公开(公告)号：CN101404319A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810161988.4

申请日：2008-10-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  宫内大助 ,  岛泽幸司 ,  土屋芳弘 ,  水野友人 ,  町田贵彦

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307

Abstract: 本发明涉及CPP型磁阻效应(magneto－resistive effect)元件和磁盘装置。本发明是一种具备：分隔层和夹着分隔层层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层、在该层叠方向上施加有检测电流而成的CPP(Current Perpendicular to Plane)结构的巨磁阻效应元件(CPP－GMR元件)，其构成为，第一铁磁层和第二铁磁层以这两层的磁化方向所成的角度对应于外部磁场而相对变化的方式发挥作用，分隔层包含半导体氧化物层，在构成全部或一部分分隔层的半导体氧化物层与绝缘层相接触的位置，插入了含有氮元素的界面保护层，因此，在半导体氧化物层与界面保护层的接合表面上形成了共价成键性高的氮化物，氧从半导体氧化物层向绝缘层的移动受到抑制，即使元件受到加工工艺上的热或应力的影响，也能够抑制元件特性的变动或变差。

公开(公告)号：CN101373596A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810146839.0

申请日：2008-08-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中浩介 ,  伊藤靖浩 ,  岛泽幸司

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/02 ,  G11B5/314 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明提供一种能够实现对磁记录介质的高密度的写入的热辅助磁头。热辅助磁头具备磁头部，该磁头部具有介质相对面以及与其相对的背面。磁头部具有记录磁头部、光波导路、遮光体。光波导路沿着介质相对面和背面的相对方向延伸。遮光体分别沿着介质相对面和背面的相对方向延伸且阻碍介质相对面和背面之间的激光的透过。从背面看时，光波导路和遮光体排列在同一直线上。从背面看时，遮光体隔着该直线相对且排列在与该直线大致垂直的直线上。

公开(公告)号：CN1306475C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410061756.3

申请日：2004-06-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 清水友晶 ,  岛泽幸司 ,  田中浩介 ,  照沼幸一

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0016

Abstract: 作为本发明，在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。