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公开(公告)号：CN102017150B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200980115090.6
申请日：2009-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/359 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 一种包括多个像素(100)的固态成像装置，各像素包含：用于保持来自光电转换部分(101)的信号载流子的第一保持部分(103)，用于放大和读取基于在光电转换部分中产生的信号载流子的信号的放大部分(109)，以及用于将光电转换部分中的电荷载流子排出到OFD区域的载流子排出控制部分(111)；并在光电转换部分和第一保持部分之间具有载流子路径，其中，当从光电转换部分的输出节点观察时，固态成像装置还包括通过第一传送单元(104)与第一保持部分并联电连接的第二保持部分(105)，由此在抑制产生混入电荷载流子保持部分中的噪声的同时使动画成像平滑化而不导致不连续的帧。
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公开(公告)号：CN105789230A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610218783.X
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元、浮置扩散单元、第一栅电极和第二栅电极。电荷存储单元存储在光电转换单元中产生的电荷。该电荷被传送至浮置扩散单元。第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间和电荷存储单元之上延伸，第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸。固态图像拾取装置还包括遮光部件，设置在第一栅电极和电荷存储单元之上且在第一栅电极与第二栅电极之间。遮光部件的底表面的在第一栅电极与第二栅电极之间且在半导体基板的表面之上的部分比该底表面的在第一栅电极之上的另一部分距半导体基板的表面更近。
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公开(公告)号：CN105575983A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510713334.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小林昌弘
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14643
Abstract: 本公开提供了一种摄像装置。所述摄像装置能够增大连接状态下的输入节点的电容值，而不减小在电容处于非连接状态时的放大晶体管增益。在根据本公开的方面的摄像装置中，放大晶体管的栅极电极布置在半导体基板的主表面上，具有第二导电型的第三半导体区域布置在所述栅极电极的下部中，并且电容的PN结面的具有所述第二导电型的杂质的添加杂质浓度高于，所述第三半导体区域中的、从所述主表面直到布置有所述放大晶体管的源极和漏极的深度处的区域中具有所述第二导电型的添加杂质浓度的最大值。
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公开(公告)号：CN103219347B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310018719.3
申请日：2013-01-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14656 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14654 , H01L27/14689 , H01L28/40 , H01L31/02 , H04N5/355 , H04N5/3559 , H04N5/369
Abstract: 公开了图像拾取设备以及图像拾取系统。在将光电转换单元中所包括的多个光电转换元件的信号相加的光电转换设备中，多个光电转换元件中的每一个包括第一导电类型的收集信号载流子的第一半导体区域。光电转换单元中的每一个中所包括的并且彼此相邻设置的光电转换元件中所包括的所述第一半导体区域夹有第二导电类型的第二半导体区域。在第二半导体区域的某一区域中所生成的信号载流子的势垒的高度小于在每个第一半导体区域和第一导电类型的溢漏区域之间的第三半导体区域中所生成的信号载流子的势垒的高度。
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公开(公告)号：CN105304660A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510441094.0
申请日：2015-07-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小林昌弘
IPC: H01L27/146 , H01L27/14
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14616 , H01L27/14643 , H04N5/3559 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14636
Abstract: 本发明涉及成像装置及其驱动方法。根据本发明实施例的成像装置包括多个像素。每个像素具有活性区域，该活性区域在平面图中包括第一区域和第二区域，在第一区域和第二区域之间具有电极。作为活性区域的一部分且位于电极下方的部分形成电容器的至少一部分。第一区域包括第一导电类型的第一半导体区域，第一半导体区域形成浮置扩散区的至少一部分，并且第二区域包括与第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区域。在第二半导体区域上设置有绝缘膜。
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公开(公告)号：CN104954703A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510137664.7
申请日：2015-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3745
Abstract: 本公开内容涉及固态图像传感器和图像感测系统。一种传感器具有包括像素块的图像感测单元以及用于从图像感测单元读出信号的读出单元。像素块包括光电转换器、第一和第二晶体管以及电流源。第一和第二晶体管的第一主电极连接到公共节点，并且电流源被设置在该公共节点与预定电压之间。信号读出操作包括如下操作：在该操作中，与光电转换器中的电荷对应的电压供给第一晶体管的控制电极，并且在时间上变化的参考电压供给第二晶体管的控制电极。读出单元经第一晶体管的第二主电极从图像感测单元读出信号。
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公开(公告)号：CN102576717B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080044580.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14806 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H04N5/335 , H04N5/359 , H04N5/37452
Abstract: 固态图像拾取装置包括多个像素，多个像素中的每一个包含光电转换部分(104)、电荷保持部分(102)、浮置扩散(114)和传送部分(103)。像素还包含保持部分下隔离层(111)和像素隔离层(117)。与保持部分下隔离层的光电转换部分侧的端部相比，像素隔离层的光电转换部分侧的端部远离光电转换部分，并且，构成光电转换部分的一部分的N型半导体区域(105)被设置在保持部分下隔离层的至少一部分下方。
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公开(公告)号：CN102668080B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080058403.1
申请日：2010-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括：被设置在半导体基板中的多个光电转换单元；被设置在光入射的半导体基板的第一主表面侧的第一平坦化层；被设置在第一平坦化层上并包含各对于相应的光电转换单元设置的滤色器的滤色器层；以及被设置在滤色器层上用于减小滤色器之间的高度差的第二平坦化层。在所述固态图像拾取装置中，间隙被设置在与滤色器层中的邻近滤色器之间的边界对应的位置中，间隙延伸到第二平坦化层，并且用于密封间隙的密封层被设置在间隙和第二平坦化层上。
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公开(公告)号：CN102576717A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044580.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14806 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H04N5/335 , H04N5/359 , H04N5/37452
Abstract: 固态图像拾取装置包括多个像素，多个像素中的每一个包含光电转换部分(104)、电荷保持部分(102)、浮置扩散(114)和传送部分(103)。像素还包含保持部分下隔离层(111)和像素隔离层(117)。与保持部分下隔离层的光电转换部分侧的端部相比，像素隔离层的光电转换部分侧的端部远离光电转换部分，并且，构成光电转换部分的一部分的N型半导体区域(105)被设置在保持部分下隔离层的至少一部分下方。
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