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公开(公告)号:CN118315361A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410508726.X
申请日:2024-04-26
Applicant: 佛山市国星光电股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L31/12 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种光电耦合器引线框架及光电耦合器,所述光电耦合器引线框架包括第一引线框架和第二引线框架;所述第一引线框架包括第一引线框架本体,设置有若干条第一连接条,第一连接条上设置有若干个第一框架单元,第一框架单元包括第一框架子单元和第二框架子单元;所述第二引线框架包括第二引线框架本体,设置有若干条第二连接条,第二连接条上设置有若干个第二框架单元和/或若干个第三框架单元,第二框架单元包括第三框架子单元和第四框架子单元,第三框架单元包括第五框架子单元;每个框架子单元包括一个芯片粘结部、一个焊线部以及两个引脚。本发明的引线框架单位面积利用率高、支架密度高,在提高产品可靠性的同时降低了材料成本。
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公开(公告)号:CN115394868B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202211069174.4
申请日:2022-08-31
Applicant: 通威太阳能(合肥)有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/048 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种光伏组件、光伏系统以及光伏组件的制造方法。该光伏组件包括至少两个相邻设置的电池片和多个焊带;电池片具有第一边缘结构和第二边缘结构,第二边缘结构具有波浪形结构,且波浪形结构具有多个波谷子结构和多个波峰子结构;焊带连接于任意相邻的两个电池片之间,任一电池片的波峰子结构与相邻的电池片的第一边缘结构至少交叠设置,实现高密度的光伏组件连接。
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公开(公告)号:CN118266063A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202280076249.3
申请日:2022-12-23
Applicant: 维耶尔公司
Inventor: 格拉姆雷扎·查济
IPC: H01L21/60 , H01L23/482 , H01L25/16 , H01L27/15 , H01L27/146 , H01L31/02
Abstract: 本公开涉及平铺,这是开发大面积电子系统(诸如显示器和传感器)的一种方法。特别地,本发明公开了连接瓦片阵列、像素阵列以及在行和列中的像素之间分配信号。另外,本发明公开了瓦片的对准、瓦片的可区分性、在具有不同微型器件的子像素之间共享像素电路、以及控制开关和相对表面上的对准的EM信号。
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公开(公告)号:CN118248687A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410323820.8
申请日:2024-03-21
Applicant: 厦门华联半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种叠层微晶光耦合器,包括基板、发光芯片、接收芯片、透明膜片和封装胶体;基板为双面板,两端分设有输入侧焊盘和输出侧焊盘;输入侧焊盘的上下两面、输出侧焊盘的上下两面通过半孔工艺连接,为表贴焊盘;接收芯片安装于基板的正面,接收芯片通过引线方式直接和所述输出侧焊盘电连接,或通过引线方式和驱动芯片连接,再通过驱动芯片和输出侧焊盘电连接,驱动芯片安装于输出侧焊盘上,其漏级直接和输出侧焊盘连接;透明膜片设置在接收芯片的感光区域的上方;发光芯片以倒置安装方式设置在透明膜片的上方,并通过引线方式连接到输入侧焊盘。本发明以基板为载体形成表贴封装结构,可简化生产工艺,且产品外形尺寸可大大缩小。
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公开(公告)号:CN118231485A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202311761932.3
申请日:2023-12-20
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor: 福中敏昭
IPC: H01L31/0203 , H01L31/02 , G01N21/3504
Abstract: 本发明提供光电转换元件和气体传感器,能够抑制因半导体基板的变形所引起的特性变动。光电转换元件具备:半导体组件(21),其具备半导体元件部(10)和密封部(20),该半导体元件部(10)具有射出或射入光的光射出射入面(10a)、半导体基板(111)、半导体层(112)以及电极(113),该密封部(20)覆盖半导体元件部的侧面;和绝缘层(31),其设于半导体组件的一侧的面,覆盖电极和外部连接端子之间的重布线,绝缘层构成为包括第1绝缘层(311)和第2绝缘层(312)且使重布线设于它们之间,形成为不覆盖半导体层的至少局部或者与覆盖重布线的绝缘层的厚度相比较薄地覆盖半导体层的至少局部。
