N型银硫属化合物热电材料的制备方法及其多孔块体

    公开(公告)号:CN113013315A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110166141.0

    申请日:2021-02-05

    IPC分类号: H01L35/16 H01L35/34

    摘要: 公开了N型银硫属化合物热电材料的制备方法及多孔块体,方法包括:热电材料的化学式为AgxSe1/3Te1/3S1/3,以Ag,Se,S,Te单质为原料,按照所述化学式称量后混合放入球磨机中,所述球磨机对称量配比后的原料球磨8h形成粉体材料;对粉体材料真空干燥以得到预定阈值的粉体材料,干燥真空度≤0.1Pa,干燥温度为60‑120摄氏度,第一梯度升温后总保温时间在18h以上;SPS烧结法在真空加压条件下对所述粉体材料进行烧结,其中,烧结温度为350℃‑450℃;压力为50‑65MPa;保温时间为10min,且烧结采用第二梯度升温,全程保压。

    中频接触器触头结构、接触器及方法

    公开(公告)号:CN111508779B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202010369991.6

    申请日:2020-04-30

    IPC分类号: H01H50/54 H01H73/18 H01H11/04

    摘要: 公开了中频接触器触头结构、接触器及方法,中频接触器触头结构中,静触头基座包括空腔,动触头基座位于所述静触片上方,动触片设在所述动触头基座的下表面且相对所述静触片间隔设置以形成间隙,铜连接件螺栓连接绝缘连接件,用于电气连接的铜连接件经由中频电流产生交变磁场,连杆机构连接件配置成连接连杆以致所述动触头部分运动使得动触片接触所述静触片,四个增磁块分别设在绝缘壳体内侧且避免接触所述静触头部分和动触头部分,其中,所述四个增磁块起导磁作用以增强所述间隙之间的磁场,使得电弧在磁场作用下朝灭弧空间吹弧。

    带热辐射屏蔽的热流密度测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111707706A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010503456.5

    申请日:2020-06-04

    IPC分类号: G01N25/20 G01K17/00

    摘要: 公开了带热辐射屏蔽的热流密度测量装置及方法,装置中,热阻层下表面紧贴热源,上表面紧贴冷源,屏蔽层围绕热阻层的侧表面布置且间隔所述热阻层预定距离,热阻层与屏蔽层的横截面构成“山”型结构,热电偶插入所述热阻层测量以测量温度数据,测量单元连接所述热电偶,测量单元基于所述温度数据生成热流密度。

    基于电容预充电转移的双向混合式直流断路器及开断方法

    公开(公告)号:CN110460014A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910731992.8

    申请日:2019-08-07

    IPC分类号: H02H3/087 H02H9/02 H02H9/04

    摘要: 公开了一种基于电容预充电转移的双向混合式直流断路器及开断方法,直流断路器包括主电流回路、开断续流支路、电流转移支路、过电压限制支路、在线监测系统、控制系统、出线端C1和出线端C2,主电流回路、开断续流支路、电流转移支路和过电压限制支路并联且经由出线端C1和出线端C2引出,开断续流支路两端并联在主电流回路两端,所述开断续流支路包括反向并联的半控型功率半导体器件VT1和半控型功率半导体器件VT2,其组成支路再和主电流回路相并联,所述直流断路器具有双向导通、断口绝缘快速恢复和同时快速开断短路大电流和小电流如额定电流的能力,可应用于双向通流且需要快速可靠分断不同大小电流的直流供电系统。

    一种无弧直流断路器及其使用方法

    公开(公告)号:CN106558866B

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201610993329.1

    申请日:2016-11-11

    IPC分类号: H02H3/087

    摘要: 本发明提出一种无弧直流断路器及其使用方法,所述断路器采用磁感应转移和电阻限流相结合的方式,断路器包括主电流电路和转移电流电路。转移电流电路具有桥式结构,利用一组单向具有分断功能的组件实现电流的双向分断,相比于现有结构可关断器件的使用量可以减少一半。通过控制触发间隙、高速开关以及功率半导体的动作时序,实现主电流电路的快速开关无弧分闸,同时显著提高断路器分断能力。本发明利用转移电流电路内部的限流模块电路快速限制短路故障电流,进而降低开断模块电路的全控型器件的并联组数。与现有的断路器结构相比,大大减少可关断器件使用量,显著减小断路器成本。

    基于液体电弧电压转移的直流断路器及其使用方法

    公开(公告)号:CN110048381A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910332291.7

