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公开(公告)号：CN112310130A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010557071.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：光电二极管，响应于光来生成电荷；转移晶体管，连接光电二极管和浮置扩散体；复位晶体管，连接在浮置扩散体和电力节点之间；增压电容器，连接到浮置扩散体，并响应于增压控制信号来调整浮置扩散体的容量；以及偏置电路，具有第一电流电路和第二电流电路，用于向输出节点供应不同的偏置电流，其中向所述输出节点输出与浮置扩散体中累积的电荷相对应的电压信号。在转移晶体管断开之后，增压控制信号从高电平下降到低电平，并且当将第一电流电路和第二电流电路的偏置电流同时提供给输出节点时，复位晶体管从导通状态切换到断开状态。
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公开(公告)号：CN111916468A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010374637.2
申请日：2020-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。一种在包括低分辨率模式和高分辨率模式的多种分辨率模式下操作的图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列，其中，所述多个像素中的每个像素包括：具有第一光电二极管的第一子像素和具有第二光电二极管的第二子像素，并且所述第一子像素和所述第二子像素相邻地设置，并且共享浮置扩散区。所述图像传感器还包括行驱动器，向所述像素阵列提供控制信号以控制自动聚焦(AF)功能的执行，使得所述AF功能的执行包括：在所述高分辨率模式下以像素为单位执行所述AF功能，在所述低分辨率模式下以像素组为单位执行所述AF功能。
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公开(公告)号：CN105529342B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201510673228.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。
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公开(公告)号：CN111192888A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010004598.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110035241A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811451035.1
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N5/341
Abstract: 公开一种图像传感器。一种图像传感器包括：光电转换单元，被配置为接收光以产生电荷并将所述电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为响应于第一信号而将第一节点的电压电平提供给浮置扩散节点；升压器，被配置为响应于第二信号而增大浮置扩散节点的电压电平；源极跟随器晶体管，被配置为将浮置扩散节点的电压电平提供给第二节点；选择晶体管，被配置为响应于第三信号而将第二节点的电压电平提供给像素输出端。在选择晶体管被导通之后，升压器被启用，并且在转移晶体管被导通之前，升压器被禁用。
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公开(公告)号：CN108695350A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275410.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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公开(公告)号：CN108270980A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711390355.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/35581 , H04N5/243 , H04N5/345 , H04N5/35563 , H04N5/3559 , H04N5/3575 , H04N5/37457 , H04N9/045 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器包含像素阵列，该像素阵列包含沿着多个行和多个列排列的多个单元像素。多个单元像素中的每个包含：光电转换元件，该光电转换元件生成并且积累光电荷；电荷检测节点，该电荷检测节点接收在光电转换元件中积累的光电荷；读出电路，该读出电路将积累的并且从电荷检测节点输出的光电荷转换为电像素信号，该读出电路输出该电像素信号；电容元件；以及开关元件，该开关元件控制电荷检测节点与电容元件之间的连接。所述像素阵列中的所述行中的每个包含连接到第一转换增益控制线的第一像素和连接到第二转换增益控制线的第二像素。
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公开(公告)号：CN106783898A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610891753.5
申请日：2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器，例如绿色和红色滤光器，可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。
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公开(公告)号：CN105390513A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510520083.1
申请日：2015-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 提供了以全局快门模式操作的图像传感器的单位像素。所述单位像素包括：光电二极管区域，包括被配置为累积在第一时间段期间从入射光生成的光电荷的光电二极管；以及存储二极管区域，包括被配置为从光电二极管接收和存储光电荷的存储二极管。光电二极管对应于聚焦入射光的微镜。
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