混合储能器件
    42.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105097289B

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN201410211141.8

    申请日:2014-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管/聚苯胺超级电容器与电池并联组成的混合储能器件。该混合储能器件包括:超级电容器第一电极,超级电容器第二电极,电池正极电极,电池负极电极,隔膜,外壳以及电解液,其中超级电容器第一电极,超级电容器第二电极为超级电容器的电极板,电池正极电极,电池负极电极为电池的电极板。将上述超级电容器与电池通过并联的方法复合到同一体系中,可以得到同时具有较高能量密度与功率密度的混合储能器件,可以应用于便携电子产品、混合动力汽车等领域。

    自充电储能装置
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111668525A

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201910169048.8

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明涉及一种自充电储能装置,该自充电储能装置包括:一第一电极、一第二电极,该第一电极和第二电极间隔设置;一固体电解质,所述第一电极和第二电极通过该固体电解质连接;进一步包括一吸水材料,该吸水材料设置在所述第一电极或第二电极任意一电极的一侧,并将吸收的水分传导至所述固体电解质。

    具有色散器件的自由曲面光学系统的设计方法

    公开(公告)号:CN110133844B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201810139879.6

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 本发明涉及一种具有色散器件的自由曲面光学系统的设计方法,包括以具有色散器件的自由曲面光学系统的狭缝为物,构建一非色散球面光学系统;在所述非色散球面光学系统中的一个非色散球面上放置一色散器件,进而得到一色散球面光学系统;将色散球面光学系统构建为一色散自由曲面光学系统;以及将特征光线与所述色散自由曲面光学系统中自由曲面的的交点定义为该自由曲面上的特征数据点,采用迭代算法,保持色散自由曲面光学系统中的每个自由曲面上的特征数据点的坐标不变,按照物像关系重新计算特征数据点的法向,然后用自由曲面上特征数据点的坐标和重新计算得到的法向拟合得到新的自由曲面,进而得到最终的具有色散器件的自由曲面光学系统。

    一种产生远红外偏振光的方法

    公开(公告)号:CN110119032B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201810109211.7

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 本发明涉及一种产生远红外偏振光的方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括一第一碳纳米管结构和一第二碳纳米管结构,所述第一碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的第一碳纳米管,所述第二碳纳米管结构包括多个随机分散在该第一碳纳米管结构的表面的第二碳纳米管,且该多个第二碳纳米管与该多个第一碳纳米管搭接设置;对所述碳纳米管结构进行预处理,除去至少部分第二碳纳米管,得到预处理后的碳纳米管结构;将该预处理后的碳纳米管结构设置于一远红外光源的出射面一侧;使该远红外光源激发产生远红外光,并使该远红外光透过该预处理后的碳纳米管结构后发射出去;以及加热所述预处理后的碳纳米管结构。

    锂硫电池隔膜
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109686905B

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201710971529.1

    申请日:2017-10-18

    Abstract: 本发明涉及一种锂硫电池隔膜,其包括一基础隔膜以及一功能层,所述功能层设置在基础隔膜的表面,其中,所述功能层包括一碳纳米管结构骨架及多个二磷化钼(MoP2)纳米颗粒,所述多个MoP2纳米颗粒设置于碳纳米管结构骨架的表面和填充于碳纳米管结构骨架的微孔内,碳纳米管结构骨架用于支撑该多个MoP2纳米颗粒,所述锂硫电池隔膜应用于锂硫电池时,该功能层正对该锂硫电池的阴极设置。

    半导体器件
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108933166B

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201710374695.3

    申请日:2017-05-24

    Abstract: 一种半导体元件,其包括一半导体结构,所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层,并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面;一碳纳米管,该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面;一导电膜,该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面,使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间,碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。

    碳纳米管的表征方法
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108020572B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201610933463.2

    申请日:2016-10-31

    Abstract: 一种碳纳米管表征方法,其包括以下步骤:提供一导电基底,该导电基底上设置一层绝缘层;在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构;将碳纳米管结构放置在扫描电镜下,调整扫描电镜的加速电压为5~20千伏,驻留时间为6~20微秒,放大倍数为1万~10万倍,采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片;获得碳纳米管结构的照片,碳纳米管结构中的碳纳米管分布在照片衬底上。

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