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公开(公告)号：CN102263244A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110177982.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/1395 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题，为该新型复合材料实用化奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN102208534A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110140230.4
申请日：2011-05-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开一种基于阻变材料的三端全控型开关元件，包括阳极、阴极、门极三个连接端及阻变薄膜，阳极和阴极位于同一平面；门极与阳极/阴极处于不同的平面，他们之间使用阻变薄膜隔离，在门极控制端电压激励下阳极与阴极之间实现阻抗的变化，表现出优异的开关特性，其开关比可达6个数量级；该开关元件具有记忆特性，在门极控制端电激励撤除后仍可保留其开关状态。这种电子开关元件结构简单、制造成本低、响应速度快（纳秒量级）、开关比大，具有记忆特性，可作为逻辑门电路、模拟多路开关、存储器、薄膜晶体管等器件的基本组成元件。本发明还公开基于阻变材料的三端全控型开关元件的制备方法。
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公开(公告)号：CN115377339B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211162470.9
申请日：2022-09-23
IPC: H10K71/00 , H10K50/10 , H10K50/115
Abstract: 本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，先制备P4VP（４‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物）薄膜，再用DPN（蘸水笔纳米光刻术）法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体（如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体）修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的，通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备出QLED器件。
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公开(公告)号：CN118475152A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410606197.7
申请日：2024-05-16
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/856 , H10K50/858 , H10K71/00 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及一种自组装双层光提取微纳结构量子点发光器件的方法。在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和量子点薄膜、电子传输层、金属阴极以及导电衬底的ITO层背面以自组装方式制备的光提取微纳结构；以自组装方式制备的光提取微纳结构操作为：（1）通过聚苯乙烯微球（PS球）自组装技术形成一个致密有序的微纳结构。（2）通过捞取的方法将自组装后的PS球转移到基板背部聚乙烯醇缩丁醛(PVB)薄膜上。（3）通过一块平整的硅片放置在PS球微纳结构上施加一定的压力，使得PS球可以嵌入PVB薄膜中。本发明通过自组装工艺形成致密有序的PS球阵列，通过施加压力使PS阵列与PVB形成紧密粘连的双层微纳结构加强了量子点发光器件光提取效率。
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公开(公告)号：CN118159054A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410287970.8
申请日：2024-03-13
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K71/12 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种混合组分纳米粒子薄膜及其量子点发光二极管以及制备方法。通过均匀间隔分布发光量子点和不发光的宽禁带纳米粒子，制成混合组分的纳米粒子薄膜，显著降低相邻发光量子点间的荧光共振能量转移（FRET）效率。将混合组分的纳米粒子薄膜作为QLED的发光层，可以有效抑制QLED发光层中的激子离域行为，减少非辐射弛豫过程对激子能量的损耗，提高量子点发光器件的发光效率及稳定性，实现高性能QLED的制备。本发明的混合组分纳米粒子薄膜适用于现存的大部分商用纳米粒子体系，可采用简单便捷的溶液加工工艺制备获得，与现有的各种溶液工艺制膜设备兼容性良好。本发明的基于混合组分纳米粒子薄膜的QLED与现有QLED结构及工艺兼容，生产局限性小。
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公开(公告)号：CN117939979A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114244.6
申请日：2024-01-28
Applicant: 福州大学 , 广东聚华新型显示研究院
IPC: H10K71/13 , H10K50/115 , B41M5/00
Abstract: 本发明提供一种喷墨打印技术下的全彩量子点网格打印方法，利用喷墨打印技术制备具有彩色网格结构的发光层，从而在发光二极管(LED)中实现全彩显示。通过在发光层使用溶液加工方法涂覆蓝色量子点层，再利用喷墨打印技术使用红色量子点打印红色线条，使用绿色量子点打印垂直于红色量子点的线条，形成由红、绿量子点线条线交叉的网格结构以及由具有规则形状的蓝色量子点，从而实现彩色网格的制备，实现全彩显示。本专利方法简单、高效，并可广泛应用于显示器、光电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN111952470B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828294.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K85/10 , H10K71/00 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN115873593B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211580456.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种球型核壳结构的CdS/Cu2S/CdS量子阱材料及制备方法，其是以硫化镉为核，以硫化亚铜为中间层，再利用硫化镉为壳进行包覆，组成的一种球型壳核结构材料。本发明运用热注入法和连续离子层法进行制备，其方便可行，便于控制，所制备的材料具有连续的PN异质结构，优异的外壳深阱结构，拥有着高量子效率、良好的电子空穴束缚特性，在量子点的固体照明、led显示、光电探测等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111952473B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010829057.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/15 , H10K50/155 , H10K85/50 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜及发光二极管制备方法。首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过两步旋涂而后通过退火获得了使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种使用两亲性二氧化硅离子掺杂的钙钛矿发光二极管器件。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明过两亲性二氧化硅纳米颗粒对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，不仅使得纳米颗粒在钙钛矿颗粒间
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公开(公告)号：CN117067468A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310879518.6
申请日：2023-07-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于旋涂法和喷墨打印的薄膜制膜机。结合了旋涂法和喷墨打印制膜时的各自优点，主要包含中心圆筒支柱，所述圆筒支柱与外部电机相连可以带动机器旋转；所述圆筒支柱可安装可拆卸的喷墨打印头及物料存储器；所述圆筒支柱上套有可以旋转的转盘，转盘半径可依据生产要求进行更改，通过卡扣与物料盘连接；所述物料盘为可拆卸盘内部的构造可以依据生产要求就行更改，以便降低成本；所述转盘外还有一层保护壳。利用旋涂法的离心原理使薄膜均匀，而利用喷墨打印可以减少物料的损耗。此设备结构简单，便于用于大规模的量子点发光二极管器件薄膜制备。
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