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公开(公告)号:CN106783898A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201610891753.5
申请日:2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464
Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器,例如绿色和红色滤光器,可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。
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公开(公告)号:CN106783898B
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN201610891753.5
申请日:2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器,例如绿色和红色滤光器,可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。
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公开(公告)号:CN103985721B
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201410046825.7
申请日:2014-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14641
Abstract: 公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括:第一光栅极,响应于第一光控制信号导通/截止;第一光检测区,被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷;第一发送栅极,响应于第一发送控制信号导通/截止;第一浮置扩散区,被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷;和第一补偿单元,被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷,以向第一浮置扩散区供应第二电荷。
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公开(公告)号:CN103985721A
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201410046825.7
申请日:2014-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14641
Abstract: 本发明公开深度像素、三维图像传感器和操作深度像素的方法。一种三维图像传感器的深度像素包括:第一光栅极,响应于第一光控制信号导通/截止;第一光检测区,被配置为当第一光栅极导通时基于被对象反射的接收光产生第一电荷;第一发送栅极,响应于第一发送控制信号导通/截止;第一浮置扩散区,被配置为当第一发送栅极导通时累积从第一光检测区产生的第一电荷;和第一补偿单元,被配置为基于接收光中包括的环境光分量产生不同于第一电荷的第二电荷,以向第一浮置扩散区供应第二电荷。
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