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公开(公告)号：CN115595653B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202211339729.2
申请日：2022-10-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明提供一种一硼化钛晶须及其制备方法，所述一硼化钛晶须的制备方法包括：将氧化硼粉体或硼酸粉体置于坩埚底部；将氢化钛粉体或钛粉体置于所述坩埚内具有微孔的隔离片上，且所述氢化钛粉体或所述钛粉不与所述氧化硼粉体或硼酸粉体直接接触；将所述坩埚置于惰性气氛下，进行高温烧结，生成一硼化钛晶须。本发明提供的一硼化钛晶须的制备方法采用的原料廉价易得、制备工艺简单、对设备要求较低、操作方便、生长周期较短，适用于大规模工业生产，且制得的一硼化钛晶须的尺寸和形貌可控性好、长径比高、生产成本较低，能够作为晶须增强体用于金属、陶瓷和高分子等领域，也可用于超硬陶瓷、耐磨材料和电极材料等领域。
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公开(公告)号：CN108912520A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810612006.2
申请日：2018-06-14
申请人： 哈尔滨工业大学
CPC分类号： C08K9/04 , C08K3/22 , C08K3/38 , C08K7/00 , C08K9/06 , C08K2003/385 , C08L25/06 , C08L27/16 , C08L33/12
摘要： 一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料及其制备方法，方法在于将陶瓷粉末进行表面氨基化，再将树脂微球进行表面磺化，将表面磺化的聚合物微球与去离子水混合后，加入氨基化的陶瓷粉末搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，保温、清洗后烘干，得到复合粉体，置于模具，热压成型，获得陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料，与现有技术比较，本发明将片状陶瓷粉体包覆在聚合物微球表面，形成具有核壳结构的聚合物微球/陶瓷片晶复合粉体，通过成型过程中聚合物微球的熔化变形对片状复合粉体产生扭转力，实现复合材料中片状陶瓷粉体的取向分布，大幅度提高复合材料的介电常数，进而提高其介电储能密度，为小型化介电储能器件的发展提供材料和技术支撑。
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公开(公告)号：CN108912520B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810612006.2
申请日：2018-06-14
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料及其制备方法，方法在于将陶瓷粉末进行表面氨基化，再将树脂微球进行表面磺化，将表面磺化的聚合物微球与去离子水混合后，加入氨基化的陶瓷粉末搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，保温、清洗后烘干，得到复合粉体，置于模具，热压成型，获得陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料，与现有技术比较，本发明将片状陶瓷粉体包覆在聚合物微球表面，形成具有核壳结构的聚合物微球/陶瓷片晶复合粉体，通过成型过程中聚合物微球的熔化变形对片状复合粉体产生扭转力，实现复合材料中片状陶瓷粉体的取向分布，大幅度提高复合材料的介电常数，进而提高其介电储能密度，为小型化介电储能器件的发展提供材料和技术支撑。
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公开(公告)号：CN108585881A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810612015.1
申请日：2018-06-14
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法，用以解决现有热导率偏低的技术问题，通过将氮化硅粉进行脱氧处理、自然冷却，并将所得氮化硅粉体研磨过筛；与烧结助剂在混合介质的作用下混合，混合结束后干燥、过筛，得到粉料；压制成型，得到氮化硅陶瓷生坯；最后经气压烧结，得到氮化硅陶瓷材料，与现有技术比较，通过对氮化硅粉体的脱氧处理，使得原始粉料含氧量更低，在烧结过程中降低晶格氧含量程度更高，更有利于避免声子散射，从而提高氮化硅陶瓷的热导率，制备的氮化硅陶瓷具有高热导率、良好的抗热震性能和耐高温性能，使用安全，是一种具有优良的力、热、电综合性能的氮化硅陶瓷基板材料。
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公开(公告)号：CN110483044B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910907939.9
申请日：2019-09-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H05K1/03 , H05K3/12
