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公开(公告)号：CN107475688A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710579316.4
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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公开(公告)号：CN103326695B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310245583.X
申请日：2013-06-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉一种含MEMS开关的可重构匹配网络匹配器，包括六个MEMS桥单元、地线、信号线以及六个偏压垫，所述第地线、信号线依次平行设置于衬底上，所述六个MEMS桥单元依次垂直于所述两地线排列于衬底上，所述每个MEMS桥单元包括两个悬臂梁桥膜、一个支撑梁桥膜以及四个桥墩。其有益效果为：硅片上的MEMS开关替代传统的PIN开关二极管、变容二极管或FET等开关器件实现滤波器的频率重构；共面波导传输线替代了传统的PCB板上的共面波导传输线；结构紧凑简单、尺寸微小、控制电路功耗低、工作频率高；可与传统的IC工艺兼容，工艺成熟，成本低廉，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN105296961B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510766399.9
申请日：2015-11-11
Abstract: 前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626Å，b=5.081Å，c=10.339Å，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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公开(公告)号：CN105420695A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510765158.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种铝镓有机源混溶式自限制性表面吸附反应制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN103801285B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410045544.X
申请日：2014-02-08
Applicant: 南通大学
IPC: B01J23/22 , B01J35/02 , A62D3/17 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A62D101/26 , A62D101/28
Abstract: 本发明涉及一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法。所述材料以ZnO的棒状单晶体为核，包覆V2O5多晶壳层。其制备方法包括：采用热蒸发方法，以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，氮气保护下，在以棒状ZnO纳米材料表面沉积V2O5的前驱体；最后将包覆后的材料通过热氧化的形成V2O5@ZnO核壳结构光催化材料。本发明的核壳光催化材料形貌可控，重复性强，材料结构稳定，光催化效果好，本发明方法工艺简单，适合大规模工业生产，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103151390B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310083020.5
申请日：2013-03-15
Applicant: 南通大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明涉及一种隧穿场效应晶体管，在绝缘层上形成凸出于该绝缘层的轻掺杂或不掺杂的衬底脊，源极区和漏极区在间隔一定距离的所述脊上形成，使源极区和漏极区之间存有一间隔区，在对应于源极区和间隔区的一侧面上形成绝缘介质层，在该绝缘介质层的外侧面形成栅电极，在源极区未被绝缘介质层覆盖且与所述栅电极平行的侧面形成欧姆接触的源电极，在漏极区上形成欧姆接触个漏电极。优点是，克服了掺杂原子扩散导致的pn结耗尽展宽造成电子隧穿几率下降的问题；并且电子隧穿发生在整个源区，电子隧穿面积大，因而能够获得大的开态电流；通过平行设置的栅电极-源电极结构简便地实现电子的垂直隧穿。
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公开(公告)号：CN104032372A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410271430.7
申请日：2014-06-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO/VO2复合纳米材料及其制备方法。所述材料依附在氧化铝衬底上并具有呈周期性排列分布的单元，每个单元是由包覆VO2多晶壳层的若干ZnO四角棒构成的单晶纳米结构，相变温度为71.2oC，具有可逆的金属—绝缘相变特性。该材料的制备首先以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶四角棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，在氧气占8%~11%的氮氧混合气环境下，在ZnO纳米材料表面沉积多晶VO2薄膜；最后移除模板得到图形化VO2/ZnO复合相变材料。优点是，该方法制得的VO2纳米结构形貌丰富，具有VO2的金属—半导体相变特性，又结合了ZnO的宽禁带半导体的特性，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119322096A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411359896.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/12 , C23C16/455 , H05K7/20
Abstract: 一种基于原子层沉积技术的抗液相水干扰的湿度传感器，包括湿度敏感单元，其特征在于：还包括封闭式的外壳，所述外壳具有内表面和外表面，且外壳为微孔通道材质，所述微孔通道贯通外壳的内表面和外表面，使得气体可在外壳的内外穿过；还包括防护罩、封闭式的外壳、电机、风扇、底板，防护罩与外壳形状相同，且防护罩尺寸大于外壳，使得防护罩能够笼罩住外壳；所述电机、风扇、湿度敏感单元、外壳均被笼罩设置在防护罩内，构成一个整体，整体安装在底板上、且与底板之间留有空隙，用于环境空气能够进入湿度传感器的外壳之内部。
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公开(公告)号：CN119125058A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411208617.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N21/3577 , G01N21/01 , G01N13/00 , G01N13/02
Abstract: 本发明公开了一种基于红外光反射的表面能测试装置及方法，属于光学传感器技术领域。解决了现有表面能测试仪测量重复性差、响应速度慢、设备操作复杂及体积较大的技术问题。其技术方案为：该表面能测试装置包括外壳、红外光源、光电探头、计算机系统、反射层、疏水面、微量注样器、出水口、检测口；该表面能测试方法包括光路调整、装置安装、标准测试溶液注入及数据采集。本发明的有益效果为：通过红外光反射的强度变化，计算待测材料的表面能，从而提供了一种简便、快速、准确的表面能测试手段。
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