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公开(公告)号：CN108495064B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810657593.7
申请日：2018-06-20
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种像素电路，所述像素电路采用多个传输晶体管：高转换增益传输晶体管及一个或多个低转换增益传输晶体管。所述像素电路包括复位晶体管，双转换增益晶体管，电容，高转换增益传输晶体管，低转换增益传输晶体管及输出单元。所述输出单元包括放大晶体管及行选择晶体管。所述像素电路还包括一个防溢出晶体管，对满阱信号进行控制。所述一个或多个低转换增益传输晶体管形成一个或多个传输支路，分别连接到所述光电二极管。所述多个低转换增益传输晶体管可分别连接到多个传输支路，或依次连接于同一传输支路。本发明还提供一种包含上述像素电路的图像传感器装置。
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公开(公告)号：CN110412607B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810404994.1
申请日：2018-04-28
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： G01S17/10 , G01S17/894 , G01S17/93 , G01S7/4865
摘要： 本发明提供一种具有高动态范围的TOF像素电路，所述像素电路包括感光控制单元以及第一读取电路和第二读取电路。所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元。所述感光控制单元包括光电二极管及传输晶体管。所述第一读取电路和第二读取电路包括复位晶体管，增益控制单元，信号存储控制单元及第一输出单元。所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。本发明提出的TOF像素电路可实现滚动曝光和全局曝光的输出模式。本发明还提供一种具有高动态范围的TOF图像传感器的测距系统。
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公开(公告)号：CN110557582B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201810629808.4
申请日：2018-06-19
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/341 , H04N5/351 , H04N13/204 , H01L27/146 , G01S17/08
摘要： 本发明提供一种基于TOF的3D成像图像传感器像素电路，所述像素电路包括感光控制单元，光电控制单元以及第一读取电路和第二读取电路。所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路。所述感光控制单元包括光电二极管及多个传输晶体管，所述多个传输晶体管分别连接到所述光电二极管。所述光电控制单元包含一个或多个控制晶体管。所述第一读取电路和第二读取电路分别包括复位晶体管，增益控制单元，信号存储控制单元及第一输出单元。所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。本发明还提供一种基于TOF的3D成像图像传感器的测距系统。
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公开(公告)号：CN110418083B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201810405001.2
申请日：2018-04-28
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有HDR模式的TOF像素电路，所述像素电路包括感光控制单元、控制晶体管以及第一读取电路和第二读取电路。所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元。所述感光控制单元包括光电二极管及传输晶体管。所述第一读取电路和第二读取电路包括复位晶体管，信号存储控制单元及第一输出单元。所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。本发明提出的具有HDR模式的TOF像素电路可实现滚动曝光和全局曝光的输出模式。本发明还提供一种测距系统。
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公开(公告)号：CN108322676B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810172634.3
申请日：2018-03-01
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过第一控制晶体管耦接至第一电压源，另一路通过第一曝光传输单元与第二曝光传输单元的并联电路耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构不仅能防止过曝，而且能避免LED光源信息丢失，可以将LED信号完整保留。
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公开(公告)号：CN108282626B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201810172632.4
申请日：2018-03-01
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种TOF图像传感器像素结构及TOF成像系统，该像素结构包括光电二极管、第一读取控制单元、第二读取控制单元；第一读取控制单元与第二读取控制单元均分别包括传输晶体管、双转换增益控制单元、复位晶体管及输出单元；其中，复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至对应的浮动扩散节点；光电二极管通过传输晶体管耦接至对应的浮动扩散节点；输出单元耦接至对应的浮动扩散节点。该像素结构特别适合于TOF成像系统并且能够支持滚动曝光模式。并且由于使用了双转换增益控制单元，使得本发明的像素结构可以支持DCG，从而具有高动态范围特性。
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公开(公告)号：CN108270981B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810130550.3
申请日：2018-02-08
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/225
摘要： 本发明提供像素单元及其成像方法和成像装置。像素单元包括：第一光电二极管，第一转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第一光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域；第二光电二极管，第二转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第二光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域，其中第二光电二极管的感光面积与所述第一光电二极管的感光面积不同；电容，其第一极耦合至指定电压；增益控制晶体管，耦合在电容第二极和浮动扩散区域之间，对电容和浮动扩散区域进行隔离控制；复位晶体管，耦合至电容的第二极和增益控制晶体管，经复位控制信号重置电容第二极和增益控制晶体管的耦合点电位；及源极跟随晶体管，耦合至浮动扩散区域，放大输出所述像素信号。
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公开(公告)号：CN108419030B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810173062.0
申请日：2018-03-01
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/355
摘要： 本发明公开了一种具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点，另一路通过全局曝光传输单元耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构能衰减LED光源频闪，从而使得该像素结构能够适用于拍摄含有LED光源的物体。
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公开(公告)号：CN110418085B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201810404037.9
申请日：2018-04-28
申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/351 , H04N5/378 , H04N13/271 , G01S17/08
摘要： 本发明提供一种TOF像素电路，所述像素电路包括感光控制单元以及第一读取电路和第二读取电路。所述第一读取电路和第二读取电路为对称电路，且共享所述感光控制单元。所述感光控制单元包括光电二极管及传输晶体管。所述第一读取电路和第二读取电路包括复位晶体管，信号存储控制单元及第一输出单元。所述第一读取电路及第二读取电路分别包括全局曝光传输单元，所述全局曝光传输单元包括全局曝光存储单元和第二输出单元。本发明提出的TOF像素电路可实现滚动曝光和全局曝光的输出模式。本发明还提供一种TOF图像传感器的测距系统。
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