公开(公告)号：CN110998798A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880048776.7

申请日：2018-07-18

Applicant: 岩谷产业株式会社 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 真锅俊树 ,  妹尾武彦 ,  泉浩一 ,  荘所正 ,  荻原孝文 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  H01L21/3065

Abstract: 切割加工方法包括以下工序：在加工对象物(1)上形成改性区域；以及在加工对象物(1)上形成了改性区域之后在加工对象物(1)沿着切割预定线形成槽(9)。在形成槽(9)的工序中，从加工对象物(1)的表面(3)朝向背面(4)实施第1干蚀刻处理。在第1干蚀刻处理之后，实施将加工对象物(1)置于与第1干蚀刻处理时相比减压的气氛下的第1减压处理。在第1减压处理之后，从加工对象物(1)的表面(3)朝向背面(4)实施第2干蚀刻处理。

公开(公告)号：CN110678965A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880033106.8

申请日：2018-05-17

Applicant: 协立化学产业株式会社 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 朽木干春 ,  金田秀文 ,  栗田大亮 ,  坂本刚志 ,  荻原孝文 ,  近藤裕太 ,  内山直己

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/16 ,  B23K26/53

Abstract: 本发明的加工对象物切割方法包括：第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；第2工序，第1工序之后，沿着切割预定线对于加工对象物照射激光而形成改质区域，并使可扩张薄片扩张，由此将加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；第3工序，在第2工序之后，从加工对象物的包含侧面的外缘部向间隙填充树脂；第4工序，在第3工序之后，使树脂固化并收缩；以及第5工序，第4工序之后，从可扩张薄片上取出芯片。

公开(公告)号：CN110520970A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880025397.6

申请日：2018-04-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  荻原孝文 ,  田口智也

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53

Abstract: 加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；和第三步骤，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中，在第二主面形成有沿多条切断预定线形成了气体通过区域的蚀刻保护层的状态下，使用二氟化氙气体，从第二主面侧实施干式蚀刻。

公开(公告)号：CN108093626A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201680056451.4

申请日：2016-08-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 荻原孝文 ,  近藤裕太

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/53 ,  H01L21/78

Abstract: 激光加工方法，包含：以硅基板的背面作为激光入射面，使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物，而使激光的第1聚光点沿着切断预定线移动，从而沿着前述切断预定线形成第1改质区域的第1工序；以及于第1工序后，以硅基板的背面作为激光入射面，一边使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物，并相对于对准激光的第1聚光点的位置使激光的第2聚光点偏移，一边使激光的第2聚光点沿着切断预定线移动，从而沿着前述切断预定线形成第2改质区域的第2工序。

公开(公告)号：CN108028189A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056475.X

申请日：2016-08-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 荻原孝文 ,  近藤裕太

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/046 ,  B23K26/53

CPC classification number: B23K26/046 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02

Abstract: 对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，使激光从半导体基板的背面聚光，并且一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着切断预定线使第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域。从半导体基板的背面使激光聚光于加工对象物上，并且一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在第二距离，并且相对于对准第一聚光点的位置，使第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线使第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域。除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。