-
公开(公告)号：CN114697579A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011641630.9
申请日：2020-12-31
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146
摘要： 本发明公开一种应用于自动对焦的共享像素结构及图像传感器件，该共享像素结构包括第一光电二极管、第二光电二极管、第一传输晶体管、第二传输晶体管、浮动扩散点、复位晶体管、源极跟随晶体管和选择晶体管，第一光电二极管和第二光电二极管间隔设置，第一光电二极管和第二光电二极管之间设有连接部，共享像素结构还包括控制部，控制部用于控制连接部将第一光电二极管和第二光电二极管连通或断开。本发明的共享像素结构及图像传感器件中，由于在第一光电二极管和第二光电二极管之间设有连接部，将第一光电二极管和第二光电二极管连通或断开，在普通模式下，连接第一光电二极管和第二光电二极管的连接部可增大整个光电感应的面积，从而增加满阱容量。
-
公开(公告)号：CN108281452B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201810099785.0
申请日：2018-01-31
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种像素单元，包括一光电二极管，一读出电路，及一垂直通道传输晶体管。所述光电二极管设置于第一半导体芯片的第一基底内，累积图像电荷以响应于入射光到光电二极管。所述读出电路设置于第二半导体芯片的第二基底内。所述垂直通道传输晶体管连接到所述光电二极管和所述读出电路将图像的电荷从所述光电二极管传输到所述读出电路。
-
公开(公告)号：CN114339086A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011066330.2
申请日：2020-09-30
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器及传输电路。光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与第三感光区域连接的传输电路。因此，本发明通过电位从高到低的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，从而能够使得该电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够提高测距精度。
-
公开(公告)号：CN114335033A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011063250.1
申请日：2020-09-30
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01S17/36 , G01S17/894
摘要： 本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器的测距像素结构及TOF图像传感器。其中，TOF图像传感器的测距像素结构，包括衬底、第一收集节点、第二收集节点及两个门电极。第一收集节点和第二收集节点并列设置于衬底中，均用于收集周围的光生电荷。两个门电极并列设置于衬底中，且位于第一收集节点和第二收集节点之间，用于在衬底中产生导流电场，以将导流电场内的光生电荷导向第一收集节点或第二收集节点。其中，两个门电极的外壁上均包覆有氧化层。因此，本实施例提供的测距像素结构的静态功耗很低，使得应用本发明提供的测距像素结构的TOF图像传感器能够具有功耗低的优点。
-
公开(公告)号：CN114257763A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011018744.8
申请日：2020-09-24
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及电源噪声抑制电路及图像传感器，包括像素电路、比较信号产生电路及比较器，像素电路输出叠加了噪声电源的第一电源噪声信号的图像信号到比较器的第一输入端，比较信号产生电路输出叠加了噪声电源的第二电源噪声信号的比较信号到比较器的第二输入端，第二电源噪声信号与第一电源噪声信号幅值相同，以抵消像素电路的电源噪声；比较信号产生电路包括电容调节模块、缓冲晶体管及偏置晶体管，电容调节模块包括可变电容器和偏置电容，偏置晶体管的栅极接偏置电压节点并与偏置电容的第一端连接。本发明通过比较器引入噪声以抑制像素电路中的电源噪声，能够有效的抗电源噪声干扰、减小图像噪声并提高图像的质量。
-
公开(公告)号：CN114171541A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010944584.3
申请日：2020-09-10
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
发明人： 王强
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种CMOS图像传感器及电子装置，其中，CMOS图像传感器包括像素阵列区及围绕于像素阵列区边缘的金属层。金属层靠近像素阵列区边缘的内侧设有多个应力抵消槽。多个应力抵消槽用于消减在像素阵列区上进行上层工艺时产生的应力对所述像素阵列区的影响。因此，本发明提供的CMOS图像传感器中像素阵列区外围的金属层上设有多个应力抵消槽，该应力抵消槽内能够产生应力抵消效应，能够避免或改善进行上层工艺时产生的应力对像素阵列区的负面影响(例如避免或改善像素阵列区的微透镜层的边缘厚度不均的问题)，进而，本发明提供的CMOS图像传感器为黑白CMOS图像传感器时，能够使得图像的亮度均一性得到改善。
-
公开(公告)号：CN113298192A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110769266.2
申请日：2021-07-07
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种红外光图像与可见光图像的融合方法、装置及存储介质，针对由于环境亮度不足，在拍摄时，需要将图像采集设备的曝光量和增益调节到非常大，则会引入大量的噪声遮蔽细节，而采用红外光拍摄的话，则缺乏对场景中色彩的捕捉，导致拍摄效果差的问题，通过将可见光图像的亮度调节至不低于红外光图像的亮度；以红外光图像作为引导图像，对可见光图像进行引导滤波，消除可见光图像的噪声；将滤波后的可见光图像转换为YUV格式的图像，将YUV格式图像中的Y通道数据替换为红外光图像的数据，将替换数据之后的YUV图像转换为RGB格式的图像，完成可见光图像与红外光图像的融合。从而使图像传感器得到色彩丰富且细节清晰的图像。
-
公开(公告)号：CN112750848A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911063473.5
申请日：2019-10-31
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374
摘要： 一种像素单元、图像传感器及电子设备，其中像素单元包括：光电二极管、传输晶体管、浮动扩散点，复位晶体管、转换增益控制晶体管以及增益控制电容；其中浮动扩散点靠近传输晶体管设置并连接至传输晶体管；转换增益控制晶体管连接在浮动扩散点和复位晶体管之间；增益控制电容的第一极包括连接部和拓展部，连接部为复位晶体管与转换增益控制晶体管两者的连接点，拓展部由该连接点凸伸至按列方向相邻的两个光电二极管之间；采用连接部和拓展部结合以构成增益控制电容，进而达到更低的低增益值，以提升图像传感器的增益比率和在高光场景下的工作性能。
-
公开(公告)号：CN108419030B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810173062.0
申请日：2018-03-01
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/355
摘要： 本发明公开了一种具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点，另一路通过全局曝光传输单元耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构能衰减LED光源频闪，从而使得该像素结构能够适用于拍摄含有LED光源的物体。
-
公开(公告)号：CN110336953B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910594370.5
申请日：2019-07-02
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种四元像素结构图像传感器及读取控制方法，所述图像传感器包括由多个像素单元块排列构成的二维像素阵列，每个像素单元块包括四个像素单元以2×2布局设置构成四元像素结构，每个像素单元采用独立的行选择控制信号及传输控制信号控制。所述图像传感器的像素单元输出经合并的像素信号，读出电路对输出的像素信号进行读取和量化处理。每个像素单元块所包含的四个像素单元可以设置多种合并方式，像素单元的曝光时间可根据合并方式设定相同或不同。本发明同时还提供一种具有共享结构像素单元的四元像素结构图像传感器及读取控制方法。本发明给出的技术方案能有效提升图像传感器像素电路的转换增益，提高图像传感器输出动态范围。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
534 条记录 (耗时 0.083 秒)
