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    抗蚀剂除去用组合物
    2.
    发明公开
    抗蚀剂除去用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN108303862A

    公开(公告)日：2018-07-20

    申请号：CN201810018876.7

    申请日：2018-01-09

    申请人： 株式会社大赛璐

    发明人： 坂西裕一

    IPC分类号： G03F7/42

    CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D1/008 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/43 ,  C11D7/263 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  G03F7/42

    摘要： 本发明的目的在于提供一种抗蚀剂除去用组合物，其在使用光致抗蚀剂来制造在对基板实施蚀刻处理而形成元件、电路等时使用的掩模的工序中，可以有效地除去附着于基板的边缘部分、背面的光致抗蚀剂。为此，本发明的抗蚀剂除去用组合物为包含表面活性剂和溶剂的组合物，其中，作为上述表面活性剂，至少含有下述成分(A)。成分(A)：以下述式(a)表示的聚甘油衍生物。RaO-(C3H5O2Ra)n-Ra(a)[式中，n表示上述重复单元的个数，为2～60的整数。Ra相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～18的烃基、或碳原子数2～24的酰基。并且，在(n+2)个Ra中，至少2个为碳原子数1～18的烃基和/或碳原子数2～24的酰基]。

    扫描曝光装置
    3.
    发明公开
    扫描曝光装置 有权

    公开(公告)号：CN106773558A

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：CN201710064287.8

    申请日：2013-03-08

    申请人： 株式会社尼康

    发明人： 加藤正纪 ,  木内彻

    IPC分类号： G03F7/24 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

    CPC分类号： G03F7/70366 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/24 ,  G03F7/42 ,  G03F7/70 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70758 ,  G03F7/70775 ,  G03F7/70791 ,  G03F9/00

    摘要： 本发明的扫描曝光装置具有：旋转筒，其在由外周面支承基板的长度方向的一部分的状态下绕第2中心轴旋转而将基板沿长度方向输送；照明机构，其分别向着第1照明区域和第2照明区域照射照明光；投影光学系统，其在支承于旋转筒的基板上，向着第1投影区域，来投影第1照明区域内所显现的光罩图案的像，并且向着第2投影区域，来投影第2照明区域内所显现的光罩图案的像；第1刻度部；第2刻度部；光罩侧读取机构，其在从第1中心轴观察而分别位于与第1照明区域和第2照明区域相同的方位上的第1刻度部上的两个位置上分别读取刻度；和基板侧读取机构，其在从第2中心轴观察而分别位于与第1投影区域和第2投影区域相同的方位上的第2刻度部上的两个位置上分别读取刻度。

    光照射装置
    5.
    发明公开
    光照射装置 有权

    公开(公告)号：CN105074882A

    公开(公告)日：2015-11-18

    申请号：CN201480018747.8

    申请日：2014-03-12

    申请人： 优志旺电机株式会社

    发明人： 广濑贤一 ,  村上哲也

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B08B7/00 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/42

    摘要： 本发明的目的在于提供一种光照射装置，能够将透光窗的光射出面与被处理物的表面之间的距离实质上设定为一定的大小，能够均匀地对被处理物进行处理。该光照射装置具备：紫外线射出灯，对配置在氧气氛下的被处理物射出真空紫外光；和透光窗，配置在被处理物与紫外线射出灯之间，透射来自紫外线射出灯的真空紫外光，透光窗经由被处理物按压用隔离件相对于被处理物以按压状态被配置，形成透光窗的光射出侧的表面与被处理物的表面之间的距离为一定大小的间隙。

    自旋处理装置
    6.
    发明公开
    自旋处理装置 失效

    公开(公告)号：CN104465359A

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：CN201410497873.8

    申请日：2014-09-25

    申请人： 芝浦机械电子株式会社

    发明人： 古矢正明

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B05C13/00

    CPC分类号： G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/42 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/67011 ,  B05C9/08 ,  B05C11/08 ,  B05C13/00

    摘要： 一种自旋处理装置，能够抑制灰尘的发生及夹持时的基板位置的偏移。实施方式的自旋处理装置使基板旋转来进行处理，具备：至少三个夹持销，分别与基板的外周面抵接来把持基板；能够旋转的多个销旋转体，对各夹持销分别设置该销旋转体，该销旋转体将夹持销从与基板的旋转轴平行的该销旋转体本身的旋转轴偏心地进行保持；多个磁齿轮，该磁齿轮按各销旋转体分别设置在该销旋转体的外周面上，磁极沿着销旋转体的旋转轴的轴方向形成为螺旋状；多个旋转用磁铁，对各磁齿轮分别设置该旋转用磁铁，该旋转用磁铁被定位成与磁齿轮的磁极相互吸引；以及移动机构，使多个旋转用磁铁沿着销旋转体的旋转轴的轴方向移动。

    抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法及转印掩模的制造方法
    7.
    发明授权
    抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法及转印掩模的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102681332B

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：CN201210129722.8

    申请日：2007-05-29

    申请人： HOYA株式会社

    发明人： 堀井克彦 ,  浅川敬司

    IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F7/42

    CPC分类号： G03F1/46 ,  G03F7/16 ,  G03F7/42

    摘要： 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。

    一种去胶设备
    10.
    发明公开
    一种去胶设备 无效

    公开(公告)号：CN103646872A

    公开(公告)日：2014-03-19

    申请号：CN201310612745.9

    申请日：2013-11-26

    申请人： 上海华力微电子有限公司

    发明人： 潘无忌

    IPC分类号： H01L21/311 ,  G03F7/42

    CPC分类号： H01L21/31058 ,  G03F7/42

    摘要： 本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种去胶设备；本设备通过在Grid基座上增加了加热器，使Grid保持在高温状态，以此来降低聚合物聚集的可能性，从而避免在刻蚀工艺中产生的聚合物黏附在Grid上。同时，由于Grid的温度较高，溅射到Grid上的聚合物杂质也无法黏牢，在刻蚀过程中可以被迅速去除。从而在降低了由于聚合物掉落在晶圆上而导致多晶硅破损的可能性，进而实现了去胶设备的操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保等有益效果。