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公开(公告)号：CN106601881A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0079
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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公开(公告)号：CN105908256A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610192710.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10 , C30B29/16 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0452 , C30B25/02 , C30B29/64
Abstract: 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1?3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石或石英等透明衬底上低温制备不同Cd/Zn组分配比的ZnCdO合金单晶薄膜。薄膜的禁带宽度覆盖绝大部分太阳光谱，非常适合用于可见光催化分解水。本发明制备方法适合大规模产业化，制备的ZnCdO薄膜在高效光催化水分解和光伏电池等领域有应用前景。
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公开(公告)号：CN103938183B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410177089.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理；高温预处理的温度为1000℃-1200℃，处理时间为3min-8min；将衬底降温到适合ZnO缓冲层薄膜生长的温度，使用高纯二甲基锌作为Zn源，叔丁醇t-BuOH作为O源，在MOCVD设备中生长ZnO缓冲层；ZnO薄膜生长是选用N2作为稀释气体，同时加入适当流量的H2；采用LP－MOCVD技术在ZnO缓冲层上生长ZnO。
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公开(公告)号：CN1681088A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510037733.3
申请日：2005-02-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物I由进气管1输入，反应物II由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物I和反应物II接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。
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公开(公告)号：CN119980456A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510224531.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种基于叔丁醇前驱体的常压MOCVD外延生长α‑ Ga2O3薄膜的方法。包括以下步骤：清洗衬底，将清洗过的衬底置于金属有机化学气相沉积设备的反应室基座上；向反应室中通入氮气，将反应室的气压调至常压；对反应室中的衬底进行高温预处理，高温预处理的条件为1000~1200℃、15~30 min；将衬底降温到570~630℃，以三乙基镓为镓源前驱体，叔丁醇为氧源前驱体，在衬底上生长α‑Ga2O3薄膜样品；对α‑Ga2O3薄膜样品进行降温至室温，同时通入氮气，得到α‑Ga2O3薄膜。利用本发明的方法能够制备得到高质量、高速生长的纯相亚稳态α‑Ga2O3薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119486239A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411668146.3
申请日：2024-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超高K介质包裹凹槽栅的增强型MOSHEMT器件，其结构依次包括：衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的两侧分别设有源极和漏极，在势垒层中间靠近源极的部位设有一凹槽，在势垒层除源极和漏极以外的区域设有钝化层，在钝化层上设有超高K栅介质层，在超高K栅介质层对应势垒层凹槽的上方设有凹槽栅极，还设有超高K介质层覆盖凹槽栅极。还公开了其制备方法。本发明引入高质量超高K介质并利用其产生的极化电荷协助栅下2DEG的耗尽和积累，实现具有高阈值电压和高跨导的增强型HEMT器件；栅金属沉积后二次覆盖超高K介质层形成包裹凹槽栅，利用栅边缘靠近漏端区域的极化电荷可有效降低尖峰电场，实现高击穿电压。
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公开(公告)号：CN119300372A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411797000.9
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构的氧化镓基异质结双极晶体管及其制造方法，晶体管包括从下至上依次排列的Ga2O3集电极、NiO基极和Ga2O3发射极；NiO基极上位于Ga2O3发射极两侧均设置有基极电极；Ga2O3集电极与NiO基极形成n‑p结，NiO基极与Ga2O3发射极形成p‑n结。在有效地提升了电流增益的同时，增强了器件耐压能力。本发明为目前尚缺乏深入研究的氧化镓基双极晶体管提供了基础，有助于高压大功率双极晶体管的发展。
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公开(公告)号：CN118726942A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410728571.0
申请日：2024-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种热丝模组及化学气相沉积设备，属于热丝化学气相沉积领域。本申请的热丝模组，包括第一热丝阵列、第二热丝阵列、第一支撑结构及第二支撑结构；第一支撑结构包括多个第一固定柱，多个第一固定柱沿第二方向间隔排布，第二支撑结构包括多个第二固定柱，多个第二固定柱沿第二方向间隔排布；第一热丝阵列和第二热丝阵列分别形成于多个第一固定柱与多个第二固定柱沿第三方向的两端。本申请提供的热丝模组，可实现基体两面金刚石薄膜的同时生长，极大地提高了HFCVD设备的生长效率，且模块化拓展；进一步采用双层气流技术，可实现金刚石薄膜的高效掺杂，有效降低环保与安全的成本支出。
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公开(公告)号：CN111564504B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010298336.6
申请日：2020-04-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了日盲紫外探测器及其制备方法。探测元件由上至下包括由金属和氧化物的多周期滤波结构(或称滤波层)，紫外吸收体、叉指电极层、衬底层；多周期滤波结构顶部，底部均为电解质隔离层；由金属薄膜和电介质薄膜交替的多周期滤波结构生长在探测器的电介质隔离层上。多周期滤波结构尤其是交替生长氧化铝和铝。探测器结构采用背电极MSM结构，金属叉指电极制备在紫外吸收体与衬底之间，光信号从器件正面经过滤波结构射入紫外吸收体中，以避免叉指电极的阻挡，有效提高吸收效率。可实现日盲紫外波段的高效探测，同时对可见光、红外波段具有高抑制作用。
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公开(公告)号：CN118099243B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410506023.3
申请日：2024-04-25
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开一种深紫外光广角探测封装结构，属于深紫外光信号探测技术领域。封装结构包括底座、深紫外探测器、管壳、衬底和超构透镜，超构透镜的排布方式包括单独整体排布、环形排布和扇形排布中的任意至少一种；单独整体排布的超构透镜整体用于将全角度入射光聚焦于深紫外探测器；环形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个环形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点；扇形排布的超构透镜按照不同角度入射光对应划分为中心区域和多个扇形区域，用于将不同角度入射光聚焦到深紫外探测器的同一点。本发明利用超构透镜实现多角度入射光聚焦的技术，解决大角度入射光信号被挡住导致的探测器探测效率低的问题。
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