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公开(公告)号:CN113518761A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN201980084070.0
申请日:2019-10-31
IPC: C01B32/205 , C01B32/21 , C01B32/22 , C01B32/225
Abstract: 通过对电化学反应体系流通电流来制造石墨的薄板状结构物,所述电化学反应体系包含:包含石墨的阳极、可以包含石墨的阴极、以及包含四氟硼酸或六氟磷酸作为电解质的电解质溶液。通过对该薄板状结构物施加剥离操作来制造薄片化石墨。
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公开(公告)号:CN107148669B
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201580069237.8
申请日:2015-12-18
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H05K7/20 , B32B9/04 , B32B7/12 , B32B9/00 , C01B32/20 , F28F21/02 , C09K5/14 , C09J7/00
Abstract: 本发明提供:使用特定材料的导热率高并且内部难以产生空隙的石墨层叠体、易传热性及剥离强度好的石墨层叠体、上述石墨层叠体的制造方法、含有上述石墨层叠体的热传输用构造物、无使用温度限制且可稳定使用的棒状热传输体、以及具备棒状热传输体的电子设备。
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公开(公告)号:CN105217608B
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:CN201510593364.X
申请日:2009-06-22
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B32/20 , C01B32/205
CPC classification number: C04B35/524 , C01B32/19 , C01B32/20 , C01B32/205 , C01B32/225 , Y10T428/30
Abstract: 提供长条状、大面积的热扩散性、耐弯曲性、波状起伏得到改善的石墨膜。利用如下的石墨膜的制造方法能够提供波状起伏得到非常大的改善的石墨膜,该石墨膜的制造方法是以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态,进行石墨化的石墨膜的制造方法,其特征在于,控制内芯和膜及/或膜间的距离来进行热处理。
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公开(公告)号:CN107635767A
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201680020113.5
申请日:2016-04-08
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H05K7/2039 , B32B3/30 , B32B7/14 , B32B9/00 , B32B9/007 , B32B37/12 , B32B37/1292 , B32B38/145 , B32B2309/105 , B32B2313/04 , B32B2457/00 , C01B32/20 , C01P2006/32 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J7/29 , C09J7/30 , C09J2201/28 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2400/10 , C09J2433/00 , C09K5/14 , H01L23/34
Abstract: 本发明提供在不影响散热性的前提下抑制了当贴合到粘着对象体上时在粘着对象体与石墨复合膜之间产生气泡的石墨复合膜及其制造方法。还提供将粘着层与石墨膜层叠而成的石墨复合膜及其制造方法,其中,粘着层的与石墨膜相接的面的相反侧表面具有凹凸构造。
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公开(公告)号:CN105683088A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201480058525.9
申请日:2014-11-28
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/20
Abstract: 本发明为高热扩散率的石墨薄膜的制造方法,其特征在于:对使用含有70摩尔%以上的PMDA的酸二酐成分与含有70摩尔%以上的ODA的二胺成分所获得的厚度为34μm以上42μm以下且双折射率为0.100以上的聚酰亚胺薄膜、或上述聚酰亚胺薄膜经碳化后而成的碳化薄膜,在2400℃以上的温度下进行热处理。
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公开(公告)号:CN103998231B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201380004346.2
申请日:2013-01-11
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: F28F21/02 , B23B35/00 , B23K26/384 , C01B32/20 , C23C28/00 , F28F21/089 , Y10T428/12361 , Y10T428/24273 , Y10T428/24339 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种石墨复合膜,其是包含在表面上形成有金属层的石墨膜的石墨复合膜,可抑制金属层从石墨膜上的剥离。本发明的石墨复合膜的特征在于,其是在石墨膜的至少单面上形成有金属层的石墨复合膜,在所述石墨膜中形成有多个贯穿孔,按照与形成于所述石墨膜的表面上的所述金属层连接的方式在所述贯穿孔内形成金属层,且所述贯穿孔内的所述金属层从所述石墨膜的单面至相反侧的面为止连续地形成,贯穿孔外径间距离为0.6mm以下,且所述贯穿孔内的金属的面积相对于所述石墨复合膜的面积的比例为1.4%以上。
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公开(公告)号:CN102803137B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN200980160008.1
申请日:2009-06-22
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C04B35/524 , C01B32/19 , C01B32/20 , C01B32/205 , C01B32/225 , Y10T428/30
Abstract: 提供长条状、大面积的热扩散性、耐弯曲性、波状起伏得到改善的石墨膜。利用如下的石墨膜的制造方法能够提供波状起伏得到非常大的改善的石墨膜,该石墨膜的制造方法是以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态,进行石墨化的石墨膜的制造方法,其特征在于,控制内芯和膜及/或膜间的距离来进行热处理。
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公开(公告)号:CN103764555B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201280041428.X
申请日:2012-07-25
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明的课题在于,在基于高分子热分解法制造辊状的碳质膜时,抑制碳质膜熔合。在经过以将高分子膜卷成辊状的状态进行热处理的工序来制造碳质膜的方法中,在该高分子膜的热分解起始温度以上、且相对于热处理开始前高分子膜的重量的重量减少率为40%的温度以下的温度时,为下述辊状高分子膜:(2-1)具有满足以下关系的高分子膜间的间隙:关于辊状高分子膜整体计算出的相邻的该高分子膜间的间隙的厚度即Ts除以该高分子膜的厚度即Tf而得的值即Ts/Tf为0.33~1.50,和/或(2-2)在辊状高分子膜的50%截面圆内具有空间,50%截面圆内的空间所占的面积相对于50%截面圆的截面积为25%以上。
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公开(公告)号:CN103415467B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201280011482.X
申请日:2012-03-26
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
CPC classification number: B01J6/008 , C01B32/20 , C01P2006/60
Abstract: 在本发明中,通过限制在以下温度范围内对高分子膜实施特殊的热处理,能够抑制在其后的石墨化处理时产生发泡,且即使提高石墨化升温速度也可以获得优质的石墨膜,其中,所述温度范围是指,高分子膜分解初期的从热分解起始温度以上的温度即升温下限值起、至高分子膜的热分解中间温度以下的温度即升温上限值为止的温度范围。
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