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公开(公告)号：CN114822650A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210525759.6
申请日：2022-05-16
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种NAND闪存的数据写入方法、装置、存储介质及存储设备，该方法包括：判断目标字线的目标存储单元的待写入存储态是否为NAND闪存的最高存储态，若目标字线的目标存储单元的待写入存储态为NAND闪存的最高存储态，则获取与目标字线相邻的前一个字线上与目标存储单元临近的存储单元的存储态；当与目标字线相邻的前一个字线上与目标存储单元临近的存储单元的存储态低于预设的存储态阈值时，采用预设的优化编写验证电压对目标存储单元进行最高存储态的写入，优化编写验证电压大于最高存储态对应的标准编写验证电压。本发明能够获得更长的数据保留时间，增大读取窗口，提高闪存数据可靠性，减少出错。
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公开(公告)号：CN114816835A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210732186.4
申请日：2022-06-27
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种等效驻留时间的恢复方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：当第一存储器发生故障时判断第一存储器的故障类别是否属于预设的第一故障类别集合；若属于则周期性获取第一存储器的温度，记录第一存储器在各个获取时刻的时间‑温度信息；当第一存储器恢复工作时，根据时间‑温度信息计算第一存储器故障期间的等效驻留时间补偿值并发送到第一存储器，或将时间‑温度信息发送到第一存储器，由第一存储器根据时间‑温度信息计算等效驻留时间补偿值，并根据补偿值进行等效驻留时间的恢复。本发明能够对存储器故障期间的等效驻留时间进行准确补偿恢复，在提升存储器的读取速度的同时降低原始误码率。
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公开(公告)号：CN114791888A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210709306.9
申请日：2022-06-22
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： G06F12/1009 , G06F12/02
摘要： 本发明涉及一种状态映射处理方法及装置、介质、SSD设备，方法包括：按照数据单元类型将待处理数据进行分组，得到多个数据组；统计所述多个数据组中每一个数据状态的数量，并将各个数据状态按照数量的第一顺序方向进行排序，得到数据状态序列；将存储颗粒的各个存储状态按照误判概率的第二顺序方向进行排序，得到存储状态序列；将所述数据状态序列中的每一个数据状态和所述存储状态序列中对应位置的存储状态进行一一映射，得到第一状态映射表；获取所述存储颗粒采用的格雷码映射表；根据所述第一状态映射表和所述格雷码映射表，生成第二状态映射表。本发明可以降低数据整体的比特误码率。
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公开(公告)号：CN114020573B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111317083.3
申请日：2021-11-09
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 本发明提供了一种判决电平预测方法、存储介质及SSD设备，所述方法包括：当进行数据读取时，获取存储单元的使用状态信息、读数据温度和写数据温度，读数据温度为存储单元的当前温度，写数据温度为数据写入时所述存储单元的温度；根据所述使用状态信息预测所述存储单元的判决电平；根据读数据温度和写数据温度确定判决电平补偿值，并根据所述判决电平补偿值对预测出的判决电平进行修正。本发明通过计算存储单元在跨温场景的使用状态信息并基于使用状态信息预测最优判决电平，以便在读数据时采用最优判决电平进行数据读取，有效减少由跨温读写引起的读数据的RBER，降低ECC解码器的迭代时间和相应功耗，提升了整个SSD设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114118439B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111317064.0
申请日：2021-11-09
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种判决电平预测模型的训练数据生成方法、系统及存储介质，所述方法包括：获取存储单元在等效驻留时间大于或等于目标等效驻留时间之后处于不同温度环境下的跨温扫描数据；根据所述跨温扫描数据对最优判决电平数据进行温度补偿数据拟合，将最优判决电平数据随温度拟合的直线斜率作为温度补偿系数；获取存储单元处于指定温度环境下在不同等效驻留时间时进行数据读取的最优判决电平数据集合；根据得到的温度补偿系数对获取的最优判决电平数据集合进行修正，得到判决电平预测模型的训练数据。本发明大大降低了判决电平预测模型的训练数据在数据生成环节的测试工作量，节省测试成本。
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公开(公告)号：CN109684150B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201811583601.4
申请日：2018-12-24
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种存储颗粒控制器的性能测试系统、测试方法及仿真平台，该测试方法包括：接收主机控制中心发送的闪存命令；采用闪存命令模拟存储颗粒控制器发送的控制命令，并将控制命令发送到存储颗粒模拟器，以操作存储颗粒模拟器中的待操作数据，存储颗粒模拟器用于模拟Flash存储颗粒在指定寿命周期的NAND存储特性对预设原始数据进行相应处理；接收存储颗粒模拟器返回的操作结果，按照所仿真的存储颗粒控制器的纠错模型对操作结果进行纠错处理并发送到主机控制中心，以确定纠错模型的性能。本发明不仅可以快速、高效地实现对存储颗粒控制器的性能测试，还能够高效、可控地实现特性以及异常场景的测试，极大提高了存储产品的性能和数据可靠性。
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公开(公告)号：CN114118439A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111317064.0
申请日：2021-11-09
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种判决电平预测模型的训练数据生成方法、系统及存储介质，所述方法包括：获取存储单元在等效驻留时间大于或等于目标等效驻留时间之后处于不同温度环境下的跨温扫描数据；根据所述跨温扫描数据对最优判决电平数据进行温度补偿数据拟合，将最优判决电平数据随温度拟合的直线斜率作为温度补偿系数；获取存储单元处于指定温度环境下在不同等效驻留时间时进行数据读取的最优判决电平数据集合；根据得到的温度补偿系数对获取的最优判决电平数据集合进行修正，得到判决电平预测模型的训练数据。本发明大大降低了判决电平预测模型的训练数据在数据生成环节的测试工作量，节省测试成本。
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公开(公告)号：CN114020573A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111317083.3
申请日：2021-11-09
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 本发明提供了一种判决电平预测方法、存储介质及SSD设备，所述方法包括：当进行数据读取时，获取存储单元的使用状态信息、读数据温度和写数据温度，读数据温度为存储单元的当前温度，写数据温度为数据写入时所述存储单元的温度；根据所述使用状态信息预测所述存储单元的判决电平；根据读数据温度和写数据温度确定判决电平补偿值，并根据所述判决电平补偿值对预测出的判决电平进行修正。本发明通过计算存储单元在跨温场景的使用状态信息并基于使用状态信息预测最优判决电平，以便在读数据时采用最优判决电平进行数据读取，有效减少由跨温读写引起的读数据的RBER，降低ECC解码器的迭代时间和相应功耗，提升了整个SSD设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113918091A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111069970.3
申请日：2021-09-13
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明实施例提供了一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，所述方法包括：获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式；将所述目标物理块的存储模式转换为所述目标存储模式。本发明实施例提出的NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，能够将NAND闪存中的失效位数大于预设限制阈值的物理块逐级转换成存储容量相对较小但寿命更长的存储模式使用，从而减少坏块数，提高NAND闪存的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107273198B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201710457168.9
申请日：2017-06-16
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种SSD控制芯片的中断控制方法、装置及SSD设备，所述方法包括：对SSD控制芯片的中断请求进行监测；当监测到所述SSD控制芯片向主机发送中断请求时，判断预设的主状态机的当前状态，所述主状态机被配置为在所述SSD控制芯片向主机发送中断请求后进入发送中断状态；若所述主状态机为发送中断状态，则拦截所述中断请求，使其无法继续向主机发送。本发明实施例提出的SSD控制芯片的中断控制方法、装置及SSD设备，能够有效地减少一定数量的重复中断，以减少CPU的无效开销，提升SSD的整体性能。
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