使所述涂布终点与涂布起点重合时，重复涂布的所述密封框胶偏向于所述第一基板的内侧。通过上述方式，本发明能够有效地减小所述液晶显示面板的边框，符合目前液晶显示面板窄框化的发展趋势。

    完成小线距的导线制作方法
    46.
    发明公开
    完成小线距的导线制作方法 无效

    公开(公告)号：CN102402138A

    公开(公告)日：2012-04-04

    申请号：CN201110369499.X

    申请日：2011-11-18

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 薛景峰 ,  许哲豪

    IPC分类号： G03F7/42

    CPC分类号： G03F7/42

    摘要： 本发明公开一种完成小线距导线制作方法。所述导线制作方法是先于导体层上涂布光阻，经过曝光显影后，进一步通过灰化处理来完全移除光阻对应曝光区域的部份，再进行导体层的蚀刻步骤，以形成所需导线。本发明所提供的方法可在有限曝光精度的曝光显影设备下，于基板上制作出符合微小线距需求的导线图案。

    薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法
    47.
    发明公开
    薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN102280408A

    公开(公告)日：2011-12-14

    申请号：CN201110176756.8

    申请日：2011-06-28

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 许哲豪 ,  薛景峰 ,  姚晓慧

    IPC分类号： H01L21/77

    CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139

    摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法。此制造方法包括如下步骤：依序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及光阻层于所述透明基材上；利用多段式调整光掩膜来图案化光阻层；形成源电极及漏电极于沟道的相对两侧；加热光阻层；蚀刻所述半导体层；移除所述光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，本发明可减少制程的光掩膜数，且仅需对金属进行一次湿蚀刻。

    薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法
    48.
    发明公开
    薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102254861A

    公开(公告)日：2011-11-23

    申请号：CN201110229711.2

    申请日：2011-08-11

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 薛景峰 ,  许哲豪 ,  姚晓慧

    IPC分类号： H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231

    摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管矩阵基板及显示面板的制造方法。此制造方法包括如下步骤：依序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层、电极层及第一光阻层于所述透明基材上；图案化所述第一光阻层；蚀刻所述欧姆接触层及所述电极层；涂布第二光阻层于所述图案化第一光阻层上，以及沟道内；移除所述图案化第一光阻层上的所述第二光阻层，并保留所述沟道内的所述第二光阻层；蚀刻所述半导体层；移除所述图案化第一光阻层及所述第二光阻层；形成保护层于所述沟道、所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，本发明可减少制程的光掩膜数，且仅需对金属进行一次湿蚀刻。

    液晶显示设备及立体影像显示设备
    50.
    发明授权
    液晶显示设备及立体影像显示设备 失效 质押

    公开(公告)号：CN102890363B

    公开(公告)日：2016-06-01

    申请号：CN201210377417.0

    申请日：2012-10-08

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 许哲豪 ,  陈政鸿 ,  薛景峰

    IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1362 ,  G02B27/26

    摘要： 本发明公开了一种液晶显示设备，其包含：至少一扫描线；至少一数据线，与所述扫描线相互垂直；一第一像素，包含一第一主像素与一第一次像素，所述第一主像素与所述第一次像素沿着所述扫描线的延伸方向排列；一第二像素，邻近于所述第一像素，所述第二像素包含一第二主像素与一第二次像素，所述第二主像素与所述第二次像素沿着所述扫描线的延伸方向排列；以及一黑色阵列层，覆盖于所述第一像素与所述第二像素之上，其中所述黑色阵列层覆盖至所述第一主像素、所述第一次像素、所述第二主像素、以及所述第二次像素的一部分；其中第一像素与所述第二像素沿着所述数据线的方向排列。