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公开(公告)号：CN219476683U
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202320435584.X
申请日：2023-03-09
申请人： 江西萨瑞微电子技术有限公司
摘要： 本实用新型涉及ESD器件技术领域，尤其涉及增强ESD器件失效防护能力的导体引线结构。增强ESD器件失效防护能力的导体引线结构，包括有引线和金属焊盘；引线和金属焊盘通过键合工艺形成紧密结合；所述引线中心为圆芯部，圆芯部圆周表面具有螺旋状的双肩部；所述金属焊盘上通过成型模具压制有成型槽。以铜合金作为替换传统的金丝、银丝，可以降低成本，同时提高电流承载能力和散热效果；并采用的圆芯螺旋双肩结构，在不增加引线长度的同时，增加引线截面宽度，进一步降低电阻和发热。
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公开(公告)号：CN211789026U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202020816530.4
申请日：2020-05-17
申请人： 江西萨瑞微电子技术有限公司
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本实用新型属于硅芯片技术领域，尤其为一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片，包括长基区，所述长基区的上表面设置有正面短基区，所述长基区的下表面设置有背面P型区，所述正面短基区的上表面设置有正面发射区，所述正面短基区的上表面设置有保护膜，所述保护膜、正面短基区和长基区设置有正面沟槽，所述正面沟槽两侧表面设置有正面钝化区，所述保护膜靠近正面发射区的表面设置有正面阴极铝电极；结合铝扩工艺与硼扩工艺的优点，利用铝扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取铝硼扩散工艺，对通隔离区与短基区可同步形成，合二为一，扩散时间为30h，极大地提高了生产效率，又可降低表面缺陷，获得良好的Veb特性。
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公开(公告)号：CN207676906U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721494993.8
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/495
摘要： 本实用新型公开了一种SMF增强功率装置，包括外壳、芯片和瞬态抑制二极管，外壳底部设置有底板，外壳内设置有框架凸台，框架凸台下方设置有芯片，芯片通过导线并联连接瞬态抑制二极管，框架凸台上设置有正方形凸台，框架凸台、正方形凸台和芯片构成放大器组件，放大器组件使得浪涌能力达到400W的功率，芯片包括精密元器件层、隔离层和功率放大层，功率放大层外层设置有精密元器件层，精密元器件层外层设置有隔离层；本实用新型实现了高科技发展，电子产品体积小，功能增强，低成本，瞬态功率大，漏电流低，击穿电压偏差，无损坏极限，我们进行使用SOD-123的浪涌能力加强做到400W的水平，成本低，电路板面积减少。
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公开(公告)号：CN207542244U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721503399.0
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种降低TVS电容装置，包括第一电容单元与电压开关型瞬态拟制二极管TSS，第一电容单元内部设置有绝缘层极板与电压开关型瞬态拟制二极管TSS，第一电容单元下方连接有金属氧化层，金属氧化层下方连接有第二电容单元，第二电容单元内部设置有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS与基层极板，基层极板上方连接有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS，电压钳位型瞬态拟制二极管TVS上方连接有电压开关型瞬态拟制二极管TSS，电压开关型瞬态拟制二极管TSS上方固定有绝缘层极板，使得在应用端使用时不容易出现信号终断的现象，可以有效地增强信号，降低电容，避免电容不匹配的问题，并极大地提高了产品效能的一致性。
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公开(公告)号：CN207542241U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721494300.5
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/49 , H01L29/861
CPC分类号： H01L2224/33
摘要： 本实用新型公开了一种减薄的SOD‑123贴片二极管，包括芯片，封装体和凸台，芯片上下均设置有凸台，凸台外端面上缠绕有引线，引线两端分别连接有引脚一和引脚二，引脚一和引脚二均贯穿封装体，且焊接在封装后背上，封装后背固定在封装体底部，本实用新型本实用新型一种减薄的SOD‑123贴片二极管，通过改变外部结构的厚度，减薄了本实用新型整体的厚度，通过设置的凸台，最终达到增加引线与封装体的连接强度，有效的解决了引线与封装体剥落的问题，提升了产品质量，保证了产品的寿命，通过封装后背上开设的凹槽，便于本实用新型芯片热量的散热(槽自身也具有通风效果)，且减少了材料利用，降低了本实用新型的生产成本。
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公开(公告)号：CN206849829U
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201720488294.6
申请日：2017-05-04
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
发明人： 郭小红
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
CPC分类号： H01L2224/33
摘要： 本实用新型公开了一种瞬态抑制二极管的散热装置，包括芯片，所述芯片的顶端设置有上铜粒，所述上铜粒的上方设置有上封板，所述上封板的一侧固定连接有第一连接线的一端，所述第一连接线的另一端固定连接有第一引脚，所述芯片的底端设置有下铜粒，所述下铜粒的底端设置有下封板，所述下封板的一侧固定连接有第二连接线的一端，所述第二连接线的另一端固定连接有第二引脚。该种实用新型设计合理，使用方便，通过在芯片上下各设置有上铜粒和下铜粒，提高了产品的散热能力，通过将第一引脚和第二引脚的直径增大至0.25MM，提高了产品的抗浪涌能力，防止芯片因发热和浪涌烧坏，提高了产品的使用寿命，该实用新型结构紧凑，造价低廉，适合广泛推广。
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