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公开(公告)号：CN102808100B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210311286.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C1/08
Abstract: 定向孔陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明为了解决现有颗粒增强的复合材料其抗压强度、弯曲强度低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、将铝合金熔液浸入到预制体中，即得定向孔陶瓷增强金属基复合材料。本发明制备的定向孔陶瓷增强金属基复合材料强度高，时效后材料的弯曲强度＞700MPa，拉伸强度＞400MPa，热导率＞120W·m-1·K-1，并且制备的预制体的抗弯强度＞3MPa。
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公开(公告)号：CN110590990B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910908745.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08F220/56 , C08F222/38 , C08F2/44 , C08K7/20 , C08L33/26
Abstract: 本发明涉及一种超低介电常数玻璃微珠/树脂复合材料制备方法，包括如下步骤：步骤(1)将粉末状树脂单体放入模具中，玻璃微珠骨架放置其上方；步骤(2)将所述模具放入真空干燥箱中，抽真空至10Pa以下，并加热至100～130℃，使树脂单体熔化，并在毛细管力的作用下渗入玻璃微珠骨架的开孔中。本发明通过对玻璃微珠浆料中添加增稠剂的方法，获得分散稳定的玻璃微珠浆料，再通过凝胶注模和烧结制备玻璃微珠骨架。同时采用真空辅助浸渍的方法，将树脂单体浸渍到多孔骨架中，防止玻璃微珠分层，提高稳定性，获得具有超低介电常数的玻璃微珠/树脂复合材料。
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公开(公告)号：CN110483044B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910907939.9
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H05K1/03 , H05K3/12
Abstract: 本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q微波介质陶瓷制备方法，采用放电等离子烧结SPS工艺对高Q微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧，将CuMoO4陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO4的流延浆料；CuMoO4的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO4生瓷带；CuMoO4生瓷带进行剪裁，剪裁完成的CuMoO4生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；对丝网印刷工艺完成的CuMoO4生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；该高Q微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧，大幅降低了多层微波组件的烧结温度和烧结时间。
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公开(公告)号：CN110483091B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910908744.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00 , C04B38/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，而非基于连接层单独生长，因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩，有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。
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公开(公告)号：CN108707291B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810612021.7
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种陶瓷呈连续网状分布的树脂基介质复合材料及其制备方法，所述制备方法在于，首先将陶瓷粉末表面羟基化，再将羟基化后的陶瓷粉末进行表面氨基化，然后将树脂微球进行表面磺化，接着将氨基化的陶瓷粉末和表面磺化的树脂微球置于聚乙烯亚胺溶液中搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，保温、清洗后烘干，得到复合粉体，将所述复合粉体置于模具，热压成型，最终获得陶瓷呈连续网状分布的树脂基介质复合材料，与现有技术比较，本发明通过改变陶瓷在树脂基体中的分布方式，使得陶瓷颗粒呈现连续的网络化分布，能够大幅度提高陶瓷颗粒之间的相互作用，进而得到具有高介电常数的树脂基介质复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108751969B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810611715.9
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/185 , C04B38/06 , C04B41/89
Abstract: 本发明提供一种耐高温、隔热、透波陶瓷基复合材料及其制备方法，以高岭土、氧化铝、工业铝溶胶为原料，辅以矿化剂和助烧剂，再加入造孔剂，通过排胶及烧结工艺制备了高孔隙率的莫来石多孔陶瓷；以正硅酸乙酯和硅氧烷单体为原料制备制备氧化硅溶胶，并将其渗入制备的莫来石多孔陶瓷中，常压干燥后在于惰性气氛中进行裂解，之后再渗入铝溶胶，干燥后高温空气中除碳后获得耐高温、隔热、透波陶瓷基复合材料，本发明的有益效果在于，通过原料的合理选取，实现了多孔莫来石的低温制备，在降低原料成本的同时也减少了生产能耗；简化了气凝胶的干燥工艺，缩短了制备周期；所制备的材料具有低密度、耐高温、低热导率的特点，同时兼具优异的透波性能。
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公开(公告)号：CN108484201B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810612020.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种低收缩率多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，以α‑氮化硅、氧化铝、氧化钇为主要原料，制备水基陶瓷浆料，先在油相中乳化形成球型液滴，而后通过冷冻、油‑陶瓷微球分离、冷冻干燥获得多孔陶瓷微球坯体，然后通过烧结获得多孔氮化硅陶瓷微球，进行粒径分级配比，并经过再模具成型、固化、干燥、烧结，最终获得多孔氮化硅陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明采用油中滴液与冷冻成型相结合制备不同粒径的多孔氮化硅微球，利用冷冻成型工艺优势实现了孔结构及气孔率的可控；可用于制备大型的多孔氮化硅异形构件，消除了冷冻成型过程中引起的孔结构的方向性；同时，大大降低了烧结过程中收缩过大引起的结构缺陷的可能性。
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公开(公告)号：CN110483091A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910908744.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00 , C04B38/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，而非基于连接层单独生长，因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩，有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。
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公开(公告)号：CN110483053A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910908720.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B35/80 , C04B38/00
Abstract: 本发明涉及SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，更具体的说是一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法，利用凝胶注模法制备陶瓷生坯的过程中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时原位反应生成SiC纳米线，所述的可溶性硅树脂为可溶于乙醇、异丙醇和叔丁醇等醇类溶剂，所述的催化剂为二茂铁、FeCl3、Fe(NO3)3和Ni(NO3)2等金属盐类；可以在凝胶注模工艺中加入可溶性硅树脂和催化剂，在烧结时直接原位反应生成SiC纳米线；有机硅树脂在裂解后生成碳和SiO2，在后续烧结过程中可原位生成SiC纳米线，进而提高多孔SiC的力学性能和吸波性能；凝胶注模成型后形成的高体积分数的连通孔隙也促进了SiC纳米线的V-L-S生长。
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公开(公告)号：CN110483044A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910907939.9
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H05K1/03 , H05K3/12
Abstract: 本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q微波介质陶瓷制备方法，采用放电等离子烧结SPS工艺对高Q微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧，将CuMoO4陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO4的流延浆料；CuMoO4的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO4生瓷带；CuMoO4生瓷带进行剪裁，剪裁完成的CuMoO4生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；对丝网印刷工艺完成的CuMoO4生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；该高Q微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧，大幅降低了多层微波组件的烧结温度和烧结时间。
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