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公开(公告)号：CN104224198A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410521823.9
申请日：2014-10-07
Applicant: 复旦大学
IPC: A61B5/1455
Abstract: 本发明属于医疗检测技术领域，具体涉及一种基于拉曼散射的多功能无创便携医疗检测装置及检测方法。本发明装置包括激光发生、光信号处理、光电信号转换以及数据处理等系统；激光发生系统将固定波长的激光照射到人体皮肤，由人体皮肤返回的散射光送至光信号处理系统；光信号处理系统可以通过能够表征某一物质的特定波长的散射光，滤除其他波长的散射光；光电信号转换系统将特定波长的散射光信号转换成相应的数字电信号；数字信号处理系统对数字电信号进行处理，得到相对应的表征某一物质体征的物质含量。整个系统集成在很小的装置中，可用于无创检测人体血糖、血红素等各体征指标，具有无创、便携、功能多样的特点。
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公开(公告)号：CN102945801A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210476623.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积工艺在所述石墨烯表面制备出均匀、高质量高k栅介质薄膜。本发明通过金属醇盐水解引入的金属氢氧化物薄膜，金属醇盐水解过程不会破坏石墨烯晶体结构，同时金属氢氧化物薄膜在后续原子层沉积工艺中能够逐渐脱水形成介电常数更高的金属氧化物薄膜，不会降低总体栅介质层的性能，这些都有利于提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。
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公开(公告)号：CN102254072A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110219237.5
申请日：2011-08-02
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算围栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的解析模型。本发明通过求出围栅结构MOSFET的电势分布，根据电势分布求出其表面电荷密度，然后根据本发明阈值电压的定义方法，在器件虚电极处表面电荷密度等于临界电荷密度时候对应的栅电压为阈值电压，从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，且计算精度高，为电路模拟软件在研究新型围栅器件时候，提供了一种快速精确的工具。
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公开(公告)号：CN101196757B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200710171822.6
申请日：2007-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明属于基准源模拟集成电路技术领域，具体为一种适用于Sub1V的电流模式的基准电压源量产的启动电路。该电路由3个PMOS管、2个NMOS管和一个电阻经电路连接构成，基准电压部分由3个PMOS管、一个运放、三个三极管及一些电阻经电路连接构成。本发明的启动电路，能避免运放失调电压Vos给芯片带来的无法正常工作的后果，解除零状态。这种启动电路结构简单，容易实现，且能应用到传统的基准电压源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101786599A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010022795.8
申请日：2010-01-14
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种构造铁电薄膜材料表面形貌的方法。它利用纳米压印技术构造铁电薄膜材料表面形貌的同时，使得被压印铁电材料的电畴自发极化方向取向有序化。而且电畴自发极化方向取向有序化程度可由应力大小来控制。相比于传统的依靠外加电压控制铁电材料电畴自发极化方向取向的方法，本发明方法具有方便，有效的优点，可以广泛应用在铁电存贮器(FeRAMs)、微电子机械系统(MEMS)及光电子等领域。
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公开(公告)号：CN101181836A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710172171.2
申请日：2007-12-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印用模板的方法。本发明采用三层结构压印板的压印方法，压印板上层为SU8胶，经过压印之后SU8可以作为刻蚀掩模对中间层进行选择性刻蚀，中间层采用的是一种对下层具有很强刻蚀选择比的物质，下层采用的是一种易于被氧气反应离子刻蚀去除的且容易进行剥离的胶如PMMA。经过刻蚀，淀积金属以及剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，去除掉残余的金属后即得到复制的模板，本发明方法速度快，成本低，图形转移质量好。
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公开(公告)号：CN118349869A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410304326.7
申请日：2024-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F18/24 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06N3/042 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明属于模拟集成电路功能模块识别技术领域，具体为基于图神经网络的模拟集成电路功能模块识别方法。本发明方法包括：收集电路数据集，标记每个电路的功能模块，存储为spice文件格式；将模拟集成电路网表抽象为图结构数据，对应整理节点的分类标签，组成数据集；训练节点分类图卷积神经网络模型；输入测试集数据到节点分类图卷积神经网络模型，计算对模型的各评价指标；将模型对节点预测的分类标签，对应到原电路的元器件上，相同的分类标签组成同一个功能模块，即实现对电路功能模块的识别。本发明可确保数据预处理中尽可能保留电路结构信息，实现高效准确地模拟集成电路功能模块的识别分类。
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公开(公告)号：CN108416115B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201810133628.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电流计算方法。晶体管的结构是异质结，制备方法：在未掺杂的GaN上通过分子束外延生长AlGaN，然后对AlGaN进行n型简并掺杂，在掺杂的AlGaN与GaN之间隔一层很薄的本征AlGaN，以减少施主原子对电子的散射；此器件可用于大功率电子。本发明通过求出这种器件的沟道电势和二维电子气电荷密度，考虑电子的漂移和扩散，得到沟道任意处的电流与该处电势之间关系式；忽略复合和产生电流，不同沟道点的电流相等，得到沟道电势以及源漏电流的解析表达式。该解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究大功率HEMT器件时提供了快速的电路仿真工具。
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公开(公告)号：CN113140676B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010067488.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法，配制有机分子溶液，在衬底上制备有机分子的成核位置，通过滴涂及衬底加热，快速生长膜薄，或在指定成核位置生长具有高结晶度和均匀性的定向分子器件阵列。与现有技术相比，本发明采用的选区生长法，不同于真空中热蒸发选区生长，可用溶液的形式快速直接地在电极上或电极间，选择性地生长高结晶、高取向性的均匀有机分子膜及其微纳器件阵列。
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