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公开(公告)号：CN101708828A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910310297.0
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的提纯方法，它涉及一种纳米管的提纯方法。本发明解决了套娃状氮化硼纳米管中金属催化剂粒子通常被包覆在氮化硼管的内部，不容易被除去的问题。本发明方法如下：将氮化硼纳米管超声处理、过滤，然后将滤渣氧化0.5小时～6小时，得到氧化物，再将氧化物在去离子水中水洗0.5小时～10小时，然后酸洗1小时～50小时，最后再用去离子水洗3次、醇洗1次，然后过滤、烘干，即得纯净的氮化硼纳米管。经过本发明方法提纯后的氮化硼纳米管的质量百分含量可达到95％以上。
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公开(公告)号：CN101555162A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910072023.2
申请日：2009-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/80 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: Al4SiC4陶瓷的热处理方法，它涉及一种增强陶瓷力学性能的方法，具体涉及一种热处理陶瓷的方法。本发明解决了现有Al4SiC4陶瓷室温下其弯曲强度小的问题。本发明方法如下：将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600～1600℃的条件下保温10分钟～20小时，即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。采用本发明方法处理后的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度的涨幅为25.7％～80％。
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公开(公告)号：CN101224876A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101104518A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710072702.0
申请日：2007-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B35/08 , C01B21/082 , C04B35/5835 , C04B35/14
Abstract: 一种纳米SiBON陶瓷粉体的制备方法，它涉及纳米陶瓷粉体的制备方法。它解决了现有SiBON陶瓷粉体制备存在的合成周期较长、工艺繁杂等问题。本发明的方法为：一、将硼酸乙酯、乙醇和苯按照配制混合液，放入三口瓶中；二、向混合液中添加四氯化硅液体；三、维持磁力搅拌，向三口瓶中通氮气流，采用油浴加热方式控制反应温度；四、提高反应温度；五、将凝胶粉末放入管式炉内进行热处理，然后随炉冷却至室温取出经热处理的凝胶粉末；六、将经热处理后的凝胶粉末放入气氛烧结炉内，充入高纯氮气，冷却至室温，即制得SiBON纳米陶瓷粉体。本发明选用的原料容易获取，工艺周期短、操作简便，产物颗粒度在20～50纳米，产物为具有分散性好和非晶态的SiBON纳米陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN1238304C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200410013683.0
申请日：2004-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种Al4SiC4陶瓷的制备方法。各组分重量比是：铝粉∶石墨粉∶聚碳硅烷＝(2～4)∶(0.2～3.8)∶(1～5)，制备步骤是：(一)首先将铝粉与石墨粉充分混合；同时将聚碳硅烷溶于有机溶剂中，然后将混好的铝与石墨混合粉放置于聚碳硅烷的有机溶液中，升温搅拌直至有机溶剂完全挥发。(二)取出烘干的粉料在氩气保护下于800～1400℃裂解。(三)裂解后的物料充分粉碎混合。(四)将混合好的料置于石墨材质的模具中，在热压烧结炉中于1600～2200℃烧结。烧结过程通氩气保护，烧结压力为10～40MPa，保温1～5小时。本发明使用有机物预裂解的合成方式，增强了烧结体之间的烧结活性，减少了高温烧结的时间，烧结出的样品具有88～99%的致密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116234281B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202310129837.5
