公开(公告)号：CN1983663A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610165710.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴俊鹤 ,  宋根圭

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/102 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种具有改善的特性的具有薄膜晶体管的显示装置，所述显示装置包括：形成绝缘基板上的包括栅电极的栅极导体；形成于所述栅电极上的栅极绝缘层；由多个层构成的导电层，其包括源电极和漏电极，所述源电极和漏电极形成于所述栅极绝缘层上，并且跨越所述栅电极彼此隔开，由此界定沟道区；以及形成于所述沟道区内的有机半导体层，其中，所述导电层包括金属层和透明电极层。

公开(公告)号：CN1917226A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610115554.1

申请日：2006-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  洪雯杓 ,  李容旭 ,  吴俊鹤 ,  宋根圭 ,  赵承奂

IPC: H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：衬底；数据线，形成衬底上；栅极线，与数据线交叉且包括栅电极；第一层间绝缘层，形成于栅极线和数据线上且包括暴露栅电极的第一开口；栅极绝缘体，形成于第一开口中；源电极，设置于栅极绝缘体上且连接到数据线；像素电极，设置于栅极绝缘体上且包括与源电极相对的漏电极；绝缘岸，形成于源电极和漏电极上，绝缘岸界定暴露至少部分的源电极和漏电极的第二开口；和有机半导体，形成于第二开口中。

公开(公告)号：CN1905232A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610103288.0

申请日：2006-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  金洙真 ,  金泳敏 ,  宋根圭 ,  李容旭 ,  洪雯杓 ,  崔泰荣 ,  吴俊鹤

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/0533 ,  H01L51/107

Abstract: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。

公开(公告)号：CN1866114A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610093704.3

申请日：2006-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋根圭

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  G09F9/35

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F2001/136295

Abstract: 根据本发明一实施例的显示装置包括：设置在基板上的第一电极和第二电极；纳米线，包括设置在该第一电极上的半导体芯、围绕该半导体芯的内罩、以及围绕该内罩的外罩；设置在该第一电极和该纳米线上的固定器；以及连接到该纳米线且包括透明电极和反射电极的像素电极，其中该半导体芯包括未被覆盖以该内罩、该外罩和该固定器的第一部分和第二部分，该半导体芯的该第一部分连接到该第二电极，该半导体芯的该第二部分连接到该像素电极。