一种疾病特征的处理方法、装置和设备

    公开(公告)号:CN117116432A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311370851.0

    申请日:2023-10-23

    IPC分类号: G16H30/20 G16H50/70

    摘要: 本申请公开了一种疾病特征的处理方法、装置和设备,通过显式特征和医学样本数据,生成初始特征矩阵,并对所述初始特征矩阵进行降维处理,得到降维处理后的特征矩阵,所述降维处理后的特征矩阵包括与隐式特征对应的矩阵元素,所述隐式特征表征区别于所述显式特征的未知特征;基于所述初始特征矩阵和所述降维处理后的特征矩阵,确定每一个所述显式特征与所述隐式特征在所述医学样本数据中病例组数据的富集分布参数;基于所述富集分布参数,确定目标特征。基于此可以挖掘出更多未知的疾病相关特征,使得本申请对疾病特征的处理更加全面、可靠。

    双模探测方法、控制器和系统

    公开(公告)号:CN110779939A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201810755428.5

    申请日:2018-07-11

    IPC分类号: G01N23/05 G01N23/04

    摘要: 本公开提出一种双模探测方法、控制器和系统,涉及射线检测技术领域。本公开的一种双模探测方法包括:根据X射线物体探测数据、X射线无物体探测数据、中子物体探测数据和中子无物体探测数据,确定被测物体对于中子和X射线的微分截面的比值;根据被测物体对于X射线和中子的微分截面的比值与物质类型的对应关系识别物质类型。通过这样的方法,能够实现利用中子和X射线对被测物体的双能探测,利用物质对于中子和X射线的不同的衰减能力得到核素类型,实现识别元素种类,提高探测的精确度。

    中子产生设备,中子成像设备以及成像方法

    公开(公告)号:CN106226339A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610835790.4

    申请日:2016-09-20

    IPC分类号: G01N23/05

    摘要: 公开了一种中子产生设备,中子成像设备和成像方法。该设备包括:中子产生设备,产生连续能谱中子束;中子探测器,接收穿透被检查物体的中子束,得到电信号;数据采集电路,与所述中子探测器耦接,将所述电信号转换为数字信号;数据处理设备,与所述数据采集电路耦接,基于所述数字信号得到所述被检查物体在不同能谱中子下的图像。利用上述的方案,能够产生连续能谱的中子束,使得可以利用飞行时间法得到被检查物体在不同能量中子下的图像,提高了检测的灵敏度。

    双增益多道脉冲幅度分析方法及其装置

    公开(公告)号:CN1248013C

    公开(公告)日:2006-03-29

    申请号:CN200310117175.2

    申请日:2003-12-05

    申请人: 清华大学

    发明人: 张智 韩冬 汪婧

    IPC分类号: G01T1/38

    摘要: 本发明涉及一种双增益多道脉冲幅度分析的方法,属于核辐射探测领域。本方法首先对低能参考源和被测源产生的能谱脉冲信号进行放大;对两个放大的能谱脉冲信号分别进行脉冲峰值展宽和峰位检测,当检测到脉冲峰位已过时,启动模数转换并保存。本发明的装置包括光电倍增管和线性放大器、脉冲峰值展宽器、甄别成型电路、模拟开关、模数转换器、数据存储器以及峰位检测成形电路。本发明提出的方法及其装置,采用附加低能参考源,不影响被测源谱线的幅度,并使被测源γ谱线上产生一个处于高道址上的附加参考峰,使系统测量精度得到提高。通过调节系统的增益,稳定了附加参考峰的峰位,因而也就稳定了被测源的峰位。

    双增益多道脉冲幅度分析方法及其装置

    公开(公告)号:CN1547041A

    公开(公告)日:2004-11-17

    申请号:CN200310117175.2

    申请日:2003-12-05

    申请人: 清华大学

    发明人: 张智 韩冬 汪婧

    IPC分类号: G01T1/00

    摘要: 本发明涉及一种双增益多道脉冲幅度分析的方法,属于核辐射探测领域。本方法首先对低能参考源和被测源产生的能谱脉冲信号进行放大;对两个放大的能谱脉冲信号分别进行脉冲峰值展宽和峰位检测,当检测到脉冲峰位已过时,启动模数转换并保存。本发明的装置光电倍增管和线性放大器、脉冲峰值展宽器、甄别成型电路、模拟开关、模数转换器、数据存储器和峰位检测成形电路。本发明提出方法及其装置,采用附加低能参考源,不影响被测源谱线的幅度,并使被测源γ谱线上产生一个处于高道址上的附加参考峰,使系统测量精度得到提高。通过调节系统的增益,稳定了附加参考峰的峰位,因而也就稳定了被测源的峰位。

