-
公开(公告)号：CN117452175B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311753954.5
申请日：2023-12-20
申请人： 国科大杭州高等研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供的一种用于半导体光电器件微区带宽测试系统及方法，包括激光器、调制系统、确定性光路、精密位移控制器、前置放大器、锁相放大器和PC端控制模块。本发明的的一种用于半导体光电器件微区带宽测试系统及方法在传统的带宽测试方法上首次提出了器件扫描的方式来测量器件微区的带宽，通过此方法不仅可以减小传统方法因光照射器件微区不同而导致的带宽测量误差，还可以表征器件微区最佳工作点。本发明使用方便，适用范围广，易于维护，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114910769B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210544654.5
申请日：2022-05-19
申请人： 飞锃半导体(上海)有限公司
发明人： 赵凤俭
摘要： 本申请技术方案提供一种MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法，包括：提供MOSFET驱动回路的RLC二阶等效电路，所述RLC二阶等效电路包括电连接的驱动信号源、驱动电阻、驱动回路寄生电感以及所述MOSFET的栅源寄生电容、栅漏寄生电容和漏源寄生电容；使所述MOSFET的栅源寄生电容值、栅漏寄生电容值及漏源寄生电容值达到稳定值；将所述RLC二阶等效电路由过阻尼状态转变为欠阻尼状态，期间所述MOSFET不开通，并获得所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系；基于所述栅源寄生电容的端电压与时间的关系，获得震荡周期及幅值，进而获得驱动回路寄生电感值。本申请技术方案在不对器件造成损害的情况下，解决了MOSFET驱动回路寄生电感难以获取的问题。
-
公开(公告)号：CN113406464B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010186415.8
申请日：2020-03-17
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本公开涉及晶圆测试机台及训练人工智能模型以测试晶圆的方法。本案揭露了晶圆测试机台及训练人工智能模型以测试晶圆的方法。晶圆包含复数个晶粒。该方法包含：从该些晶粒中决定一目标晶粒；根据该目标晶粒及一预设范围选择邻近该目标晶粒的复数个参考晶粒；产生一主要训练数据，该主要训练数据包含该目标晶粒的一量测值及该些参考晶粒的该量测值；产生一辅助训练数据，该辅助训练数据指示该些参考晶粒为一合格晶粒或一不合格晶粒；以及以该主要训练数据及该辅助训练数据训练该人工智能模型。
-
公开(公告)号：CN118671542A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410769610.1
申请日：2024-06-14
申请人： 忱芯科技(上海)有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开了一种用于静态高温反偏测试的接触检测电路和检测方法，该电路包括：高压源、大电流源、第一继电器和测试电路，高压源或大电流源通过第一继电器接入测试电路。当高压源接入测试电路时，测试电路用于测量被测器件的漏源极漏电流；当大电流源接入测试电路时，测试电路用于测量被测器件的导通电阻和正向电压降，并基于测量的导通电阻和正向电压降判断被测器件与测试电路是否稳定接触。本方案能够提高器件HTRB老化测试的安全性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN111054664B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201911400138.X
申请日：2019-12-30
申请人： 太仓市晨启电子精密机械有限公司
发明人： 沈向辉
摘要： 本发明提供了一种二极管引线自动弯角成型测试装置，包括：工作台、输送轨道、上料机构、成型机构、电性测试机构和分料机构，输送轨道固定安装在工作台上，工作台上沿输送轨道的运输方向依次设置有上料机构、成型机构、电性测试机构和分料机构，上料机构、成型机构和电性测试机构平行布置，上料机构固定安装在工作台的一端，成型机构固定安装在工作台上，输送轨道穿设于成型机构，电性测试机构固定安装在输送轨道上，分料机构固定安装在与上料机构相对的工作台的另一端。本发明提供的装置可以对二极管进行引线弯角成型和电性测试，并通过分料装置对通过测试的二极管和未通过测试的二极管进行分别收纳，大大提高加工效率。
