公开(公告)号：CN109791892A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059470.7

申请日：2017-09-19

申请人： 夏普株式会社

发明人： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  伊藤俊克 ,  上田辉幸 ,  西宫节治 ,  原健吾

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06

摘要： 有源矩阵基板(100)的像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(7)；无机绝缘层(11)及有机绝缘层(12)，其覆盖薄膜晶体管；共用电极(15)；电介质层(17)，其主要包含氮化硅；以及像素电极(19)，无机绝缘层具有包含氧化硅层和氮化硅层的层叠结构，像素电极(10)在像素接触孔内与漏极电极(9)接触，像素接触孔包括分别形成于无机绝缘层(11)、有机绝缘层(12)以及电介质层(17)的第1开口部、第2开口部以及第3开口部，第1开口部的侧面与第2开口部的侧面对齐，第2开口部的侧面包含：第1部分(121)，其相对于基板按第1角度(θ1)倾斜；第2部分(122)，其位于第1部分的上方，按比第1角度大的第2角度(θ2)倾斜；以及交界(120)，其位于第1部分与第2部分之间，相对于基板的倾斜角度不连续地变化。

公开(公告)号：CN109686796A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910173950.7

申请日：2019-03-08

申请人： 福州大学

发明人： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  陈赐海 ,  张国成

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明涉及一种基于激光技术的柔性薄膜晶体管及其制备方法。本发明在柔性衬底基片上增加光学增反射膜层。同时在制备完有源层后，利用飞秒/皮秒激光辐照退火和刻蚀消融实现图形化和器件的独立，增反射膜层能有效回收利用反射激光能量，提高激光能量的使用效率，在低温下高效完成前驱体到氧化物的转变，兼有阻隔水汽、氧对有源层影响的功能，快速低温实现柔性薄膜晶体管制备。有源层和绝缘层均可采用卷对卷或印刷方式制备，工艺简单、快速，而氧化物有源层可以采用飞秒/皮秒激光刻蚀和辐照退火方式实现半导体功能，其操作快速准确，高效率，高度可重复性，获得器件的尺寸较小，器件性能一致性好，有利于节约成本及大面积生产。

公开(公告)号：CN109449157A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201910077831.1

申请日：2019-01-28

申请人： 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 ,  南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 ,  南京华东电子信息科技股份有限公司

发明人： 戴超

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/0251 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提出一种静电防护电路，涉及液晶显示领域，包括N个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管从下往上依次包括：第一金属层，包括第一栅极以及第一源漏极；栅极绝缘层，设有第一开孔；半导体层；刻蚀保护层，设有第二开孔；第二金属层，包括第二源漏极以及第二栅极；其中，与第一栅极对应的一段半导体层中靠近第一栅极的一侧为前沟道，与第二栅极对应的一段半导体层中靠近第二栅极的一侧为背沟道；正向时，半导体背沟道导电，电荷从第二源漏极往第一源漏极方向流通；反向时，半导体前沟道导电，电荷从第一源漏极往第二源漏极方向流通。该静电防护电路在刻蚀型保护型薄膜晶体管中利用顶栅和底栅作用，在立体方向上实现双二极管连接。

公开(公告)号：CN109417037A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040595.5

申请日：2017-06-30

申请人： 流慧株式会社

发明人： 谷川幸登 ,  人罗俊实

IPC分类号： H01L21/365 ,  C01G55/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L29/24 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/70 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  H01L35/22

摘要： 本申请提供了具有良好的p-型半导体特性的新型且有用的氧化物半导体膜，以及制造该氧化物半导体膜的方法。根据本发明，通过使包含周期表第9族金属(铑、铱或钴等)和/或周期表第13族金属(铟、铝或镓等)以及p-型掺杂剂(镁等)的原料溶液雾化形成喷雾；随后，利用载气将喷雾运载至基材表面附近；之后在氧气气氛下在基材表面附近通过使喷雾发生热反应，在该基材上形成氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN109417034A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039956.4