    一种特征提取模型的构建方法、装置、电子设备和存储介质

    公开(公告)号:CN118692134A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202411157162.6

    申请日:2024-08-22

    摘要: 本申请公开了一种特征提取模型的构建方法、装置、电子设备和存储介质,该方法和装置应用于电子设备,用于构建能够实现眼像图特征提取的特征提取模型,具体为准备眼像数据,眼像数据包括多个经过筛选和预处理的眼像图,多个眼像图包括多个正常眼像图和多个包括异常特征的异常眼像图;根据掩膜方案对眼像数据进行遮挡处理,得到训练数据集;根据设计的重构目标,利用训练数据集进行模型训练,得到特征提取模型。本申请通过对眼像图进行非疾病特异的模型预训练,赋予特征提取模型进行眼像特征提取的能力。这样一来,在下游任务中仅需要使用少量疾病特异样本对模型进行微调即可获得能够准确进行疾病诊断的目诊模型。

    放射源制备方法和放射源制备设备

    公开(公告)号:CN116259432A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211702073.6

    申请日:2022-12-29

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G21G4/04 G21G1/06

    摘要: 本申请涉及一种放射源制备方法和放射源制备设备。该方法包括:根据测井的应用需求获取目标核素辐照体,并通过对放置于放射源制备设备的辐射腔内的目标核素辐照体进行光中子辐照,直至目标核素辐照体满足预设条件,得到制备完成的放射源。采用上述方法制备出的放射源不仅能够满足测井需求,还能够使得制备出的放射源的射线的寿命固定且比较短,在放射源应用结束后,放射源的放射性会在很短时间内消失,降至安全范围内,极大降低了放射源失控所带来的风险,从而在一定程度上能够避免发生放射性事故,降低放射性事故的发生率。

    分析金矿石品位的方法和系统

    公开(公告)号:CN114264681A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111643048.0

    申请日:2021-12-29

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01N23/22 G01N23/222 G21K1/00

    摘要: 本发明公开了分析金矿石品位的方法和系统。该方法包括:(1)利用中子对待测金矿石进行活化,以便将待测金矿石中的197Au活化为198Au;(2)198Au发生β‑衰变形成198Hg,测试198Au衰变发射的γ射线的强度,以便获得所述待测金矿石的金品位。该方法以缓发γ来作为197Au存在与否的标志物,能够根据实际需求在长的时间尺度(分,小时,天)下累积计数,获得更好的测量统计性,使得测量精度能够得到保证。由此,该方法不仅更为可靠,且测量精度高,还更易于实现工业化生产,能够有效解决传统的火试金法较慢的处理速度、XRF分析局限于矿石表面以及光子活化法受制于197Au的同质异能态较短的半衰期从而无法获得更高的分析精度的问题。

    基于高能电子加速器的硼中子俘获治疗设备及方法

    公开(公告)号:CN114159702A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111430670.3

    申请日:2021-11-29

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: A61N5/10

    摘要: 本发明涉及医疗器械技术领域,特别涉及一种基于高能电子加速器的硼中子俘获治疗设备及方法,其中,设备包括:电子加速器,用于对输入电子进行加速,并在加速后生成高能电子;高Z转换靶,用于将高能电子转换为高能X射线,并将高能X射线转换为光中子;中子慢化体,用于慢化光中子;控制器,用于根据操作人员的控制指令控制电子加速器产生高能电子,电子加速器发射高能电子轰击高Z转换靶后得到光中子,光中子通过中子慢化体慢化后生成慢化中子,并利用慢化中子对待治疗人员进行照射治疗。该设备可以有效提升低硼中子俘获治疗过程中的中子源输出的稳定性,提升治疗效果及使用体验。

    高纯锗探测器
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107831525A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711315636.5

    申请日:2017-12-11

    IPC分类号: G01T1/24

    CPC分类号: G01T1/24

    摘要: 本发明公开了一种高纯锗探测器,包括高纯锗晶体单元阵列,所述高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元,其中,所述两个或更多个高纯锗晶体单元每一个包括位于侧面和/或第一顶表面的部分电极,并且所述两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面和/或第一顶表面的电极电连接共同作为高纯锗探测器的第一接触电极;每个高纯锗晶体单元包括位于其内的各自的第二接触电极使得所述高纯锗探测器包括两个或更多个第二接触电极。