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公开(公告)号：CN207542243U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721503385.9
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L29/868
摘要： 本实用新型公开了一种瞬间电压抑制器(TVS)三口器件，包括器件壳体、PIN1端口、PIN2端口和PIN3端口，器件壳体下端设置有PIN2端口，器件壳体上端设置有PIN1端口，PIN1端口右侧设置有PIN3端口，器件壳体内部设置有双向二极管，双向二极管中下端设置有PIN2PN结，PIN2PN结下面安装有输出端口二，PIN2PN结上端设置有夹层，夹层上面安装有PIN1PN结，PIN1PN结上面设置有输出端口一，PIN1PN结右边设置有PIN3PN结，PIN3PN结上方安装有输出端口三。本实用新型通过设置的三口一体的双向二极管可以起到电路过压保护装置作用，可提供雷击、静电放电和其他瞬态电压保护，有安全实用等优点，且器件实现三口内部集成，降低封装成本，简化电路减小电路板面积，可以普遍推广使用。
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公开(公告)号：CN207853460U
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201721494985.3
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种DO-41增强功率装置，包括上连接部、放大器组件和下连接部，上连接部下方设置有放大器组件，放大器组件下方设置有下连接部，放大器组件通过导线并联连接瞬态抑制二极管，放大器组件包括上方凸台、下方凸台和芯片，上方凸台下方设置有芯片，芯片下方设置有下方凸台，芯片包括精密元器件层、隔离层和功率放大层，功率放大层外层设置有精密元器件层，精密元器件层外层设置有隔离层；本实用新型实现了高科技发展，电子产品体积小，功能增强，低成本，瞬态功率大，漏电流低，击穿电压偏差，无损坏极限，使用进行DO-41的浪涌能力加强做到600W的水平，成本低，电路板面积减少。
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公开(公告)号：CN207676904U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721494314.7
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种电子芯片平面工艺产品叠加装置，包括芯片基板、叠加芯片封装一、叠加芯片封装二、芯片一和芯片二，芯片基板上方通过焊锡固定有叠加芯片封装一和叠加芯片封装二，叠加芯片封装一内部设置有下焊接盘，下焊接盘上方通过焊锡固定连接有芯片二，芯片二上方设置有阻隔铜片，阻隔铜片上方设置有芯片一，芯片一通过焊锡固定在上焊接盘上，上焊接盘左侧连接有芯片接线一，焊接盘右侧连接有芯片接线二，本实用新型通过设置的阻隔铜片使得电子芯片平面工艺产品叠加产品既保留了平面工艺产品残压小，浪涌能力强的优点又实现的三维芯片封装减小面积节约了封装内部空间，降低了封装装置的整体厚度，有安全实用等优点。
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公开(公告)号：CN207542057U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721494984.9
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种SMD功率增强电感，包括芯片、框架凸台和凸台，芯片上下两端均设置有框架凸台，框架凸台外侧固定有凸台，凸台两端通过框状的内部连接装置固定连接，芯片外部缠绕的线圈上附着有磁胶层，磁胶层上下分别连接有顶部和底部，底部上开设有引脚凹槽，本实用新型本实用新型低成本，浪涌能力不减弱强，通过把芯片做到4.5*5MM，把凸台做大。把SMD产品功率不减弱，成本降低高科技发展，要求低成本，通过磁胶层与芯片外部线圈的无缝结合，有效的减少了产品工作时所产生的蜂鸣声，通过底部的金属片电极片的设计，使产品具有超强的抗跌落能力，较传统电感抗跌能力提升5倍以上，为电子类产品稳定工作提供了保障。
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公开(公告)号：CN207676906U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721494993.8
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/495
摘要： 本实用新型公开了一种SMF增强功率装置，包括外壳、芯片和瞬态抑制二极管，外壳底部设置有底板，外壳内设置有框架凸台，框架凸台下方设置有芯片，芯片通过导线并联连接瞬态抑制二极管，框架凸台上设置有正方形凸台，框架凸台、正方形凸台和芯片构成放大器组件，放大器组件使得浪涌能力达到400W的功率，芯片包括精密元器件层、隔离层和功率放大层，功率放大层外层设置有精密元器件层，精密元器件层外层设置有隔离层；本实用新型实现了高科技发展，电子产品体积小，功能增强，低成本，瞬态功率大，漏电流低，击穿电压偏差，无损坏极限，我们进行使用SOD-123的浪涌能力加强做到400W的水平，成本低，电路板面积减少。
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公开(公告)号：CN207542244U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721503399.0
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种降低TVS电容装置，包括第一电容单元与电压开关型瞬态拟制二极管TSS，第一电容单元内部设置有绝缘层极板与电压开关型瞬态拟制二极管TSS，第一电容单元下方连接有金属氧化层，金属氧化层下方连接有第二电容单元，第二电容单元内部设置有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS与基层极板，基层极板上方连接有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS，电压钳位型瞬态拟制二极管TVS上方连接有电压开关型瞬态拟制二极管TSS，电压开关型瞬态拟制二极管TSS上方固定有绝缘层极板，使得在应用端使用时不容易出现信号终断的现象，可以有效地增强信号，降低电容，避免电容不匹配的问题，并极大地提高了产品效能的一致性。
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公开(公告)号：CN207542241U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721494300.5
申请日：2017-11-10
申请人： 萨锐微电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/49 , H01L29/861
CPC分类号： H01L2224/33
摘要： 本实用新型公开了一种减薄的SOD‑123贴片二极管，包括芯片，封装体和凸台，芯片上下均设置有凸台，凸台外端面上缠绕有引线，引线两端分别连接有引脚一和引脚二，引脚一和引脚二均贯穿封装体，且焊接在封装后背上，封装后背固定在封装体底部，本实用新型本实用新型一种减薄的SOD‑123贴片二极管，通过改变外部结构的厚度，减薄了本实用新型整体的厚度，通过设置的凸台，最终达到增加引线与封装体的连接强度，有效的解决了引线与封装体剥落的问题，提升了产品质量，保证了产品的寿命，通过封装后背上开设的凹槽，便于本实用新型芯片热量的散热(槽自身也具有通风效果)，且减少了材料利用，降低了本实用新型的生产成本。
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