-
公开(公告)号：CN112053981A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010983203.2
申请日：2020-09-17
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/677
摘要： 本发明的实施例提供了一种防刮伤晶圆盒，涉及半导体设备技术领域，该防刮伤晶圆盒包括盒体、至少一组晶圆支撑架和至少一个光感测装置，盒体具有一供机械手臂伸入的开口；晶圆支撑架设置在盒体的侧壁上，且晶圆支撑架用于承载晶圆；光感测装置设置在盒体的侧壁上，其中，光感测装置用于在晶圆上方形成光帘，并在光帘受阻的情况下报警。当机械手臂高度异常时，会与光帘发生干涉，使得光帘受阻，而光感测装置能够在光帘受阻时报警，使得操作人员及时获知机械手臂高度异常情况并停机，有效避免了机械手臂刮伤晶圆，同时也避免了目视法视野不足而造成误判的情况。
-
公开(公告)号：CN111933614A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010806679.9
申请日：2020-08-12
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/64
摘要： 本发明提供了一种半导体器件、集成电路及电子设备，包括：衬底；位于所述衬底一侧表面且叠加设置的多个结构层，所述多个结构层包括至少一个导电层，所述导电层包括有效组件且至少一个所述导电层包括辅助被动组件。本发明提供的半导体器件中，在半导体器件中的有效组件无法满足需求时，可以将半导体器件的有效组件与辅助被动组件相应连接，进而减少甚至无需将有效组件外接被动组件，改善了半导体器件需要外接被动组件的情况，简化了集成电路的制程，同时减小了集成电路的占用面积。
-
公开(公告)号：CN111933524A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010834777.3
申请日：2020-08-19
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 本发明提供了一种电连接组件及其制备方法和半导体器件。电连接组件包括导体线和形成在导体线上的多条金属线，多条金属线的长度方向垂直于导体线的长度方向，多条金属线平行间隔设置；其中，导体线的两端分别伸出金属线的部分为第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部的长度E1和第二延伸部的长度E2根据导体线的长度L、金属线的计算数量n、相邻金属线的极小间距Sm、金属线的极小宽度Wm和导体线的端部的极小延伸长度Em确定。这样，就能够获得导体线与金属线的完整的、精准的尺寸数据，按照这些尺寸数据，就能够制备出尺寸精度较高的导体线与金属线，特别是，第一延伸部的长度E1和第二延伸部的长度E2的尺寸精度可靠，提高器件的良品率。
-
公开(公告)号：CN111913346A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010863609.7
申请日：2020-08-25
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G03F1/66
摘要： 本申请实施例提供了一种光掩模组件及光刻系统，光掩模组件包括透明容器以及透明容器内部设置的光掩模，透明容器用于在光掩模的曝光过程中为光掩模隔绝空气，透明容器中填充有超洁净水或超洁净空气，这样光掩模上无需形成覆膜，节省了在光掩模上形成覆膜所需要的工艺和成本，同时透明容器可以在曝光过程中为光掩模隔绝空气，以及空气中的粉尘，同时透明容器中的超洁净液体或超洁净气体可以对光掩模表面起到净化作用以及组织表面物质聚集的作用，因此可以降低光掩模表面的杂质堆积，减少光掩模的曝光缺陷。
-
-
公开(公告)号：CN111710634A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010772459.9
申请日：2020-08-04
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明提供一种晶圆抓取方法、装置及设备，在机械手臂的至少一个末端安装红外线感测器，机械用于抓取晶圆。而后，将红外线感测器从托盘的第一端移动至托盘的第二端，托盘中放置有晶圆，在红外线感测器在移动的过程中计算红外线感测器检测到晶圆的时间，当检测到晶圆的时间段与标准时间段的差值在阈值范围内时，抓取晶圆。这样，通过在机械手臂的末端设置红外线感测器，利用红外线感测器从托盘的第一端移动至托盘的第二端的过程中检测到晶圆的时间段，当检测到的晶圆的时间段与标准时间段的差值在阈值范围内时，说明晶圆处于托盘的中心位置，此时进行晶圆的抓取，避免晶圆偏移或机械手臂偏移导致破片或掉片，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN111880385B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010841196.2
申请日：2020-08-19
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供一种光刻胶去除装置，涉及半导体设备技术领域，用于去除待加工芯片上的光刻胶，包括：第一喷嘴、第二喷嘴和基座，待加工芯片设置于基座；第一喷嘴和第二喷嘴分别位于待加工芯片相对的两侧，第一喷嘴朝向待加工芯片的上表面喷洒清洁液；第二喷嘴朝向待加工芯片的下表面喷洒加热后的氮气以加热待加工芯片至预设反应温度。实现将氮气的温度传递至待加工芯片，使得待加工芯片的表面温度升高，通过控制氮气的温度，即可实现对待加工芯片表面的温度，即预设反应温度进行精确控制，使得清洁液在与光刻胶反应时能够始终保持在高效温度区间，进而在提高反应速率的同时，也进一步的提高清洗的效率以及效果。
-
公开(公告)号：CN112749424B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110049978.7
申请日：2021-01-14
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质，涉及半导体技术领域。光刻胶的轮廓三维建模方法包括：多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；将光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；获取复数轮廓的白边宽度和差异量；根据白边宽度和差异量，建立光刻胶三维模型。这样，可以从复数轮廓的灰阶图像中获取白边宽度和差异量，根据白边宽度和差异量，即可得出光刻胶侧墙的三维尺寸信息，从而建立光刻胶三维模型，不需要再单独调整系统参数来收集光刻胶侧墙的三维尺寸信息，能够显著提高建模效率和精度。而且，建立的光刻胶三维模型能够用于预测其它图型中光刻胶的三维尺寸。
-
公开(公告)号：CN113035864B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110245402.8
申请日：2021-03-05
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/535
摘要： 本发明的实施例提供了一种电源配置结构、集成电路器件和电子设备，涉及半导体技术领域。电源配置结构包括至少一层电源金属层，各电源金属层层叠设置，各电源金属层包括多个相同的电源布线单元，各电源布线单元包括电源连接线以及电源区段线，每个电源布线单元的电源区段线与该电源布线单元的电源连接线连接，各电源布线单元的电源连接线用于接入电流，其中，位于同一电源金属层的各电源布线单元的电源连接线的接入电流值的和为目标电流值，且位于同一电源金属层的各电源布线单元沿同一方向并排设置，使得各电源布线单元的电源区段线的长度和为目标长度，如此，通过减小电源传递途径的长度，有效改善了电源压降。
-
公开(公告)号：CN112951920B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110177234.3
申请日：2021-02-07
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 陈尚志
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请公开了一种半导体鳍式场效应晶体管结构及其制备方法，其中，所述半导体鳍式场效应晶体管结构的衬底中设计有至少两类防穿通注入，不同类的所述防穿通注入深入所述衬底的深度和/或掺杂浓度不同，可以兼顾不同器件或区域对于载流子迁移率和抗漏电能力的需求，避免同一深度或掺杂浓度的防穿通注入无法兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的情况，实现合理设计半导体鳍式场效应晶体管结构中的防穿通注入、兼顾载流子迁移率和抗漏电能力需求的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
195 条记录 (耗时 0.06 秒)