申请日：2023-02-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石墨烯负载氮掺杂碳纳米笼包覆磷化钴吸波材料的制备方法，本发明涉及电磁波辐射吸收与防护的复合材料制备领域。本发明要解决现有石墨烯材料单独使用时，阻抗匹配性能差，吸波频带窄，吸收性能较弱的技术问题。方法：合成MOF前驱体；制备MOF衍生的氮掺杂碳包覆磷化钴纳米颗粒复合材料；将前述材料与还原氧化石墨烯复合，制备出石墨烯负载氮掺杂碳纳米笼包覆磷化钴复合材料。本发明产品具有优异的吸波性能，在低填充量及较薄厚度下具有强吸收和宽有效吸收频带的表现。本发明方法制备的石墨烯负载氮掺杂碳纳米笼包覆磷化钴吸波材料应用于电磁波辐射吸收材料领域。
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公开(公告)号：CN119119957A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411253847.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微米级六边形状铁/石墨烯复合吸波材料的制备方法，本发明涉及电磁波吸收材料的制备技术领域。本发明是为解决石墨烯由于高电导性和高介电特性导致阻抗失配和衰减能力弱的关键技术问题。方法：以金属阳离子为前驱体，十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂诱导各向异性形貌的生成，将氧化石墨烯与金属阳离子、表面活性剂混合，经水热反应和冷冻干燥工艺后在还原性气体气氛下热处理制备出铁/石墨烯复合材料。本发明通过利用各向异性磁性材料与石墨烯复合的策略，调控石墨烯的介电参数以改善阻抗匹配，并发挥介电‑磁损耗机制提高衰减能力。本发明方法制备的六边形状铁/石墨烯复合吸波材料应用在电磁波吸收材料领域。
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公开(公告)号：CN115838585B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202211635627.5
申请日：2022-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石墨烯负载铁六边形纳米片复合吸波材料的制备方法，本发明涉及电磁波吸收材料的制备技术领域。本发明要解决在低填充含量下，石墨烯介电频散特性不明显、吸波频带窄、吸收性能弱的技术问题。方法：一、制备单层石墨烯；二、制备石墨烯/铁二维异质界面场效应晶体管器件；三、制备α‑Fe2O3六边形纳米片；四、α‑Fe2O3六边形纳米片的阳离子表面活性剂改性；五、制备氧化石墨烯；六、氧化石墨烯/α‑Fe2O3六边形纳米片复合低温热还原为还原氧化石墨烯/Fe六边形纳米片。本发明利用金属Fe纳米片中丰富的自由电子来实现石墨烯载流子注入，充分发挥石墨烯介电频散特性。该材料制备工艺简单，原料成本较低，能够实现规模化生产。本发明复合吸波材料应用在电磁波吸收领域。
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公开(公告)号：CN116285888A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310315154.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
Abstract: 一种表面接枝氮原子的二氧化硅基导电复合材料的制备方法及其应用，它属于吸波材料技术领域。它要解决传统绝缘体材料二氧化硅无电磁波吸收能力的问题。方法：一、将单盐酸肼、正硅酸乙酯和N,N‑二甲基甲酰胺混匀，经加热后自然冷却，得凝胶状固体B；二、凝胶状固体B溶于无水乙醇中，经离心及干燥后，获得表面接枝氮原子的二氧化硅基导电复合材料。本发明采用一步溶剂热的方式制备材料，工艺简单成本低，工艺，绿色无污染；将二氧化硅绝缘材料通过简单的N掺杂实现导体材料的转变，材料平衡的导电性和极化效应相互配合，最终实现了高强度和宽频段的电磁波吸收性能。本发明中表面接枝氮原子的二氧化硅基导电复合材料适用于电磁波吸收材料。
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公开(公告)号：CN116234281A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310129837.5
申请日：2023-02-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石墨烯负载氮掺杂碳纳米笼包覆磷化钴吸波材料的制备方法，本发明涉及电磁波辐射吸收与防护的复合材料制备领域。本发明要解决现有石墨烯材料单独使用时，阻抗匹配性能差，吸波频带窄，吸收性能较弱的技术问题。方法：合成MOF前驱体；制备MOF衍生的氮掺杂碳包覆磷化钴纳米颗粒复合材料；将前述材料与还原氧化石墨烯复合，制备出石墨烯负载氮掺杂碳纳米笼包覆磷化钴复合材料。本发明产品具有优异的吸波性能，在低填充量及较薄厚度下具有强吸收和宽有效吸收频带的表现。本发明方法制备的石墨烯负载氮掺杂碳纳米笼包覆磷化钴吸波材料应用于电磁波辐射吸收材料领域。
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