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公开(公告)号：CN109425591B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710773546.4
申请日：2017-08-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G01N21/49
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管观测方法，包括：提供一待测一维纳米材料；将所述待测一维纳米材料浸没于耦合液中；提供一第一入射光以及一第二入射光同时照射所述待测一维纳米材料，该待测一维纳米材料在所述第一入射光与所述第二入射光的照射下发生共振瑞利散射，所述第一入射光与所述第二入射光具有连续光谱且入射方向互不平行；以及利用光学显微镜观测发生共振瑞利散射的待测一维纳米材料。本发明提供的观测方法可以观测任意形态结构及排列方向的一维纳米材料，获取该一维纳米材料的位置、形态及手性信息。
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公开(公告)号：CN108017048B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201610943257.X
申请日：2016-10-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C01B32/158 , H01L21/02
摘要： 一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。
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公开(公告)号：CN105807977B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201410852145.4
申请日：2014-12-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 一种触摸和悬停感测装置，包括：一绝缘基板，该绝缘基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近一待测物体；一悬停感测模组，该悬停感测模组设置于所述绝缘基板的第一表面，该悬停感测模组包括：多个第一静电感测元件和多个第二静电感测元件相互绝缘设置，每一第一静电感测元件的两端分别电连接一个第一电极，每一第二静电感测元件的两端分别电连接一个第二电极，该多个第一静电感测元件沿一第一方向延伸且相互间隔设置，该多个第二静电感测元件沿一第二方向延伸且相互间隔设置，每一第一静电感测元件和每一第二静电感测元件均为一根单壁或少壁碳纳米管；一触摸感测模组，该触摸感测模组设置于所述绝缘基板的第二表面。
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公开(公告)号：CN105807971B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410850761.6
申请日：2014-12-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G06F3/041
摘要： 本发明涉及一种静电传感器，包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括至少一个第一传感元件，以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接，所述至少一第一传感元件为直径小于100纳米的一维半导体纳米结构，当带有静电的物体靠近该第一传感元件时，该第一传感元件的电阻产生变化；该控制单通过导线于所述至少一个第一传感元件电连接，并通过向所述至少一个第一传感元件施加电压后测量该至少一个第一传感元件的电阻并输出电阻的信号。
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公开(公告)号：CN105807144B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410849967.7
申请日：2014-12-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
摘要： 一种静电计，包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括一个静电传感元件，所述静电传感元件为一单壁或少壁碳纳米管，当带有静电的待测物靠近该静电传感元件时，该静电传感元件的电阻值产生变化；所述控制单元与所述静电传感元件电连接，其电连接部位为两处，分别位于所述静电传感元件两个端点附近，所述控制单元用于测量所述静电传感元件电阻变化值ΔR，并将所述电阻变化值ΔR转换成静电信息输出。本发明提供的静电计测量时不需与待测物接触，且测量值不会随着时间而改变。
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公开(公告)号：CN108020572A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610933463.2
申请日：2016-10-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G01N23/22
CPC分类号： H01L21/02606 , B82B3/0071 , B82B3/009 , C01B2202/08 , G01N23/2251 , H01L51/0048 , Y10S977/742 , Y10S977/852 , Y10S977/881
摘要： 一种碳纳米管表征方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，碳纳米管结构中的碳纳米管分布在照片衬底上。
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公开(公告)号：CN108002364A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610942312.3
申请日：2016-10-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： C01B32/159 , C01B32/168 , H01B13/00
摘要： 一种透明导电层的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管；提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；将所述碳纳米管膜设置在所述绝缘层上；将碳纳米管膜放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管膜拍摄照片；获得碳纳米管膜的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对半导体型的碳纳米管进行标识，并除去半导体型的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN105807971A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410850761.6
申请日：2014-12-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/0416 , G06F2203/04101 , G06F2203/04103 , G06F2203/04108
摘要： 本发明涉及一种静电传感器，包括一个传感单元和一个控制单元，所述传感单元包括至少一个第一传感元件，以及至少两个第一电极设置在该至少一个第一传感元件的两端并与该至少一个第一传感元件电连接，所述至少一第一传感元件为直径小于100纳米的一维半导体纳米结构，当带有静电的物体靠近该第一传感元件时，该第一传感元件的电阻产生变化；该控制单通过导线于所述至少一个第一传感元件电连接，并通过向所述至少一个第一传感元件施加电压后测量该至少一个第一传感元件的电阻并输出电阻的信号。
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公开(公告)号：CN105807970A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410849989.3
申请日：2014-12-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/0416 , G06F3/047 , G06F2203/04101
摘要： 一种悬停控制装置，包括一传感单元和一悬停控制单元，该传感单元设置于一绝缘基底的表面，所述传感单元包括多个第一静电感测元件和多个第二静电感测元件相互绝缘设置，每一第一静电感测元件的两端分别电连接一个第一电极，每一第二静电感测元件的两端分别电连接一个第二电极，该多个第一静电感测元件沿一第一方向延伸且相互间隔设置，该多个第二静电感测元件沿一第二方向延伸且相互间隔设置，每一第一静电感测元件和每一第二静电感测元件均为一根单壁或少壁碳纳米管；所述悬停控制单元通过导线与所述多个第一静电感测元件和多个第二静电感测元件电连接。
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公开(公告)号：CN109425592A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710775064.2
申请日：2017-08-31
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： G01N21/49
摘要： 本发明涉及一种碳纳米管观测装置，包括：一种一维纳米材料观测装置，包括：一第一光源与一第二光源，分别用于提供第一入射光与第二入射光，所述第一光源与所述第二光源为连续光谱光源；一承载装置，用于承载待测一维纳米材料及耦合液；以及一光学显微镜，用于观测所述待测一维纳米材料。本发明提供的观测装置可以观测任意形态结构及排列方向的一维纳米材料，获取该一维纳米材料的位置、形态及手性信息。
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