基于网络信息的片上网络路由器调度方法

    公开(公告)号:CN102546417B

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201210011131.0

    申请日:2012-01-14

    IPC分类号: H04L12/70

    摘要: 本发明公开了一种基于网络信息的片上网络路由器调度方法,主要解决由于路由器缓存空间有限和分组较长时网络阻塞严重的问题。其实现通过两个阶段完成,在第一阶段,输入仲裁单元按照从源节点到目的节点的跳数、当前节点到目的节点的跳数以及本地输入端口的锁虚信道数这三个参数选择输入队列为响应队列;在第二阶段,输出仲裁单元按照输出链路锁虚信道数、源节点到目的节点的跳数以及当前节点到目的节点的跳数这三个参数进行选择,通过两阶段的调度,为分组在片上网络路由器的输入和输出端口之间选择了一条最佳传输路径。本发明具有低时延、吞吐量高和分组链路流量均衡的优点,可优化片上网络路由器内部路径的分配。

    基于铌酸锂光子线的光定向耦合器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102508338B

    公开(公告)日:2013-02-20

    申请号:CN201110374357.2

    申请日:2011-11-22

    发明人: 陈明 刘子晨

    IPC分类号: G02B6/28 G02B6/125 G02B6/13

    摘要: 本发明公开了一种基于铌酸锂(缩写为LN)光子线的光定向耦合器,由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和平行对称的LN波导组成,其中,LN波导的高度为0.73μm,顶部宽度为0.4μm~0.55μm,波导的中心距为0.6μm~0.9μm。工作波长λ=1.55μm.适合于该定向耦合器的波导参数是:LN波导的折射率nLN=2.2;SiO2区域的折射率nSiO2=1.44;可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。利用OptiveFDTD商用软件仿真了该定向耦合器的耦合长度与两平行LN光波导轴间距的关系曲线,耦合长度与LN波导宽度的关系曲线,串噪音与工作波长的关系曲线。该光定向耦合器不仅具有超紧凑结构,和与极化无关的特点,而且还具有抵抗外部环境及压力变化引起结构参数改变,从而导致耦合长度变化的优点。

    PWM/PDM双模调制选择电路及双模调制方法

    公开(公告)号:CN101436821B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200810236458.1

    申请日:2008-12-25

    IPC分类号: H02M1/08 H02M3/00

    摘要: 本发明公开了一种PWM/PDM双模调制选择电路及双模调制方法,主要解决现有DC/DC转换器在大负载范围内平均转换效率不高的问题。整个电路包括偏置电路、带隙基准电压源、误差放大器、隔离共源跟随器、振荡器、积分器、模式判决比较器、控制比较器、锁存器和驱动缓冲器,其中模式判决比较器和一个锁存器连接在误差放大器的输出端与振荡器的控制端之间,将负载电流大小的比较通过占空比与三角波的关系转换成电压的比较,负载电流较大时,电路选择PWM调制模式,反之,负载电流较小时电路选择PDM调制模式。本发明在保证DC/DC转换器性能的条件下提高了负载变化区间内的平均转换效率,适用于负载电流变化较大,电路体积要求较小和对转换效率要求较高的DC/DC开关转换器中。

    CMOS图像传感器数据输出接口的低功耗编解码方法及编解码器

    公开(公告)号:CN101790024B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN201010107201.3

    申请日:2010-02-05

    IPC分类号: H04N5/376 H04N5/374

    摘要: 本发明公开了一种CMOS图像传感器数据输出接口的低功耗编解码方法及编解码器。其编码过程为:对原始像素数据低N-k位采用原数传送方式或BI编码方法编码;对原始像素数据高k位比较当前周期与当前周期之前第二个周期像素数据,若相等则接口数据输出保持不变,若不等则比较当前信号与当前周期之前第一个周期的接口信号,若不等则原数传送,若相等则传送当前周期之前第二个周期的原始数据。采用本发明具有编解码电路简单,延迟时间小和功耗低的优点,可应用于数码照相机、手机等低功耗便携设备中。