-
公开(公告)号：CN118655441A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411147977.6
申请日：2024-08-21
申请人： 四川熙隆半导体科技有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种圆形整流桥测试装置，属于半导体器件电性能测试领域，整流桥的封装体一侧具有标识槽，封装体的一端沿圆周阵列设有四根引脚，测试装置包括：输送槽，其底板上开设有一竖直状态的通孔，其内径大于封装体的外径。伸缩装置，同轴设置于通孔上方，其活动杆的下端设有吸盘。旋转环，同轴且转动设于通孔的下方，旋转环的内部沿圆周阵列设有四块扇形板，扇形板的两个侧壁上均开设有半圆槽，扇形板沿旋转环的径向移动设置。旋转环的侧壁穿设有接近式传感器，当接近式传感器检测到标识槽，且扇形板向旋转环的中心移动至极限位置时，引脚与对应弹性触点所在的圆孔结构同轴对齐。本方案可自动调节测试位置，有效提高对圆形整流桥的测试效率。
-
公开(公告)号：CN118655439A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410974517.4
申请日：2024-07-19
申请人： 东莞市通科电子有限公司
摘要： 本发明属于晶体管测试技术领域，提供一种晶体管的可靠性测试工艺，包括：基于可靠性测试项目的测试条件，搭建可靠性测试平台；配置可靠性测试设备；设计可靠性测试程序；依托可靠性测试平台，利用可靠性测试设备，基于可靠性测试程序，对晶体管进行可靠性测试。本发明通过依托可靠性测试平台，利用可靠性测试设备，基于可靠性测试程序，对晶体管进行可靠性测试，可高效、准确地实施对晶体管的可靠性测试，有助于提高晶体管的测试效率，并保证晶体管的生产质量。
-
公开(公告)号：CN118655438A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410870252.3
申请日：2024-06-28
申请人： 重庆大学
摘要： 本申请提供一种测试电路及其工作方法，测试电路包括：脉冲驱动器、源测量单元、被测器件、第一接地端和第二接地端，被测器件的源极和脉冲驱动器的第一端连接；漏极端子与源极端子，源极端子和第二接地端连接；连接单元；第一开关部、第二开关部和第三开关部；第一开关部配置为将被测器件的栅极与脉冲驱动器的第二端连接的状态以及被测器件的栅极与连接单元连接的状态进行切换；第二开关部配置为将被测器件的漏极和连接单元连接的状态以及被测器件的漏极和漏极端子连接的状态进行切换；第三开关部配置为将连接单元与第一接地端连接的状态以及连接单元与源测量单元连接的状态进行切换。提高了对阈值电压稳定性评估的测量精度。
-
公开(公告)号：CN118655435A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410808133.5
申请日：2024-06-21
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种氮化镓半导体器件测试系统及方法。系统包括：数字测试电路、模拟测试电路、切换电路和上位机；上位机用于：获取测试参数和测试模式；基于测试模式，将测试参数编译为数字测试电路和模拟测试电路中对应的第一测试电路能够识别的测试指令；基于测试模式，控制切换电路选通第一测试电路；基于测试指令控制第一测试电路工作；接收第一测试电路反馈的测试结果，并将测试结果进行图形化显示。该系统能够实现测量参数设定、测试项生成、数据生成与分析、自动生成报告，测试电路反馈的测试结果通过监控程序自动上传到数据分析后台端，并将测试结果进行图形化显示在客户端，并生成报告供参考。
-
公开(公告)号：CN118655343A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411070987.4
申请日：2024-08-06
申请人： 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
摘要： 本发明属于测试设备的技术领域，公开了一种抬升机构、测试平台及测试方法，其中抬升机构包括抬升组件、补偿组件、载物组件和控制中心，抬升组件包括转接板、多个丝杆驱动结构和多个位移传感器，补偿组件包括多个压电陶瓷，压电陶瓷能够上下伸缩调节，载物组件包括载物台、安装板和多个压力传感器，控制中心能够比较多个局部抬升高度的差异，并控制对应的压电陶瓷伸缩调整，以减少多个局部抬升高度之间的差异，控制中心能够计算多个局部压力的合力并将合力与基准范围比较，并控制多个压电陶瓷同步伸缩，以使合力位于基准范围内，进而，在载物台的平稳支撑下，使得半导体板以设定压力测试，满足测试要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
17627 条记录 (耗时 0.033 秒)
