-
公开(公告)号：CN104597563B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410850612.X
申请日：2014-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的波导式光忆阻器。该光忆阻器，包括光忆阻、波导、传输线和填充介质；其中，所述光忆阻位于所述波导内，所述波导内的剩余空间填充所述填充介质；所述传输线位于所述波导外，且分别与所述波导的两端相连；所述光忆阻的个数至少为一个。该波导式光忆阻器的透射率在电磁场的加载下表现出有高低透射率的变化，并具有记忆效应。该波导式光忆阻器可以用作一种光学元器件，使现有的光路设计更富有功能性，能使光学产品，如矢量网络分析仪等，向功能更丰富的方向发展。
-
公开(公告)号：CN104579278B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410743714.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/78
Abstract: 本发明涉及一种基于Mie谐振的光开关实现方法，其包括以下过程：1)制作一Mie谐振光开关器件，具体是：选择一固体基质，固体基质上周期性阵列嵌设有若干高介电陶瓷颗粒，高介电陶瓷颗粒是指介电常数大于80的陶瓷颗粒；2)根据所要调控的Mie谐振光开关器件的工作频率，选择传播方向相互垂直的信号电磁波和调制电磁波同时照射Mie谐振光开关器件，信号电磁波使高介电陶瓷颗粒产生磁谐振，调制电磁波使高介电陶瓷颗粒产生电谐振，磁谐振和电谐振的相互作用使信号电磁波能够穿过高介电陶瓷颗粒，即Mie谐振光开关器件由关闭状态转为导通状态；其中，信号电磁波和调制电磁波的频率与所要调控的Mie谐振光开关器件的工作频率相同。本发明可以广泛用于全光信号处理中。
-
公开(公告)号：CN105963050B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610248688.4
申请日：2016-04-20
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: A61F2/02
Abstract: 一种组织工程血管化肝小叶的制造方法，包括以下步骤：用3D打印机打印肝小叶的相容性支持性边框，在所述边框插入七根毛细玻璃管构成肝小叶的成型模具；按细胞浓度10^6cells/mL将HepG2细胞与温敏性水凝胶溶液混匀，填加到所述模具中，用紫外光照射30s‑200s，固化交联胶原后抽出毛细玻璃管，形成毛细管道；配置浓度为1*10^7cells/mL的人脐静脉内皮细胞，注入到所述毛细管道中并培养，使其长满毛细管道内壁，从而制得血管化的肝小叶。本方法制得的肝小叶生物相容性好，可用于肝脏类药物的药物筛选、疾病机理研究以及药物在肝脏中代谢过程的研究。
-
公开(公告)号：CN105449317A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510908720.2
申请日：2015-12-10
Applicant: 清华大学
IPC: H01P1/10
CPC classification number: H01P1/10
Abstract: 本发明属于新型光电技术领域，特别涉及基于互相垂直的磁偶极耦合的介质超材料全光开关及应用。所述光开关由高介电立方体颗粒周期性地排列在基质中形成；其中，高介电立方体颗粒为TiO2、CaTiO3、BaxSr1-xTiO3(x＝0～1)及其掺杂物，基质为塑料或特弗伦材料。本发明可以在一定电磁波频率处起到光开关作用，并通过调节高介电颗粒的大小和介电常数等参数调控光开关的频率。
-
公开(公告)号：CN103022340B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210549404.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明特别涉及一种可控多谐振频率的磁电复合材料结构及其制备方法，属于多铁性磁电材料技术领域。本发明由不同直径的具有同心圆结构的圆环层状磁电复合材料组成，不同直径的圆环层状磁电复合材料之间有圆环状间隙；圆环状压电材料内侧和外侧分别与一层圆环状磁致伸缩材料相连；不同直径的圆环层状磁电复合材料通过导线相连，形成串联或并联结构；本发明圆环层状磁电复合材料通过镀膜工艺在不同直径的圆环状压电材料的内外表面分别沉积一层圆环状磁致伸缩材料，制备得到。本发明实现了在一定的交变磁场频率范围内的多谐振频率及谐振峰，而且可以通过改变每个圆环层状磁电复合材料的直径来调控相对应谐振频率的大小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102965538B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210449342.2