申请日：2017-04-20

申请人： V科技股份有限公司

发明人： 水村通伸

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

摘要： 依赖于激光束的能量密度的偏差而玻璃基板包含的多个薄膜晶体管的特性产生偏差，在将玻璃基板使用于液晶显示装置的液晶的情况下，存在产生显示不均的问题。本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光束；投影透镜，其向被覆于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的互不相同的多个区域照射所述激光束，所述投影透镜以所述薄膜晶体管的源电极与漏电极之间通过多个沟道区域并联连接的方式向所述非晶硅薄膜的所述互不相同的多个区域照射所述激光束。

公开(公告)号：CN109037347A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810848800.7

申请日：2018-07-28

申请人： 张玉英

发明人： 张玉英

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  C04B35/475

CPC分类号： H01L29/786 ,  C04B35/475 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明属于电子材料的技术领域，提供了一种具有三明治结构的钛酸铋薄膜晶体管及制备方法。该方法通过制备铈掺杂钛酸铋前驱体溶液，并涂覆于衬底表面形成铈掺杂钛酸铋薄膜，再通过直流磁控溅射分别形成栅极、漏极和源极，制得Ag‑钛酸铋‑Al‑钛酸铋‑Ag三明治结构的薄膜晶体管。与传统方法相比，本发明制备的薄膜晶体管为垂直结构，具有隧道效应，载流子迁移率和阈值电压较小，剩余极化强度较大，漏电流密度较小，可用作主动式有机电致发光显示材料。

公开(公告)号：CN105140124B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201510457944.6

申请日：2015-07-29

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 李子健

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成缓冲层以及多晶硅层；在所述多晶硅层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光和刻蚀；离子植入高剂量P掺杂，形成N+；在所述玻璃基板全表面上依次形成绝缘层和栅极层；在所述栅极层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光；离子植入高剂量B掺杂，形成P+。本发明能减少光罩数，能有效降低成本。

公开(公告)号：CN108962975A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810667705.7

申请日：2018-06-26

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 聂晓辉 ,  张嘉伟

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一基板、形成于所述第一基板上的介电层、形成于所述介电层上的栅电极层、形成于所述栅电极层上的栅电极绝缘层、形成于所述栅电极绝缘层上的低温多晶硅层和掺杂层、以及形成于所述低温多晶硅层上的缓冲层。所述制作方法用于制作所述低温多晶硅薄膜晶体管，所述显示装置包括所述低温多晶硅薄膜晶体管。本发明克服了制作传统低温多晶硅薄膜晶体管时，其沟道遮光层金属薄膜图形化需要单独设计光罩而增加制作成本的缺陷。

公开(公告)号：CN104867434B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510229458.9

申请日：2015-05-07

申请人： 北京大学深圳研究生院

发明人： 张盛东 ,  廖聪维 ,  胡治晋 ,  曹世杰 ,  李君梅 ,  李文杰

IPC分类号： G09G3/20

CPC分类号： G09G3/2092 ,  G02F1/0105 ,  G06F3/0412 ,  G09G3/20 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/786

摘要： 本申请公开了一种光电传感器和显示面板，包括：脉冲传递单元，包括控制端，所述脉冲传递单元的控制端获得驱动电压后，将第一时钟信号传送至信号输出端口；脉冲控制单元，用于从信号输入端口接收输入的扫描信号，给所述脉冲传递单元的控制端充电以提供所述驱动电压；光电感应单元，用于接收外界光照时提供一个响应外界光照强度的泄漏电流，所述泄漏电流给脉冲传递单元的控制端放电使脉冲传递单元的控制端的电压经过一段时间后小于所述驱动电压。所提出的光电传感器电路利用常规显示面板已有的扫描信号和时钟信号，而不需要额外引入控制信号，因此电路结构简单，更适合于集成在显示面板上。

公开(公告)号：CN105185792B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510646037.6

申请日：2015-09-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司 ,  武汉华星光电技术有限公司

发明人： 肖军城

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/0107 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13396 ,  G02F2001/13398 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/501 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法，所述方法中，在低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区中的至少其中一个掺杂区上形成可控电阻间隔层，所述可控电阻间隔层在栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用，使形成有所述可控电阻间隔层的接触区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连。通过上述方式，本发明能够减少薄膜晶体管器件的漏电。