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    用于降频转换射频信号的设备及方法
    51.
    发明授权
    用于降频转换射频信号的设备及方法 有权

    公开(公告)号：CN101809860B

    公开(公告)日：2013-12-04

    申请号：CN200880109099.1

    申请日：2008-09-25

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 徐扬 ,  佐尔蒂·彭

    IPC分类号： H03D7/14

    CPC分类号： H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/1466 ,  H03D7/165 ,  H03D2200/0084

    摘要： 本发明提供一种噪声隔离无源混频设备，其经设计以减轻来自射频变换级中的中频(IF)滤波器及放大器的噪声影响。在跨阻抗放大器的无源混频器输出与输入之间插入共栅极配置装置。以此方式，由于所述共栅极装置的相对较高的输出阻抗，所以减少所述跨阻抗放大器的输入参考噪声的循环，且可改进所述混频设备的噪声指数。由于射频信号仍经历较低阻抗，所以可从所述混频设备中移除射频跨导(RF gm)级，从而减少电流消耗。具有此通用架构的双平衡混频设备可实施于0.18微米CMOS技术中，并可用于在1.575GHz下操作的低IF全球定位系统中、蜂窝式通信系统的接入终端中及其它系统中。

    具有切换式跨导和本机振荡器遮蔽的上变频器和下变频器
    54.
    发明公开
    具有切换式跨导和本机振荡器遮蔽的上变频器和下变频器 有权

    公开(公告)号：CN102106077A

    公开(公告)日：2011-06-22

    申请号：CN200980129572.7

    申请日：2009-08-03

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 布尚·尚蒂·阿舒里

    IPC分类号： H03D7/14 ,  H03D7/16

    CPC分类号： H03D7/166 ,  H03D7/1433 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D7/165 ,  H03D2200/0084

    摘要： 本发明描述具有良好性能的上变频器和下变频器。在一种设计中，所述上变频器包括第一晶体管集合、第二晶体管集合和第三晶体管集合。所述第一晶体管集合接收基带信号且提供经上变频的信号。所述第二晶体管集合基于发射(TX)本机振荡器(LO)信号而切换所述第一集合中的所述晶体管的跨导。所述第三晶体管集合基于TX VCO信号来启用和停用所述第二集合中的所述晶体管。在一种设计中，所述下变频器包括第一晶体管集合、第二晶体管集合和第三晶体管集合。所述第一晶体管集合接收经调制的信号且提供基带信号。所述第二晶体管集合基于接收(RX)LO信号而切换所述第一集合中的所述晶体管的跨导。所述第三晶体管集合基于RX VCO信号来启用和停用所述第二集合中的所述晶体管。

    混频器电路
    57.
    发明公开
    混频器电路 有权 转让

    公开(公告)号：CN1886890A

    公开(公告)日：2006-12-27

    申请号：CN200480035172.7

    申请日：2004-11-15

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 土方克昌 ,  林锭二

    IPC分类号： H03D7/00 ,  H03D7/14

    CPC分类号： H03D7/1441 ,  H03D7/1433 ,  H03D7/1458 ,  H03D2200/0043 ,  H03D2200/0084

    摘要： 在谋求低频的低噪声特性的接收系统的混频器电路中，通过使旁路电流源(41)与LO晶体管(21)并联连接在IF输出端子(33)和RF晶体管(11)的漏极端子之间、使旁路电流源(42)与LO晶体管(22)并联连接在IF输出端子(34)和RF晶体管(11)的漏极端子之间，能够不减小在RF晶体管(11)中流动的偏置电流地来减小在LO晶体管(21，22)中流动的电流。由此，能够不降低混频器的增益地来降低由LO晶体管(21，22)发生的闪烁噪声，从而提供了能够改善低频时的NF特性的、低频噪声特性优良的混频器电路。

    无线电接收机
    58.
    发明授权
    无线电接收机 失效 转让

    公开(公告)号：CN1269306C

    公开(公告)日：2006-08-09

    申请号：CN01806358.6

    申请日：2001-11-06

    申请人： 皇家菲利浦电子有限公司

    发明人： B·J·明尼斯 ,  P·A·穆尔

    IPC分类号： H03D3/00 ,  H04B1/16

    CPC分类号： H03D7/166 ,  H03D3/007 ,  H03D2200/0084 ,  H04B1/30

    摘要： 一种可配置操作在低中频或者零中频模式的无线电接收机，包括在中频产生同相(I)和正交(Q)信号的正交向下变换器(108，110，112，114)，以及执行镜像干扰抑制的复合滤波器(202)。滤波器(202)的输出(Q)终止，另一个输出(I)传递到非复合ADC(206)。来自ADC的输出数字化处理，然后正交信号发生器(212，214)产生正交的与中频信号有关的信号，该信号传递给向下变换器(216，218)用于转换成为基带信号。通过使模拟到数字转换器和信道滤波在中频非复合信号上执行，可能实现显著的功率节约。进一步，接收机的灵活性增强了，使其在低中频和零中频上都能有效操作。

    RF前端接收机
    60.
    发明公开
    RF前端接收机 无效

    公开(公告)号：CN1729626A

    公开(公告)日：2006-02-01

    申请号：CN200380107089.1

    申请日：2003-12-17

    申请人： 因芬尼昂技术股份公司

    发明人： A·里特温 ,  G·卡蒂雷桑

    IPC分类号： H04B1/28 ,  H03D7/12

    CPC分类号： H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D2200/0084 ,  H03D2200/009

    摘要： 本发明提供一种RF前端接收机，其包括连接至一混频器相应输入端口的一低噪声放大器(LNA)和一本地振荡驱动器(LOD)。所述混频器包括其栅极耦合至所述低噪声放大器(LNA)的一输出端子(RF+)的一第一和一第二晶体管(M3，M6)、其栅极耦合至所述低噪声放大器(LNA)的另一输出端子(RF－)的一第三和一第四晶体管(M4，M5)、其栅极耦合至所述本地振荡驱动器(LOD)相应输出端子(LO+，LO－)的一第五和一第六晶体管(M1，M2)，其中所述第一和第三晶体管(M3，M4)的源极耦合至所述第五晶体管(M1)的漏极，所述第二和第四晶体管(M6，M5)的源极耦合至所述第六晶体管(M2)的漏极，所述第五和第六晶体管(M1，M2)的源极耦合至地面，所述第一和第四晶体管(M3，M5)的漏极耦合至一混频器输出端口的一输出端子(IF+)，且所述第二和第三晶体管(M6，M4)的漏极耦合至所述混频器输出端口的另一输出端子(IF－)。