    申请日:2019-04-23

    IPC分类号: H02H7/26 H02H3/087

    摘要: 本发明公开了一种基于液体电弧电压转移的直流断路器及其使用方法,直流断路器包括第一接入端、第二接入端、主电流支路、转移支路和耗能支路,主电流支路连接在所述第一接入端和第二接入端之间,所述主电流支路包括液体断口,转移支路连接在所述第一接入端和第二接入端之间且并联所述主电流支路,耗能支路连接在所述第一接入端和第二接入端之间且并联所述主电流支路和转移支路,直流断路器电流通流时,所述主电流支路通过电流,转移支路不导通,直流断路器发生短路故障时,液体断口打开,电流转移至转移支路,最后强制转移电流至耗能支路以完成开断。

    一种具有柔性结构的微型液态金属开关

    公开(公告)号:CN110033982A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201910279384.8

    申请日:2019-04-09

    IPC分类号: H01H29/00 H01H29/06

    摘要: 本公开揭示了一种具有柔性结构的微型液态金属开关,包括:基体、上储液池、下储液池、液态金属、液态金属通流道、气流道、顶面密封薄膜、底面密封薄膜、侧面密封薄膜和外接电极。本公开还提供一种具有柔性结构的微型液态金属开关的控制方法。本公开能够通过外部机械应力挤压高弹性基体促使液态金属运动连通电路,通过高弹性基体材料自动回弹以及液态金属表面张力收缩实现快速电路分断。本公开使用液态金属作为导电介质,无接触电阻,能够避免正常额定、短路或者雷电冲击电流下的电动斥力,同时还有助于解决现有固态金属触头开关由于弹跳、熔焊、烧蚀等带来的寿命问题。本公开结构简单、体积微小、开断性能好,可以应用于电路的功率开断场合。

    一种气体电弧电极喷溅烧蚀的原位观测方法

    公开(公告)号:CN109949263A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201711379383.8

    申请日:2017-12-18

    摘要: 本发明涉及一种气体电弧电极喷溅烧蚀的原位观测方法,其采用高功率激光照射电极表面,并利用窄带滤波片滤去弧光,得到表征燃弧过程中电极喷溅烧蚀行为的图像;基于高斯-拉普拉斯边缘算子对原始图像进行滤波,实现弧光与电极的完全分离,获取喷溅液滴的边缘;基于图像的灰度阈值的二值化方法重构喷溅液滴并提取喷溅液滴的位置及形状信息,通过帧叠加得到喷溅液滴的运动轨迹;基于多目标的粒子匹配算法获取喷溅烧蚀速率。通过光学成像手段结合数字图像处理技术,本发明实现了燃弧过程中电极烧蚀行为的可视化及原位测量,拓展了气体电弧烧蚀行为的测试,为深入和完整理解气体电弧-电极的作用机理、喷溅烧蚀产生过程等提供直接有益的科学依据。

    半导体组件及其控制方法
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109936114A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201910332293.6

    申请日:2019-04-23

    IPC分类号: H02H3/08 H03K17/081

    摘要: 本发明公开了一种半导体组件,半导体组件包括全控型电力电子器件及缓冲吸收电路,缓冲吸收电路并联所述全控型电力电子器件,所述缓存吸收电路包括电容(C)、电感(L)、电阻(R)、二极管(D)和半控型电力电子器件(A1),其中,电感(L)串联半控型电力电子器件(A1)且一起并联电阻(R),二极管(D)并联电阻(R)且一起串联电容(C)。

    一种基于电容自充电的电流注入式直流断路器及开断方法

    公开(公告)号:CN108879621B

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201810830907.9

    申请日:2018-07-25

    IPC分类号: H02H7/22

    摘要: 公开了一种基于电容自充电的电流注入式直流断路器及开断方法,直流断路器由高速开关模块、磁耦合转移模块MICCM、晶闸管模块VT1和VT2、电感L0、转移电容C和金属氧化物避雷器MOV组成,磁耦合转移模块MICCM由原边线圈L2、副边线圈L1、电容C1、晶闸管组件VT3组成,副边线圈L1连接在连接点4和连接点5之间,原边线圈L2连接在连接点6和连接点7之间,连接在连接点6和连接点7之间的电容C1及晶闸管组件VT3串联后与原边线圈L2并联形成回路,连接点1和连接点4之间的晶闸管模块VT1为两组晶闸管反并联结构,连接点3和连接点5之间的晶闸管模块VT2为两组晶闸管反并联结构。