    一种低压CMOS电流源
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101561689B

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN200810238918.4

    申请日:2008-12-04

    IPC分类号: G05F3/26

    摘要: 本发明公开一种低压CMOS电流源,属于模拟集成电路领域,该低压CMOS电流源包括:PTAT电压源和与所述PTAT电压源连接的电流转换与镜像电路,其中所述PTAT电压源,用于产生一个具有正温度系数的基准电压VREF;所述电流转换与镜像电路,用于将所述基准电压VREF转换为基准电流,并通过电流镜像关系进行基准电流的输出。使该低压CMOS电流源具有良好的电源特性和温度特性,并且CMOS电流源的工艺偏差对该CMOS电流源的输出电流值的影响很小。

    单光子计数成像仪
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101387548B

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN200710018631.6

    申请日:2007-09-11

    IPC分类号: G01J1/42 G01J1/44

    摘要: 一种单光子计数成像探测装置,其高压电源通过高压引线与微光像增强管连接;显示器、图像处理装置、打印机分别与计算机连接,微光像增强管与前置放大器之间还设置有阳极收集器,阳极收集器包括衬底镀在衬底上的电极以及信号引线,阳极通过信号引线与前置放大器连接;微光像增强管包括沿光路依次设置的光电阴极以及与光电阴极连接的微通道板。本发明既可以用作到达时刻的时间标记读出,也可以将一个周期内积分的总图像一并读出,实现极微弱目标单光子计数及二维成像探测,不仅具有单光子计数功能,而且能够对极微弱发光目标进行二维成像的特点。本发明具有大面阵、高灵敏度、暗计数低、分辨率高、成像线性度好,实时测量处理的优点。

    基于区域的光电双层片上网络系统及路由方法

    公开(公告)号:CN101917333A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010220582.6

    申请日:2010-07-06

    IPC分类号: H04L12/56 H04L12/04 H04B10/12

    摘要: 本发明公开了一种基于区域的光电双层片上网络系统及路由方法,主要解决现有网络阻塞严重的问题。该系统包括64个处理器核,8个电交叉矩阵模块,8个8端口光路由器和8个16端口光路由器;64个处理器核被分为8个区域,在每个区域内部,由一个电交叉矩阵模块将8个处理器核集中互连,在区域之间,由电交叉矩阵模块、8端口光路由器和16端口光路由器将各个区域连接成一个整体网络;当通信双方在一个区域时,数据信息通过电交叉矩阵模块在区域内直接交换,当通信双方在不同区域时,数据信息通过电交叉矩阵模块、8端口光路由器和16端口光路由器在区域之间传输。本发明具有提高资源利用率的优点,可用于片上核间的互连,优化处理器核间的数据传输。

    一种单片机串口通信电路应用系统

    公开(公告)号:CN101876961A

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200910022370.4

    申请日:2009-04-30

    IPC分类号: G06F13/40

    摘要: 本发明提供的一种单片机串口通信电路应用系统,主要解决现有技术中由于串口馈电导致单片机无法上电复位,工作不可靠的问题。该系统括外部串口数据发送端Tx+、外部串口数据发送端Tx-、收发器和单片机,所述收发器设有外部数据接收端Rx+和外部数据接收端Rx-;所述收发器还设有数据输出端Rx,外部串口数据发送端Tx+与外部数据接收端Rx-连接;外部串口数据发送端Tx-与外部数据接收端Rx+连接;收发器和单片机之间连接有用于对数据输出端Rx输出的数据求反的逻辑求反电路;数据输出端Rx与逻辑求反电路的数据接收端连接;单片机的数据接收端RXD与逻辑求反电路的数据输出端连接。

    球面波磁旋光器件
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100349025C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200510042871.0

    申请日:2005-06-30

    IPC分类号: G02B5/30

    摘要: 本发明涉及一种球面波磁旋光器件。本发明包括由磁旋光材料制成的磁旋光玻璃体、透镜和均匀磁场产生体,磁旋光玻璃体置于均匀磁场产生体产生的磁场中,磁旋光玻璃体端面为平面,透镜贴于磁旋光玻璃体端面上。本发明解决了背景技术中没有针对球面波进行隔离和偏振旋光的旋光器件的技术问题。