申请日：2012-11-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于新材料中新型金属和合金材料技术领域，特别涉及一种多晶银铂合金等离子体薄膜材料及其制备方法。本发明薄膜材料的通式为Ag1-xPtx，其中x表示合金中Pt的原子百分比，其范围为4%~25%，本发明薄膜材料厚度为50~200纳米。本发明采用磁控溅射工艺制备，所用的溅射靶材为复合靶材，其与拟溅射的银铂合金薄膜成分相同，溅射气体是氩气，在纯银基底靶材上分别放置1~4个纯铂圆片，纯铂片与溅射银靶的溅射总面积的比值为0.04~0.16，通过适当的退火作用处理可以明显的降低合金薄膜材料的损耗。本发明制备工艺简单，容易得到，且成本也相对较低，其等离子性质在可见光频段优于常见的金属铜和金，在某些特定区域甚至与金属银相接近，是一种优异的等离子体低损耗基材。
-
公开(公告)号：CN103145404A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310112678.4
申请日：2013-04-02
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , H01B3/12
Abstract: 一种低温烧结的中介电常数微波介质陶瓷及制法，该微波介质陶瓷的化学表达式为xBaO+yNb2O5+aY，其中，57wt%≤x≤60wt%，40wt%≤y≤43wt%，0.2wt%≤a≤1wt%，Y为氧化物型的添加剂。本低温烧结的中介电常数微波介质陶瓷具有较低的烧结温度，较高的品质因数，谐振频率温度系数小且连续可调，能够与金属Ag等进行低温共烧，可广泛应用于滤波器、振荡器、放大器等微波元器件的制造，满足卫星通信、移动通信等系统的技术需求，为中介电常数的低温共烧陶瓷材料提供了新的选择。
-
公开(公告)号：CN103036321A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210592969.3
申请日：2012-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: H02J17/00
Abstract: 本发明公开了无线能量传输系统设计技术领域中的一种基于滤波器设计原理的磁谐振耦合无线能量传输系统，运用电感耦合二阶带通滤波器设计原理对磁谐振耦合无线能量传输系统进行指导与设计。该系统包括电源、导纳变换器、并联谐振电路以及负载。此设计方法利用滤波器综合设计法原理，有效地解决了无线能量传输系统中的传输功率、传输效率、传输距离、工作频率和电路系统中各个电子元件值之间的关系，能使所设计的传输系统在最大传输功率和传输效率的状态下工作；同时，本发明通过设计一定的带宽，使无线能量传输系统在一个较宽的频率范围内使用，很好地解决了系统误差导致最佳传输频率漂移而使传输功率和传输效率下降的问题。
-
公开(公告)号：CN102944907A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210448796.8
申请日：2012-11-10
Applicant: 清华大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明属于光通讯、光电子技术领域，特别涉及一种层状插层改性复合材料及其实现负折射的方法。本发明通过直接反应法、离子交换法、分子嵌入法、剥离重组法、纳米粒子直接插层法、纳米粒子原位生成法等插层方法向层状材料单晶材料中插入金属纳米颗粒等，从而增强层状单晶材料的各向异性，使层状复合材料的介电矩阵为非正定矩阵而实现负折射。本发明从电磁波基本理论出发，提出了一种全新的实现电磁波负折射的方法，可以使工作频率提高到光频，同时简化了制备工艺，降低了成本，具有重要的学术意义和应用价值。
-
公开(公告)号：CN102610752A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210079843.6
申请日：2012-03-23
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种忆阻器的制造方法，包括以下步骤：分别将纳米金属粉和纳米掺杂半导体陶瓷粉分散于有机介质中制备浆料；挤出成型，采用三维无模浆料直写系统按照设计的多层网格三维模型，将各浆料通过以设定轨迹运动的相应的供料针头逐层挤出，形成以金属浆料为骨架的多层网格结构坯体，在该坯体中，其网格交汇处的上下层金属浆料之间夹有掺杂半导体陶瓷浆料层；及，干燥烧结，去除该坯体中的有机成分得忆阻器。其通过三维无模浆料直写成型工艺实现了忆阻器的制造，该工艺简单、程控，可以根据需要制备不同的浆料、设计结构模型，一次性制造具有复杂网格结构的忆阻器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
187
records
(took 0.02 seconds)
