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公开(公告)号：CN110717240B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910796831.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/30 , G06F30/32 , G06F17/16 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型，并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源，得到InP HEMT噪声等效电路；对InP HEMT噪声等效电路的噪声参数进行表征；获取InP HEMT器件的级联噪声相关矩阵，并对其进行寄生参数去嵌，得到本征导纳噪声矩阵；根据小信号等效电路模型参数和本征导纳噪声矩阵，得到噪声参数；将噪声参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路，得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法在噪声相关系数中引入虚数分量，表征沟道分布效应的噪声，同时引入衬底损耗效应噪声因子，表征衬底损耗效应的噪声,提高了模型在高频下的拟合精度。
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公开(公告)号：CN113191036A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110298384.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/33 , G06F111/04 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种共面波导等效电路结构及其参数提取方法，共面波导等效电路结构包括：第一等效电容(Cf1)、第二等效电容(Cf2)、第一等效电阻(Rsi1)、第二等效电阻(Rsi2)、第一等效电感(Lsi1)、第二等效电感(Lsi2)、第三等效电容(Cox1)、第四等效电容(Cox2)、第三等效电阻(Rs)、第三等效电感(Ls)、第四等效电阻(Rsk)以及第四等效电感(Lsk)。本发明建立用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导等效电路结构，不仅保证了结果的准确性，同时包含的电路元件较少，有助于对用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导进行深入分析。
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公开(公告)号：CN112926259A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110167067.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法，包括：确定半导体器件的环境温度和功耗；将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的RBF神经网络模型，以使该RBF神经网络模型输出所述半导体器件的结温；其中，所述RBF神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的；所述数据集包括：通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温；所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型，每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件结温。
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公开(公告)号：CN112566230A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011282046.9
申请日：2020-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于功率分配的无线携能接收机资源分配方法，包括：获得无线携能通信系统的传播损耗；设定用于能量收集的功率分配因子，并获得所述功率分配因子与平均收集能量、能量效率及服务中断概率的关系；通过所述功率分配因子与平均收集能量、能量效率及服务中断概率的关系衡量系统性能，确定所述功率分配因子的取值。该方法通过选择合理的功率分配因子，将接收机接收的信号按照一定比例分别分配给能量接收机和信息接收机，用以进行能量收集和信息解调，既可以考虑到能量，又可以考虑到速率，达到两者之间的权衡。
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公开(公告)号：CN107863939B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711100448.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低功耗反馈型功率放大电路，包括输入匹配网络、功率单元、偏置网络、反馈网络、限流旁路单元、输出匹配网络以及射频扼流圈，其中，输入匹配网络电连接至功率单元的基极，功率单元的集电极分别电连接至输出匹配网络和射频扼流圈；功率单元的集电极还电连接至反馈网络的第一输入端；反馈网络的输出端分别电连接至功率单元的基极和限流旁路单元；偏置网络电连接至反馈网络的第二输入端。本实施例通过设置反馈网络和限流旁路单元，限制了功率单元的电流，降低直流功耗，并对功率单元进行温度补偿和偏置抑制，提高了电路线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110717240A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910796831.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/30 , G06F30/32 , G06F17/16 , G06F119/10
Abstract: 本发明涉及一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法，包括：建立具有表征沟道分布效应和衬底损耗效应的InP HEMT小信号等效电路模型，并进行参数提取；对InP HEMT小信号等效电路模型添加噪声电流源，得到InP HEMT噪声等效电路；对InP HEMT噪声等效电路的噪声参数进行表征；获取InP HEMT器件的级联噪声相关矩阵，并对其进行寄生参数去嵌，得到本征导纳噪声矩阵；根据小信号等效电路模型参数和本征导纳噪声矩阵，得到噪声参数；将噪声参数嵌入至InP HEMT噪声等效电路，得到InP HEMT器件噪声等效电路模型。本发明方法在噪声相关系数中引入虚数分量，表征沟道分布效应的噪声，同时引入衬底损耗效应噪声因子，表征衬底损耗效应的噪声,提高了模型在高频下的拟合精度。
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公开(公告)号：CN108538926A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810319831.3
申请日：2018-04-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/94 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底上的InGaAs基MOS电容器及制作方法，主要为了解决传统Ⅲ-V材料的器件只能应用于硬质平面环境，无法应用于柔性环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、阴极金属电极(2)、半导体功能薄膜层(3)、氧化层(4)和阳极金属电极(5)，其中衬底采用柔性衬底；半导体薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有工作频率高的同时，具有良好的延展和弯曲性，可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。
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公开(公告)号：CN104679964B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510125644.8
申请日：2015-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于MATLAB编程的HBT电路芯片温度分析方法，主要解决传统有限元分析方法分析的电路规模小、手工输入功耗繁琐的问题。其主要步骤为：1.获取HBT器件几何尺寸，材料热导率；2.对器件建模，并对单个器件作有限元温度分析；3.把单各器件的温度分布进行函数拟合；4.用电路软件仿真，获取各器件功耗，将其标注在版图上；5.导出GDSII格式版图文件，再转换为DXF格式；6.用MATLAB编程，提取版图上器件的坐标和功耗，计算各器件的工作温度，作出温度分布图。本发明能在集成电路物理设计的时间使用，可用于预测电路工作时HBT器件的稳态温度和版图上的热点位置，提高电路工作稳定性。
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公开(公告)号：CN108010844A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711138236.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取衬底材料；S102、在所述衬底材料表面依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；S103、在所述第二缓冲层表面制备沟槽区；S104、在所述沟槽区中依次生长下势垒层、沟道层、隔离层、掺杂层、上势垒层、空穴阻挡层以及帽层；S105、制备栅极、源极和漏极以完成HEMT器件的制备。本发明提供的HEMT器件及其制备方法解决了缓冲层材料易氧化造成器件性能下降的问题；可以将第二缓冲层作为台面刻蚀终止层，在保证器件隔离的效果的同时不会增大栅电流的泄漏，进一步提高了HEMT器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN107528506A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710695646.X
申请日：2017-08-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02P6/10
CPC classification number: H02P6/10
Abstract: 本发明涉及一种无刷直流电机换相转矩脉动抑制装置包括：主电路单元101、功率开关单元102、逆变器单元103、无刷直流电机单元104及控制单元105；其中，功率开关单元102分别电连接主电路单元101和逆变器单元103；逆变器单元103分别电连接主电路单元101和无刷直流电机单元104；控制单元105分别通信连接主电路单元101、功率开关单元102、逆变器单元103及无刷直流电机单元104。本发明通过对第一功率开关S1和第二功率开关S2开启、关断的控制，在换相期和导通期对无刷直流电机的输入电压进行切换，从而达到无刷直流电机换相转矩脉动抑制的效果；本发明提供的装置对转速及负载变化的适应范围宽，提高了电机的输出功率。
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