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公开(公告)号:CN118213441A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410393796.5
申请日:2024-04-02
Applicant: 常州时创能源股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供了一种背面SE结构TOPCon电池的制作方法,本发明方法在SE结构的金属区形成高浓度+厚poly,非金属区形成低浓度+薄poly的结构。采用以上方法制成的结构既保证了厚度差异,同时也满足了浓度差异,高浓度和厚poly的金属区保证了浆料的接触性能,非金属区的薄poly和低浓度也可以降低寄生吸收和自由载流子吸收,从而提高短路电流。
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公开(公告)号:CN118213415A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202211620291.5
申请日:2022-12-15
Applicant: 荣耀终端有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种电子设备的配件、电子设备及电子设备的配件的制备方法,电子设备的配件用于供电子设备握持或佩戴,电子设备的配件包括配件本体和太阳能电池单元,太阳能电池单元包括基板和多个太阳能电池模组,各太阳能电池模组贴装在基板上,且与基板电连接;配件本体上设置安装槽,基板设置于安装槽内,各太阳能电池模组至少部分位于安装槽内,各太阳能电池模组通过基板向电子设备供电。本申请实施例提供的电子设备的配件,能为电子设备供电,且避免影响电子设备的厚度。
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公开(公告)号:CN118198169A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202311857631.0
申请日:2023-12-29
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0376 , H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括:单晶硅衬底;依次设置在单晶硅衬底第一侧的第一本征非晶硅层、N型掺杂硅材料层、第一透明导电层以及第一电极;依次设置在单晶硅衬底第二侧的第二本征非晶硅层、P型掺杂硅材料层、第二透明导电层以及第二电极,P型掺杂硅材料层的基体材料包括纳米晶硅和/或微晶硅。并在P型掺杂硅材料层和第二透明导电层之间设置P型掺杂非晶硅层,第二透明导电层形成在P型掺杂非晶硅层上时具有更高的载流子迁移率,使得载流子在横向上的传输效果更好。在与第二电极位置对应的区域,P型掺杂非晶硅层形成有缺口,有利于载流子向第二电极传输,有效发挥P型掺杂硅材料层提高光电转换效率的作用。
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公开(公告)号:CN118156353A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410174793.2
申请日:2024-02-07
Applicant: 上海新微半导体有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/02 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器,外延衬底的上表面上设置有外延层,所述外延层上设置有第一电极和第二电极,外延衬底的下表面为光入射面;所述外延衬底的上表面与散热衬底的上表面相对设置,所述散热衬底的上表面上具有第一金属层和第二金属层,通过第一导电金柱电性连接所述第一电极与所述第一金属层,通过第二导电金柱电性连接所述第二电极与所述第二金属层。本发明中的光电探测器为倒装结构,不需要打线封装,且所述散热衬底可以提高散热效果,方便测试,可以实现高饱和线性输出、高速及高响应度。相应的,本发明还提供了一种光电探测器的制备方法。
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公开(公告)号:CN118156323A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410579144.0
申请日:2024-05-11
Applicant: 金阳(泉州)新能源科技有限公司
Inventor: 林楷睿
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种联合钝化背接触电池及其制作方法和光伏组件,包括硅片,在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层,第二半导体层包含本征非晶硅层和P型掺杂硅层,第一半导体层包含从硅片背面向外依次设置的隧穿氧化铝层和N型掺杂多晶硅层,所述N型掺杂多晶硅层的厚度为20‑40nm,所述N型掺杂多晶硅层的有效掺杂浓度为7e20cm‑3‑9e20cm‑3。本发明能够在保证钝化的前提下,最大限度的降低背面的光学损耗,提升短路电流,提高电池转换效率;且提高膜层导电性,而且减薄后的N型掺杂多晶硅层的工艺时间大幅度缩短,产能显著提升。
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