摘要： 本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q微波介质陶瓷制备方法，采用放电等离子烧结SPS工艺对高Q微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧，将CuMoO4陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO4的流延浆料；CuMoO4的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO4生瓷带；CuMoO4生瓷带进行剪裁，剪裁完成的CuMoO4生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；对丝网印刷工艺完成的CuMoO4生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；该高Q微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧，大幅降低了多层微波组件的烧结温度和烧结时间。
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公开(公告)号：CN110483044A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910907939.9
申请日：2019-09-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88 , H05K1/03 , H05K3/12
摘要： 本发明涉及陶瓷与铝超低温共烧方法及陶瓷制备方法，更具体的说是一种高Q微波介质陶瓷与铝超低温共烧方法及高Q微波介质陶瓷制备方法，采用放电等离子烧结SPS工艺对高Q微波介质陶瓷与铝之间的进行快速超低温共烧，将CuMoO4陶瓷粉体与溶剂充分混合，依次加入分散剂、粘结剂、增塑剂和消泡剂，继续混合8～12小时，得到CuMoO4的流延浆料；CuMoO4的流延浆料采用流延成型工艺制备CuMoO4生瓷带；CuMoO4生瓷带进行剪裁，剪裁完成的CuMoO4生瓷带采用丝网印刷工艺用铝浆印刷电路；对丝网印刷工艺完成的CuMoO4生瓷带进行叠压和排胶，并装入电等离子烧结SPS模具中；该高Q微波介质陶瓷在600℃以下，仅需3～5分钟即可实现与铝共烧，大幅降低了多层微波组件的烧结温度和烧结时间。
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公开(公告)号：CN108585920A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810612014.7
申请日：2018-06-14
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种利用水凝胶逐层交联制备连续梯度多孔陶瓷的方法，包括配置水凝胶前驱体溶液，加入不同比例的陶瓷粉体、分散剂和消泡剂后，均匀混合，得到一系列不同固相含量的浆料；对其中最低或最高固相含量的浆料进行真空脱泡，并向其喷洒交联剂溶液，然后静置所述浆料，以使浆料交联；对其它成分浆料按照固含量的升序或降序依次重复上述步骤，直至浆料的厚度满足需求，并置于去离子水中浸泡，得到湿坯；将所述湿坯冷冻后干燥，将干燥后的湿坯进行排胶，排胶后烧结所述湿坯，得到连续梯度多孔陶瓷，与现有技术相比，本发明可精确地实现材料成分、孔隙率、孔结构结构及性能的精确梯度控制，并广泛应用于连续梯度多孔陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN115595653A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211339729.2
申请日：2022-10-27
申请人： 哈尔滨工业大学(CN)
摘要： 本发明提供一种一硼化钛晶须及其制备方法，所述一硼化钛晶须的制备方法包括：将氧化硼粉体或硼酸粉体置于坩埚底部；将氢化钛粉体或钛粉体置于所述坩埚内具有微孔的隔离片上，且所述氢化钛粉体或所述钛粉不与所述氧化硼粉体或硼酸粉体直接接触；将所述坩埚置于惰性气氛下，进行高温烧结，生成一硼化钛晶须。本发明提供的一硼化钛晶须的制备方法采用的原料廉价易得、制备工艺简单、对设备要求较低、操作方便、生长周期较短，适用于大规模工业生产，且制得的一硼化钛晶须的尺寸和形貌可控性好、长径比高、生产成本较低，能够作为晶须增强体用于金属、陶瓷和高分子等领域，也可用于超硬陶瓷、耐磨材料和电极材料等领域。
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公开(公告)号：CN108585920B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810612014.7
申请日：2018-06-14
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C04B38/00 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种利用水凝胶逐层交联制备连续梯度多孔陶瓷的方法，包括配置水凝胶前驱体溶液，加入不同比例的陶瓷粉体、分散剂和消泡剂后，均匀混合，得到一系列不同固相含量的浆料；对其中最低或最高固相含量的浆料进行真空脱泡，并向其喷洒交联剂溶液，然后静置所述浆料，以使浆料交联；对其它成分浆料按照固含量的升序或降序依次重复上述步骤，直至浆料的厚度满足需求，并置于去离子水中浸泡，得到湿坯；将所述湿坯冷冻后干燥，将干燥后的湿坯进行排胶，排胶后烧结所述湿坯，得到连续梯度多孔陶瓷，与现有技术相比，本发明可精确地实现材料成分、孔隙率、孔结构结构及性能的精确梯度控制，并广泛应用于连续梯度多孔陶瓷的制备。
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