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公开(公告)号：CN117558333A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311584862.9
申请日：2023-11-24
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种实现NAND FLASH电流测试的系统及方法，所述系统包括上位机和测试板卡，测试板卡包括主控制器、从控制器和电流采集电路，主控制器负责与上位机交互，接收上位机下发的测试命令到，测试命令包括电流测量指令和/或闪存操作指令，主控制器负责根据闪存操作指令对NAND FLASH进行常规操作测试，使其进入待模拟闪存工况状态，从控制器接收主控制器转发或上位机直接下发的电流测量指令，负责控制电流采集电路对进入待模拟闪存工况状态下NAND FLASH进行高速、高精度的电流测量，解决了现有NAND flash测试中，测试板卡无法兼顾NAND FLASH常规测试和高速、高精度电流测量的技术难题，而且在实现高速、高精度的电流测量时不会干扰正常的NAND Flash测试进程。
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公开(公告)号：CN116126253A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310422100.2
申请日：2023-04-19
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种固态硬盘SSD的流量控制方法、装置、存储介质及设备，该方法包括：获取SSD的剩余存储空间；当SSD的剩余存储空间小于预设的第一阈值时，查找SSD中的目标垃圾回收块，目标垃圾回收块包括至少一个待进行垃圾回收操作的物理块；根据历史垃圾回收块对应的历史状态参数和SSD的剩余存储空间动态生成SSD的当前垃圾回收操作的流控系数；根据流控系数实现对目标垃圾回收块中待回收搬迁数据的写流量控制。本发明根据历史垃圾回收块的历史状态参数和SSD的剩余存储空间生成流控系数，以此实现对目标垃圾回收块中待回收搬迁数据的写流量控制，有效改善由于垃圾回收引起的用户写IO抖动的问题。
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公开(公告)号：CN114530178B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111678305.4
申请日：2021-12-31
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备，该方法包括：读取NAND芯片中写入块的数据时，获取所述写入块写入的字线数；根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压；根据所述优选读电压对所述写入块进行读取。本发明在读取NAND芯片中写入块Open Block的数据时，根据Open Block写入的字线数来自动优化该Open Block的读电压，用优化后的优选读电压去读取该Open Block，从而减小Open Block的失效位数，提高NAND芯片的读取效率。
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公开(公告)号：CN114995750A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210573797.9
申请日：2022-05-25
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备，该方法包括：对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作；在对擦除后的目标存储单元进行数据写入时，若当前待写入的存储态为最低态，则采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程，所述优化编写验证电压低于擦除操作对应的擦除验证电压。本发明在对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作之后，通过将写入数据为最低态的存储单元采用预设的优化编程验证电压进行编程，使得数据写入后E态没有极低的阈值电压，从而避免了极低阈值电压存储单元与临近层高存储态的搭配影响数据保持时间的问题，提高数据的Retention特性。
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公开(公告)号：CN111245441B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010007952.1
申请日：2020-01-03
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种纠错码的判决信息的产生方法和装置。该方法包括：确定存储单元所在的状态区间；根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入。该装置位于与存储器连接的存储控制器中，该装置包括：状态区间确定单元，用于确定存储单元所在的状态区间；查表判决单元，用于根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入。这种方法和装置提高了存储控制器判决信息精度，使之能较准确地反映不同比特位在不同状态区间的可靠度，从而提升LDPC码的译码性能。
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公开(公告)号：CN114726382B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210525771.7
申请日：2022-05-16
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种ECC帧长匹配方法、装置、存储介质及固态硬盘，该方法包括：将有效数据的数据长度与ECC编码帧结构中信息序列的数据长度进行匹配，根据匹配结果对有效数据对应的ECC编码帧的信息序列进行截断处理，以使ECC编码帧的信息序列的截断后的数据长度与有效数据的数据长度一致；将物理页的单位存储空间的存储容量与信息序列截断后的ECC编码帧的数据长度进行匹配，根据匹配结果对ECC编码帧中的码字进行打孔处理，以使ECC编码帧的数据长度与单位存储空间的存储容量一致。本发明同时使用打孔和截断技术使得ECC编码帧的长度能够完全匹配物理页的尺寸，使得等效码率最低，提高数据可靠性。
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公开(公告)号：CN114816836A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210732196.8
申请日：2022-06-27
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
摘要： 本发明涉及数据存储技术领域，提供一种等效驻留时间的恢复方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：当发生故障的第一存储器恢复工作时，获取故障期间的等效驻留时间补偿值；采用预设的修正策略对等效驻留时间补偿值进行修正，得到对应的修正值集合；采用修正值集合中的各个修正值对第一存储器中的目标存储单元的最优判决电平进行预测，并计算采用与各个修正值对应的最优判决电平进行数据读取时的比特误码率；选取对应的比特误码率最小的修正值作为最优等效驻留时间补偿值，以此对存储器中各个存储单元的等效驻留时间进行恢复。本发明能够对存储器故障期间的等效驻留时间进行精准恢复，在提升存储器的读取速度的同时降低原始误码率。
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公开(公告)号：CN114142871B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111470813.3
申请日：2021-12-03
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： H03M13/11
摘要： 本发明提供了一种可提前终止迭代的增量计算的LDPC校验方法及装置，该方法包括：对待解码数据进行初始校验，并判断初始检验是否成功；若初始校验失败，则按照行更新算法对待解码数据进行行更新，将LDPC校验矩阵中每个非零矩阵块与对应的更新后的数据块进行第二校验计算，并将第二校验计算结果与初始校验结果做增量校验；在行更新结束且完成当前校验行的增量校验后，判断增量校验是否成功；若增量校验成功，则停止迭代校验。本发明灵活实现任意行运算结束后提前终止迭代，同时每行的校验只计算当前行更新的数据块，可将增量校验计算完美融入到行更新的流水中，无需额外的周期，进而在增加灵活性的同时提高带宽，改善译码性能。
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公开(公告)号：CN113918091B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111069970.3
申请日：2021-09-13
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明实施例提供了一种NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，所述方法包括：获取NAND闪存中失效位数大于预设限制阈值的目标物理块的当前存储模式；选取与所述当前存储模式匹配的目标存储模式，所述目标存储模式为存储位数比当前存储模式降低一位的储存模式；将所述目标物理块的存储模式转换为所述目标存储模式。本发明实施例提出的NAND闪存中物理块的控制方法、装置及SSD设备，能够将NAND闪存中的失效位数大于预设限制阈值的物理块逐级转换成存储容量相对较小但寿命更长的存储模式使用，从而减少坏块数，提高NAND闪存的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113055028B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110292946.X
申请日：2021-03-18
申请人： 北京得瑞领新科技有限公司
IPC分类号： H03M13/11
摘要： 本申请涉及一种LDPC解码方法、解码器、解码装置及存储介质，所述LDPC解码方法包括：在当前LDPC解码迭代中，对于每个校验节点，根据预设的第一幅度和第二幅度分别限制目标信息模值的最小值和次小值；所述目标信息模值为与该校验节点相邻变量节点传递给该校验节点的信息模值；根据限制的次小值向预先标记的目标相邻变量节点传递信息；根据限制的最小值向其余相邻变量节点传递信息。本申请在保持LDPC解码器纠错能力的基础上，可以有效减少解码器的位宽。
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