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公开(公告)号：CN116054757A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310102899.7
申请日：2023-02-01
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种线性pHEMT功率放大电路及放大器，涉及集成电路技术领域。该线性pHEMT功率放大电路包括输入单元、射频放大单元、输出单元、直流偏置单元以及整流单元，所述直流偏置单元、整流单元和射频放大单元依次连接，所述输入单元的一端与射频放大单元连接，另一端与信号输入端连接，所述射频放大单元的一端与输入单元连接，另一端与第一电源连接，所述输出单元的一端与射频放大单元连接，另一端与信号输出端连接，所述直流偏置单元的一端与第二电源连接，另一端与整流单元连接，所述整流单元的一端与直流偏置单元连接，另一端与射频放大单元连接。本发明实施例使线性pHEMT功率放大器得到了更好的线性特性。
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公开(公告)号：CN115952764A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310227851.9
申请日：2023-03-10
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/392 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体地说，涉及一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路及优化方法；首先通过进行初步电路设计，在热模型中设置散热影响要素的参数进行仿真分析，计算出初始的晶体管结温和热源热影响区域范围；然后改变散热影响要素的参数，得到新的晶体管结温；最后对比晶体管结温，判断放大器芯片散热指标是否合格；若不合格，重复调整散热影响要素的参数，直至放大器芯片散热指标合格，得到散热影响要素优化后的参数；实现了放大器芯片晶体管电路结构的优化设计，改善了功率放大器芯片的散热能力，提高了芯片的高温工作性能指标和芯片长期工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN115842522A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202310109343.0
申请日：2023-02-14
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种Doherty功率放大器；在第一功放单元和第二功放单元的基础上增加频率检测单元、补偿单元；通过设置频率检测单元，根据输入的第三信号生成控制信号；通过设置补偿单元，根据控制信号控制射频开关的导通和关断，在第二功放单元未开启状态时，增大第二功放单元的输出阻抗值，抑制所述第一信号的输出功率泄露，明显提升了Doherty功率放大器的工作带宽，通过设置功分单元，将输入信号进行功率分配的同时，根据频率的变化，调节进入第一功放单元支路和第二功放单元支路信号的功率比，补偿由于工作频率变化，第二功放单元输入阻抗随之变化导致的第二功放单元支路增益变化。
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公开(公告)号：CN115693310A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202310011285.8
申请日：2023-01-05
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种同轴微带垂直转换结构，所述电路板上对应设置有信号孔和接地孔，信号孔为非金属化通孔；所述信号孔外围的反焊盘的外围的电路板的顶层上设置有信号孔焊盘、焊锡、同轴微带过渡段、微带线，信号针的端部穿过电路板并通过焊锡与信号孔焊盘的一端连接，所述信号孔焊盘的另一端和同轴微带过渡段的一端连接，所述同轴微带过渡段位于反焊盘上，且同轴微带过渡段的另一端跨越反焊盘并与微带线连接。本发明将信号孔设计为非金属化孔，避免了寄生电容，本发明同时兼顾信号针传输段阻抗匹配问题和在反焊盘内的微带线阻抗失配问题，极大的改善了现有同轴连接器与电路板上的微带线垂直连接转换时存在的阻抗不连续问题和回波损耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN114900138A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210549651.0
申请日：2022-05-20
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的共源共基放大器，包括输入匹配单元、第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元、输出阻抗匹配单元；与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。本发明在输入级采用MOS晶体管，相比HBT晶体管，在较高频率下获得了更低的噪声系数；输入级采用复合晶体管结构，提高了电路的功率增益；本发明采用的共源共基结构，减小了器件的密勒效应，有效地扩展了工作频带。
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公开(公告)号：CN113726299A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111291097.2
申请日：2021-11-03
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的四级差分共射共基噪声放大器，基于区别于现行通用的GaAs CMOS工艺的SiGe BiCMOS工艺，SiGe BiCMOS产品具有更低的功耗、更小的体积和更高的集成度，而且可以和其他电路集成在一起，同时SiGe BiCMOS工艺的发展也使得这种电路实现更加可行，电路成本更低；本发明包括输入匹配网络、第一级、第二级、第三级、第四级差分结构电路。本发明与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；本发明与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。
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公开(公告)号：CN217741688U
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202221214220.0
申请日：2022-05-20
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本实用新型提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的四级差分放大器，基于区别于现行通用的GaAs CMOS工艺的SiGe BiCMOS工艺，SiGe BiCMOS产品具有更低的功耗、更小的体积和更高的集成度，而且可以和其他电路集成在一起，同时SiGe BiCMOS工艺的发展也使得这种电路实现更加可行，电路成本更低；本实用新型包括输入匹配网络、第一级、第二级、第三级、第四级差分结构电路。本实用新型与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；本实用新型与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。
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