公开(公告)号：CN104038295B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410249973.9

申请日：2014-06-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王从思 ,  王伟锋 ,  余涛 ,  康明魁 ,  保宏 ,  孟娟 ,  陈光达 ,  米建伟 ,  王猛

IPC: H04B17/00

Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合的变形阵列天线散射性能分析方法，包括：确定阵列天线的几何模型参数、材料属性和电磁工作参数；建立天线有限元模型；确定有限元模型的约束条件与随机振动载荷、重力载荷和热载荷环境，计算在约束和载荷环境下阵列天线的阵面变形，提取该条件下天线有限元模型天线中心节点的位置偏移量；累加得到天线总的位置偏移量；计算阵面内相邻两天线单元散射场空间相位差，得到口面相位差；计算天线单元散射方向图；计算阵列天线散射场方向图；分析载荷环境下的阵列结构变形对天线散射性能的影响。方法用于定量评价载荷环境下阵面结构变形对阵列天线散射性能的影响，指导阵列天线结构设计、散热设计和散射性能仿真分析和评估。

公开(公告)号：CN104036093A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410298622.7

申请日：2014-06-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王从思 ,  康明魁 ,  段宝岩 ,  黄进 ,  王伟 ,  王猛 ,  宋立伟 ,  李鹏 ,  王伟锋 ,  王艳

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种基于阵元互耦的大型变形阵列天线副瓣性能预测方法，包括：根据阵列天线的结构参数和材料属性，确定阵列天线结构有限元模型；利用有限元软件进行结构有限元分析，得到阵列天线变形后阵面内阵元的位置偏移量，确定阵元的新坐标；根据阵元的新坐标，将阵列天线交叉划分成子阵，用子阵的互耦参数矩阵构建变形阵列天线整体的互耦参数矩阵；根据阵元的位置偏移量和阵元间的互耦参数，利用阵列天线机电耦合模型，计算天线远区电场分布；根据阵列天线远区的电场值，建立功率方向图极值与阵元幅度相位的关系式，计算天线的副瓣电平，从而实现阵列天线副瓣性能的快速预测。本发明可用于指导天线的结构设计以及天线副瓣性能的分析与评价。

公开(公告)号：CN103116677A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310057042.4

申请日：2013-02-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王从思 ,  王伟 ,  李兆 ,  宋正梅 ,  康明魁 ,  王猛 ,  段宝岩 ,  黄进 ,  保宏 ,  宋立伟 ,  李娜 ,  李鹏

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种面向有源相控阵天线的微通道冷板设计方法，该方法包括：1）确定有源相控阵天线的几何模型；2）确定有源相控阵天线微通道冷板的外形尺寸；3）计算有源相控阵天线阵面的温度分布；4）判断是否满足设计要求。本方法提供了一种利用微通道冷板对天线散热方案，以保证天线能够有效工作并保持高性能。通过考虑高宽比α、宽度W、流体入口速度v和流体入口温度T，利用建模得到不同参数下的温度分布，最终确定参数，与只能凭借经验设计的传统方法相比，本发明可给出最佳设计方案，保证一次满足要求，缩短了设计周期。通过计算阵面温度分布，可判断设计是否满足温度要求，根据温度分布修改参数和流道布局以达到要求，具有工程意义。

公开(公告)号：CN221960979U

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202420189050.8

申请日：2024-01-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 江希 ,  王猛 ,  袁嵩 ,  何艳静 ,  弓小武

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/165 ,  H01L29/16

Abstract: 本实用新型公开了一种具有SiC/Si异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件，包括自下而上依次层叠设置的P型衬底、N型漂移区和顶部半导体层，顶部半导体层沿器件横向方向依次包括发射极结构、沟槽栅极和集电极结构，沟槽栅极从N型漂移区的上表面伸入N型漂移区内部；发射极结构包括N+发射极区、发射极、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区，其中，N+发射极区、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区均嵌入在N型漂移区的上表面，第二P阱区与第一P阱区之间形成第一异质结；集电极结构包括第一N+缓冲层、第二N+缓冲层、P+集电极区和集电极，第一N+缓冲层与第二N+缓冲层之间形成第二异质结。本实用新型能够提高器件动态可靠性，拓展安全工作区，还可提高器件的纵向耐压。

公开(公告)号：CN221805536U

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202420252999.8

申请日：2024-02-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 袁嵩 ,  王猛 ,  江希 ,  何艳静 ,  弓小武

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型公开了一种具有SiC/Si异质结的双栅低功耗LIGBT器件，包括P型衬底、N型漂移区、集电极结构、栅极结构、发射极结构和氧化层，N型漂移区设置在P型衬底上，发射极结构包括嵌入N型漂移区上表面的N+发射极区、P+发射极区、第一P阱区和第二P阱区以及设置在N+发射极区和P+发射极区上表面的发射极；氧化层包括第一氧化层和第二氧化层；栅极结构包括彼此连接的沟槽栅极和平面栅极；集电极结构包括嵌入第一N+缓冲层上表面第一N+缓冲层、第二N+缓冲层和P+集电极区以及覆盖P+集电极区的集电极。本实用新型的双栅低功耗LIGBT器件能够提高器件的动态可靠性，拓展安全工作区，还可提高器件的纵向耐压以及导通损耗和开关损耗的折中性能。